Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовые ямы<.>)

Общее количество найденных документов : 368
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Карпович, И. А.
Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности [Текст] / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, Б. Н. Звонков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.66 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- фотопроводимость
Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd

Доп.точки доступа:
Тихов, С.В.; Шоболов, Е.Л.; Звонков, Б.Н.

Найти похожие

22.33
Т 462

Тихов, С. В.
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642

ББК 22.33 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление
Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя

Доп.точки доступа:
Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В.

Найти похожие

621.375
М 712

Мишкин, В. П.
Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера [Текст] / В. П. Мишкин, Д. О. Филатов, С. М. Некоркин, Ю. В. Кутергина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 80 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

539.2

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диаграмма направленности излучения -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- самоформирование -- селективное травление -- химическое травление
Аннотация: Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя) . Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82` при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66`.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-78.html.ru

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Некоркин, С. М.; Кутергина, Ю. В.

Найти похожие

535
А 497

Алешкин, В. Я.
Нелинейная генерация излучения среднего инфракрасного диапазона в двухчастотных полупроводниковых лазерах с гофрированным волноводом [Текст] / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 96 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
генерация излучения -- гетероструктуры -- гофрированные волноводы -- инфракрасное излучение -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры
Аннотация: Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере с квантовыми ямами. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 mum и разностной моды в гофрированном волноводе в диапазоне 10-20 mum. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды среднего ИК диапазона при комнатной температуре может быть несколько микроватт.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-92.html.ru

Доп.точки доступа:
Афоненко, А. А.; Дубинов, А. А.

Найти похожие

530.145
К 90

Кулик, Л. В.
Спектроскопия неупругого рассеяния света электронных систем в одиночных и двойных квантовых ямах [Текст] / Л. В. Кулик, авт. В. Е. Кирипичев // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 4. - С. 365-382. - Библиогр.: с. 381-382 (94 назв. ). - ил.: 18 рис. . - ISSN 0042-1294

УДК

530.145

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия рассеяния света -- квантовые ямы -- зарядово-спиновые плотности -- эффект Холла -- Холла эффект -- возбуждения -- гибридные моды
Аннотация: Методом неупругого рассеяния света исследован спектр нейтральных возбуждений и магнетовозбуждений электронных систем в одиночных и двойных квантовых ямах. Обнаружены новые ветви возбуждений зарядовой, спиновой и зарядово-спиновой плотности. Различные моды электронных и фононных возбуждений взаимодействуют с образованием гибридных мод. Получены оценки величин обменных и корреляционных поправок к энергиям комбинированного резонанса в целочисленных и дробных состояниях квантового эффекта Холла.

Перейти: http://www.ufn.ru

Доп.точки доступа:
Кирипичев, В. Е.

Найти похожие

621.375
А 90

Асеев, А. Л.
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 603-611. - Библиогр.: с. 611 (3 назв. ) . - ISSN 0869-5873

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- полупроводниковая электроника -- электроника полупроводниковая -- наноструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксия молекулярно-лучевая -- лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые излучатели -- излучатели полупроводниковые -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- ямы квантовые -- квантовые точки -- точки квантовые -- резонаторы -- лазерные структуры -- структуры лазерные -- эпитаксиальные структуры -- структуры эпитаксиальные -- электронный газ -- газ электронный -- полупроводниковые нанотрубки -- нанотрубки полупроводниковые -- транзисторы
Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники.

Найти похожие

621.3
Х 29

Хачатрян, А. Ж.
Эффективная генерация второй гармоники в структуре с двойными квантовыми ямами [Текст] / А. Ж. Хачатрян, Д. М. Седракян, В. Д. Бадалян, В. А. Хоецян // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 67-73 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- квантовые ямы -- вторая гармоника -- генерация второй гармоники -- ГВГ -- коэффициент ГВГ
Аннотация: Изучается проблема оптимизации для интенсивности поля излучения второй гармоники на слое с наноструктурой в виде двойной квантовой ямы. Выявлены значения параметров ямы, обеспечивающих режим двойного резонанса. Проведено исследование зависимости оптических характеристик системы от параметров ямы. Рассмотрена задача оптимизации интенсивности поля излучения второй гармоники. Показано, что максимальное преобразование излучения получается при наибольшем значении коэффициента генерации второй гармоники.

Доп.точки доступа:
Седракян, Д. М.; Бадалян, В. Д.; Хоецян, В. А.

Найти похожие

53
М 227

Мамутин, В. В.
Исследование оптических свойств сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений [Текст] / В. В. Мамутин, О. В. Бондаренко [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 9. - С. 53-60 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
сверхрешетки -- оптические свойства сверхрешеток -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- лазеры -- излучательные характеристики -- телекоммуникационная область длин волн
Аннотация: Проведены исследования оптических свойств гетероструктур, состоящих из квантовых ям (КЯ) InAs/InGaAsN, помещенных в сверхрешетки GaAsN/ InGaAsN c компенсаций напряжений (strain-compensated). Показано, что использование таких сверхрешеток с различным дизайном и толщинами слоев, а также дополнительных монослойных вставок InAs позволяет изменять длину волны излучения квантовых ям InGaAsN в диапазоне 1. 3-1. 6 мюm при комнатной температуре без ухудшения излучательных характеристик, что открывает дополнительные перспективы создания лазеров в телекоммуникационной области длин волн на подложках арсенида галлия.

Доп.точки доступа:
Бондаренко, О. В.; Васильев, А. П.; Гладышев, А. Г.; Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Михрин, В. С.; Устинов, В. М.

Найти похожие

53
Х 192

Ханнанов, М. Н.
Изменение циклотронной массы двумерных дырок в GaAs (001) квантовой яме от концентрации дырок [Текст] / М. Н. Ханнанов, И. В. Кукушкин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 5. - С. 294-297 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- дырочные состояния -- циклотронная масса дырок -- концентрация дырок
Аннотация: Методом оптического детектирования резонансного микроволнового поглощения измерена зависимость циклотронной массы тяжелых дырок в GaAs (001) квантовых ямах от концентрации двумерных дырок. Обнаружено значительное (почти двукратное) увеличение циклотронной массы тяжелых дырок с ростом концентрации носителей заряда в интервале от 1. 2 10\{10\} см\{-2\} до 1. 3 10\{11\} см\{-2\}.

Доп.точки доступа:
Кукушкин, И. В.; Губарев, С. И.; Смет, Ю.; Клитцинг, К. фон; Векшейдер, В.; Герл, С.

Найти похожие

10.

621.3
П 305

Петров, П. В.
Молекулярное состояние A\{+\}-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, А. Е. Жуков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 850-853 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
A\{+\}-центры -- молекулярное состояние A\{+\}-центров -- GaAs/AlGaAs -- квантовые ямы -- фотолюминесценция
Аннотация: Наряду с одиночными A\{+\}-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs сушествуют их спаренные, молекулярные, состояния, которые проявляются в наличии второго пика фотолюминесценции, связанной с A\{+\}-центрами. Это утверждение основывается на особенностях циркулярной поляризации фотолюминесценции, а также на характерных зависимостях амплитуд пиков от степени легирования и температуры. Определена энергия связи дырок в молекулярном состоянии. Выдвинуто предположение, что спаренное состояние двух положительно заряженных A\{+\}-центров возможно вследствие поляронного эффекта.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. Л.; Жуков, А. Е.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)