Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=кубические политипы<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Давыдов, С. Ю.
    О влиянии спонтанной поляризации на энергетические уровни в квантовых ямах, образующихся на контакте кубического и некубического политипов карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Трошин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 22. - С. 56-63 . - ISSN 0320-0116
УДК
^a530.145
ББК 22.314
Рубрики: Физика
   Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
спонтанная поляризация -- квантовые ямы -- кубические политипы -- карбиды кремния
Аннотация: Рассмотрено влияние спонтанной поляризации, присущей некубическим политипам SiC, на характеристики квантовых ям, образующихся у интерфейса в кубической области гетероперехода. Использованы различные модели квантовых ям (треугольная, параболическая и экспоненциальная). Кратко обсуждаются условия появления слоя двумерного электронного газа.


Доп.точки доступа:
Трошин, А. В.

Найти похожие
2.


   
    Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
^a539.2
^a535.37
ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- спектры -- исследование спектров -- кубические политипы -- подложки (физика) -- гексагональные политипы -- структурное совершенство -- низкие температуры -- излучение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- результаты исследований -- кристаллы -- объемные кристаллы
Аннотация: Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.


Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.; Трегубова, А. С.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)