Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=диэлектрическая релаксация<.>)

Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-18

539.2+537.226
Т 572

Тонконогов, М. П.
Квантовые эффекты при термодеполяризации в сложных кристаллах с водородными связями [Текст] / М. П. Тонконогов, М. П. Кукетаев, К. К. Фазылов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539.2+537.226

ББК 22.37 + 22.33
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
квантовые эффекты -- термодеполяризация -- сложные кристаллы -- кристаллы с водородными связями -- протонные полупроводники -- туннелирование -- туннелирование протонов -- диэлектрическая релаксация -- метод матрицы плотности -- матрица плотности
Аннотация: Для описания механизма туннелирования протонов при диэлектрической релаксации применен метод матрицы плотности, в результате чего предложен термоактивационный способ расчета параметров релаксаторов в кристаллах с водородными связями при низких температурах.

Доп.точки доступа:
Кукетаев, М. П.; Фазылов, К. К.

Найти похожие

539.2
Я 752

Ярмаркин, В. К.
Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами [Текст] / В. К. Ярмаркин, С. Г. Шульман [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 897-900. - Библиогр.: с. 900 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая релаксация -- ортофосфорная кислота -- фосфористая кислота -- триглицинсульфат -- петля диэлектрического гистерезиса -- энергия активации
Аннотация: Исследованы процессы переключения поляризации и температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов триглицинсульфата, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами, в диапазоне частот 100 Hz - 1 MHz и температур 140-340 K. Установлено, что при относительно небольшой растворимости примесей (не более 1 mol. %) легирование кристаллов сопровождается существенным изменением параметров петли диэлектрического гистерезиса, а также величины и характера температурной зависимости диэлектрических потерь, свидетельствующих об увеличении в сегнетоэлектрической фазе легированных кристаллов энергий активации и времен релаксации доменных стенок в результате их взаимодействия с примесями.

Доп.точки доступа:
Шульман, С. Г.; Панкова, Г. А.; Зайцева, Н. В.; Леманов, В. В.

Найти похожие

539.2
А 181

Аванесян, В. Т.
Фотодиэлектрический эффект в поликристаллических слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, авт. Е. П. Баранова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 10. - С. 1760-1761. - Библиогр.: с. 1761 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокоомные немонокристаллические фотопроводники -- диэлектрическая релаксация -- ортоплюмбат свинца -- световое возбуждение -- фотодиэлектрический отклик -- фотопроводники
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния светового возбуждения на диэлектрические характеристики поликристаллических слоев ортоплюмбата свинца Pb[3]O[4]. Приведены зависимости фотодиэлектрического отклика исследуемых образцов от температуры в интервале частот 10{2} - 10{5} Hz. Определены параметры и энергия активации процесса диэлектрической релаксации. Проявление фотодиэлектрического эффекта интерпретируется в рамках формирования пространственного заряда в объеме полупроводника. Обсуждается роль электронов неподеленной пары, принадлежащих катионам Pb{2+}, в исследуемых процессах.

Доп.точки доступа:
Баранова, Е. П.

Найти похожие

Диффузия цепей в аморфно-кристаллическом полиэтилене: проявление в процессе диэлектрической релаксации [Текст] / И. А. Чмутин [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 2. - С. 295-305. - Библиогр.: с. 304 (37 назв. ) . - ISSN 0507-5475

УДК

^a541.6

ББК 24.7
Рубрики: Химия
Химия высокомолекулярных соединений
Кл.слова (ненормированные):
аморфно-кристаллический полиэтилен -- диэлектрическая релаксация -- диэлектрические потери -- молекулярные модели -- диффузия -- кристаллическая фаза -- аморфная фаза -- кристаллиты -- молекулярные механизмы
Аннотация: Представлены экспериментальные данные по высокотемпературной диэлектрической релаксации ? {\dn С} в образцах линейного ПЭ с разной термической предысторией.

Доп.точки доступа:
Чмутин, И. А.; Рывкина, Н. Г.; Зубова, Е. А.; Маневич, Л. И.

Найти похожие

Сегнетоэлектрические фазовые переходы в ионных проводниках на основе ванадата висмута [Текст] / Е. Д. Политова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1364-1368. - Библиогр.: с. 1368 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- ионные проводники -- ванадат висмута -- твердые растворы -- твердофазные синтезы -- диэлектрическая релаксация -- стабилизация полиморфных растворов
Аннотация: Методом твердофазного синтеза получены керамические твердые растворы (Bi[1-x]La[x]) [4]V[2]O[11-z] (I), Bi[4] (V[1-x]Fe[x]) [2]O[11-y] (II) и (Bi[1-x]La[x]) [4] (V[0. 96]Fe[0. 04]) [2]O[11-y] (III) (x равно 0 - 0. 3, шаг Delta x = 0. 02). Установлены концентрационные и температурные диапазоны стабилизации различных полиморфных модификаций, включая области концентраций x, соответствующие стабилизации сегнетоэлектрической фазы. Установлено снижение температуры, размытие перехода и увеличение интервала температурного гистерезиса сегнетоэлектрического фазового перехода с ростом x в области существования псевдоромбической alpha-фазы изученных твердых растворов. Выявлены эффект "зажатия" доменных стенок вакансиями кислорода в образцах из области существования сегнетоэлектрической фазы alpha и эффект диэлектрической релаксации в образцах из области существования ромбической фазы beta.

Доп.точки доступа:
Политова, Е. Д.; Калева, Г. М.; Мосунов, А. В.; Фортальнов, Е. А.; Андронова, Л. И.; Андропова, С. А.; Сафроненко, М. Г.; Венсковский, Н. У.

Найти похожие

Фазовые переходы и диэлектрическая релаксация в (1-x) SrTiO[3-x]BiFeO[3] (0 [Текст] / Е. П. Смирнова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2348-2351. - Библиогр.: с. 2351 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- твердые растворы -- диэлектрическая релаксация -- петли диэлектрический гистерезис -- антиферродисторсионный переход -- гистерезис
Аннотация: Изучены диэлектрические и акустические свойства твердых растворов (1-x) SrTiO[3-x]BiFeO[3] (0 =< x=< 0. 04) в температурном диапазоне 10-300 K. При температурах 40-100 K обнаружено полярное состояние, которое характеризуется дисперсией диэлектрической проницаемости и петлями диэлектрического гистерезиса. В области температур 20-40 K наблюдается еще одна диэлектрическая релаксация, не связанная с полярным состоянием и исчезающая при концентрации второй компоненты твердого раствора x=0. 04. Выявлена эволюция антиферродисторсионного (АФД) перехода при увеличении концентрации x. Показано, что для всех измеренных твердых растворов при температурах ниже температуры АФД-перехода существует полярное (релаксорное) состояние.

Доп.точки доступа:
Смирнова, Е. П.; Сотников, А. В.; Schmidt, H.; Зайцева, Н. В.; Weihnacht, M.

Найти похожие

Диэлектрическая релаксация в слоистых оксидах семейства фаз Ауривиллиуса [Текст] / В. Г. Власенко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 693-696. - Библиогр.: с. 696 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая релаксация -- слоистые оксиды -- перовскитные слои -- метод рентгеновской порошковой дифракции -- фазы Ауривиллиуса -- Ауривиллиуса фазы -- диэлектрическая проницаемость
Аннотация: Синтезированы два новых поликристаллических слоистых оксида Bi[2. 33]Ca[0. 17]Nb[1. 33]W[0. 17]O[7. 5] и Bi[2. 25]Ca[0. 25]Nb[1. 25]W[0. 25]O[7. 5] с полуторным количеством перовскитных слоев. Методом рентгеновской порошковой дифракции определено, что оба соединения являются однофазными и имеют структуру фаз Ауривиллиуса с орторомбическими элементарными ячейками, отвечающими пространственной группе Cmm2. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости в интервале частот 1 kHz-1 MHz показали наличие релаксорных свойств в указанных соединениях, проявляющихся в частотной дисперсии температуры фазового перехода сегнетоэлектрик-параэлектрик и характеризующихся высокими значениями найденных параметров диффузности гамма=1. 75 и 1. 82.

Доп.точки доступа:
Власенко, В. Г.; Зарубин, И. А.; Шуваев, А. Т.; Власенко, Е. В.

Найти похожие

53:51
Х 181

Хамзин, А. А.
Микроскопическая модель недебаевской диэлектрической релаксации. Закон Коула-Коула и его обобщение [Текст] / А. А. Хамзин, Р. Р. Нигматуллин, И. И. Попов // Теоретическая и математическая физика. - 2012. - Т. 173, № 2. - С. 314-332 : 4 рис. - Библиогр.: с. 331-332 (27 назв.) . - ISSN 0564-6162

ГРНТИ	29.05.03
УДК	53:51	530.1

ББК 22.311 + 22.31
Рубрики: Физика
Математическая физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая релаксация -- комплексная диэлектрическая проницаемость -- недебаевские диэлектрические спектры -- фракталы -- дискретная масштабная инвариантность -- логопериодические осцилляции -- закон Коула - Коула -- Коула - Коула закон
Аннотация: Построена микроскопическая модель недебаевской диэлектрической релаксации в сложных системах, которая базируется на самоподобной пространственно-временной организации релаксационного процесса.

Доп.точки доступа:
Нигматуллин, Р. Р.; Попов, И. И.

Найти похожие

537.2
К 829

Кришталик, Л. И.
Белки как специфическая полярная среда процессов переноса заряда [Текст] / Л. И. Кришталик // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 12. - С. 1275-1300 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1298-1300 (196 назв.) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.35.41
УДК	537.2

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
полярные среды -- заряженные частицы -- электроны -- протоны -- белки -- электрические поля -- диэлектрическая релаксация -- низкодиэлектрические среды
Аннотация: Рассмотрены особенности белков как предорганизованных высокополярных и низкодиэлектрических сред, для которых характерны наличие предсуществующего внутрибелкового электрического поля, низкая энергия реорганизации и большой интервал времен диэлектрической релаксации.

Найти похожие

10.

621.315.592
Д 508

Диэлектрические и транспортные свойства тонких пленок, осажденных из золей, содержащих наночастицы кремния [Текст] / Н. Н. Кононов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1068-1078 : ил. - Библиогр.: с. 1077-1078 (44 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические свойства -- транспортные свойства -- тонкие пленки -- твердые подложки -- коллоидные растворы -- золи -- осаждение пленок -- наночастицы кремния -- кремний -- оптическая эллипсометрия -- импеданс-спектроскопия -- диэлектрическая проницаемость -- кристаллический кремний -- численное моделирование -- эффективная среда Бруггемана -- Бруггемана эффективная среда -- экспериментальные спектры -- эллипсометрические спектры -- кремниевые пленки -- пористые среды -- моноокись кремния -- SiO -- пористость -- наноразмерный кремний -- закон диэлектрической дисперсии Коула - Коула -- Коула - Коула закон диэлектрической дисперсии -- свободные электрические заряды -- диэлектрическая релаксация
Аннотация: Диэлектрические свойства тонких пленок, осажденных на твердые подложки из коллоидных растворов, содержащих наночастицы кремния (средний диаметр 10 нм), исследованы посредством оптической эллипсометрии и импеданс-спектроскопии. В оптическом диапазоне величины действительной varepsilon{'} и мнимой varepsilon{''} компонент комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon изменяются в пределах 2. 1-1. 1 и 0. 25-0. 75 соответственно. Эти величины значительно меньше, чем аналогичные значения кристаллического кремния. Посредством численного моделирования в рамках приближения эффективной среды Бруггемана мы показали, что экспериментальные спектры varepsilon{'} и varepsilon{''} могут быть объяснены с хорошей точностью, если предположить, что кремниевые пленки являются пористой средой, состоящей из моноокиси кремния (SiO) и воздушных полостей, при коэффициенте пористости 0. 5. Главная причина такого поведения пленок определяется влиянием на диэлектрические свойства кремниевых наночастиц их внешних оболочек, взаимодействующих с атмосферным кислородом. В диапазоне частот 10-10{6} Гц экспериментально зарегистрированные спектры varepsilon{'} и varepsilon{''} тонких пленок наноразмерного кремния хорошо аппроксимируются полуэмпирическим законом диэлектрической дисперсии Коула-Коула вместе с членом, связанным со свободными электрическими зарядами. Экспериментально зарегистрированная степенная частотная зависимость проводимости на переменном токе означает, что электрический транспорт в пленках определяется прыжками электрических зарядов через локализованные состояния, находящиеся в неупорядоченной среде внешних оболочек наночастиц кремния, составляющих пленки. Обнаружено, что при частотах <2 x 10{2} Гц проводимость в пленках определяется транспортом протонов через группы Si-OH, находящиеся на поверхности наночастиц кремния.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1068-1078.pdf

Доп.точки доступа:
Кононов, Н. Н.; Дорофеев, С. Г.; Ищенко, А. А.; Миронов, Р. А.; Плотниченко, В. Г.; Дианов, Е. М.

Найти похожие

1-10 11-18

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)