Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=анизотропные эффекты<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

539.2
Б 796

Болтаев, А. П.
Особенности магнитосопротивления многослойных систем магнитных наноостровков в слабых магнитных полях [Текст] / А. П. Болтаев, Ф. А. Пудонин, И. А. Шерстнев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. 892-898. - Библиогр.: с. 898 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитные структуры -- магнитные островки -- магнитные поля -- анизотропные эффекты -- магнитные наноостровки
Аннотация: Предложены новые магнитные структуры - многослойные системы магнитных наноостровков, представляющие собой чередующиеся слои наноостровков различных магнетиков. Исследованы электрические, магнитные и магнитооптические свойства данных систем. Обнаружено магнитосопротивление ~2%, которое связано с анизотропным эффектом. В многослойных структурах из магнитных наноостровков обнаружена однонаправленная ось преимущественного намагничивания, которая изменяет свою ориентацию в зависимости от параметров структур. Оценена величина магнитного поля, необходимого для переориентации этой оси в противоположном направлении. Периодические многослойные структуры из магнитных наноостровков обладают высокой чувствительностью к сверхслабым магнитным полям (до 10{-6} Oe).

Доп.точки доступа:
Пудонин, Ф. А.; Шерстнев, И. А.

Найти похожие

539.2
О-754

Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале / Т. А. Комиссарова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 352-357 : ил. - Библиогр.: с. 357 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- концентрация электронов -- электроны -- подвижность электронов -- магнитные поля -- осцилляция Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза осцилляция -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- удельное сопротивление -- буферные слои -- кластеры -- протяженные дефекты -- дефекты -- анизотропные эффекты
Аннотация: Работа посвящена исследованию электрофизических свойств гетероструктур c квантовыми ямами (КЯ) InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов. Обнаружена анизотропия концентрации и подвижности электронов, измеренных в слабом магнитном поле в кристаллографических направлениях [110] и [110]. С помощью анализа осцилляций Шубникова-де Гааза показано, что проводимость по двумерному электронному каналу КЯ InSb/AlInSb не зависит от кристаллографического направления. Вместе с тем магнитополевые зависимости модуля коэффициента Холла и удельного сопротивления структур продемонстрировали сильную чувствительность к кристаллографическому направлению. Это позволило заключить, что анизотропия транспортных параметров электронов в структурах с КЯ, измеренных в слабом магнитном поле, связана с паразитной проводимостью по буферному слою Al[0. 09]In[0. 91]Sb, заметный вклад в которую дают два анизотропных эффекта: влияние кластеров металлического In, неоднородно распределенных по буферному слою, и проводимость по сильнодефектному приинтерфейсному слою, плотность протяженных дефектов в котором зависит от кристаллографического направления.
We report on electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with high electron concentration. Anisotropy of the electron concentration and mobility measured at a low magnetic field in [110] and [110] crystallographic directions has been observed. It has been established by analysis of the Shubnikov-de Haas oscillations that the conductivity through the two-dimensional electron channel does not depend on the crystallographic direction. However magnetic-field dependences of the Hall coefficient and resistivity of the structures revealed strong influence of the crystallographic directions. It has allowed one to conclude that these dependences and low-field electrical anisotropy correspond to the parasitic conductivity through the Al[0. 09]In[0. 91]Sb buffer layer with two pronounced anisotropic contributions: influence of metallic In nanoclusters inhomogeneously distributed within the buffer layer and conductivity of the near-interface layer with high anisotropic density of extended defects.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p352-357.pdf

Доп.точки доступа:
Комиссарова, Т. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Paturi, P.; Федоров, Д. Л.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); University of Turku; Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

539.2
К 715

Кособукин, В. А.
Анизотропные эффекты локального поля наночастиц в плазмонной оптике и магнитооптике / В. А. Кособукин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 12. - С. 2340-2348. - Библиогр.: с. 2347-2348 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анизотропные эффекты -- локальные поля -- наночастицы -- плазмонная оптика -- магнитооптика
Аннотация: Построена теория анизотропных оптических эффектов локального поля, обусловленных резонасно поляризующимися малыми частицами в многослойных поляризующихся средах. Рассмотрение относится к модели прямоугольной решетки эллипсоидальных наночастиц с учетом "сил изображения" на границах раздела в слоистой среде. Методом функций Грина в приближении квазиточечных диполей найдены решеточные суммы для анизотропных диполь-дипольных взаимодействий и самосогласованно вычислены эффективные поляризуемости частиц в слое вблизи границы раздела. Иcследовано проявление анизотропного локального поля наночастиц в оптическом излучении и в распространении затухающих волн, которые определяют эффекты ближнеполевой оптики. Рассмотрены приложения результатов в спектроскопии полярного магнитооптического эффекта Керра и анизотропного отражения при распространении поляризованного света по нормали к слоям. Изучены резонансные особенности в спектрах, связанные с усилением оптических эффектов при возбуждении поверхностных (локальных) плазмонов в наночастицах благородного металла.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)