Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>U=621.38<.>)

Общее количество найденных документов : 1524
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Г 953
Автор(ы) : Гурман В. И. (д-р техн. наук),
Заглавие : Магистральные решения в задачах оптимизации стратегий развития регионов [Текст] / В. И. Гурман
Место публикации : Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - ISSN 0005-2310. - ISSN 0005-2310
Примечания : Библиогр.: с. 117 (9 назв. ). - Часть текста на англ. яз.
УДК : 621.38 + 330.91
ББК : 32
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Общие вопросы радиоэлектроники
Экономика-- Экономическая география. Регионоведение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эколого-экономические модели--инновационные факторы--практическое моделирование--социально-экономические системы--инновационные блоки--коэффициенты затрат--прямые затраты--экологические нарушения--функции кротова-беллмана--фкб--модификации--агрегированные модификации--инвестиции--управляющие переменные--аналитические решения--численные решения--функционалы--регионы--развитие регионов
Аннотация: Рассматривается задача оптимизации стратегии развития для агрегированной эколого-экономической модели с учетом инновационного фактора, формализованного по сравнительно простой и достаточно общей схеме, предложенной при практическом моделировании стратегий развития ряда конкретных регионов.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Л 363
Автор(ы) : Левин В. И. (д-р техн. наук),
Заглавие : Сравнение интервальных чисел и оптимизация систем с интервальными параметрами [Текст] / В. И. Левин
Место публикации : Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - ISSN 0005-2310. - ISSN 0005-2310
Примечания : Библиогр.: с. 142 (15 назв. ). - Часть текста на англ. яз.
УДК : 621.38
ББК : 32
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Общие вопросы радиоэлектроники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интервальные параметры--параметры--интервалы--удаленность интервалов--экстремальные интервалы--задачи--интервальные параметры--интервальные числа
Аннотация: Рассмотрена задача сравнения интервально заданных чисел в связи с оптимизацией систем с интервальными параметрами. Получено решение, использующее понятие меры близости интервалов и распространяющееся на интервалы, расположенные произвольно относительно друг друга.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/М 231
Автор(ы) : Мандель А. С. (д-р техн. наук),
Заглавие : Метод аналогов в прогнозировании коротких временных рядов: экспертно-статистический подход [Текст] / А. С. Мандель
Место публикации : Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - ISSN 0005-2310. - ISSN 0005-2310
Примечания : Библиогр.: с. 151 (18 назв. ). - Часть текста на англ. яз.
УДК : 621.38
ББК : 32
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Общие вопросы радиоэлектроники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): временные ряды--статистические методы--статистические анализы--экспертно-статистические методы--линейные неравенства--задачи--прогнозирование--процедуры прогнозирования--методы аналогов--функции--формулы--экспертные суждения--аналоги
Аннотация: Рассматривается проблема прогнозирования временных рядов по коротким выборкам данных.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 539.19/Ч 494
Автор(ы) : Черноплеков Н.А.,
Заглавие : Сверхпроводниковые технологии : современное состояние и перспективы практического применения/ Н.А. Черноплеков
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
УДК : 539.19 + 621.3 + 621.38
ББК : 22.36 + 31.2 + 32.85
Предметные рубрики: Физика-- Молекулярная физика
Энергетика-- Электротехника
Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--сверхпроводники--сверхпроводимость--низкотемпературная--сверхпроводящие материалы--наукоемкие технологии--провода--ленточные провода--изоляция--электротехника--силовая сверхпроводимость--сильноточные технологии--электроника сверхпроводниковая--электронные приборы
Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 537/В 275
Автор(ы) : Велихов Е.П.,
Заглавие : Наноэлектронные приборы и технологические процессы / Е.П. Велихов
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
Примечания : Библиогр.:14 назв.
УДК : 537 + 621.38
ББК : 22.33 + 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электричество и магнетизм-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): импринт--кристаллы--литография--нанообъекты--наноэлектронные приборы--технологические процессы
Аннотация: Важнейший процесс в микро- и наноэлектронных процессах - литография.Наряду с оптической литографией получили развитие методы,с помощью которых уже теперь формируются отдельные наноструктуры и прототипы устройств на наноэлектронных приборах - ИМПРИНТ и электронная литография.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 537/О 257
Заглавие : Обсуждение
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
УДК : 537 + 539.1/.18 + 620.1/.2 + 621.375 + 621.38 + 621.396
ББК : 22.33 + 22.38 + 30.3 + 32.84 + 32.85 + 32.86
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Квантовая электроника-- Материаловедение-- Общая радиотехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): акдемики--алмазные материалы--выступления--доклады--кластеры--магнитострикция--миниатюризация--нанокомпозиты--наноматериалы--наноразмерные вещества--наностол--нанотехнологии--нанотрубки--наноэлементы--наука--обсуждения--субмикрокристаллические материалы
Аннотация: Представлены выступления академиков, чл.-корреспондентов РАН и докторов наук, принявших участие в обсуждении докладов, посвященных фундаментальным проблемам науки о веществах, материалах и функциональных устройствах в наноразмерном состоянии.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 001(09)/К 350
Автор(ы) : Кеменов В. П.,
Заглавие : [Рецензия] / В. П. Кеменов
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 3. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
Примечания : Рец. на кн.: Борисов В. П. Владимир Козьмич Зворыкин.- М.: Наука, 2002.- 150 с.
УДК : 001(09) + 621.38
ББК : 72.3
Предметные рубрики: Наука. Науковедение-- История науки-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рецензии--биографии--эмигранты--электронное телевидение--фотоэлектронные умножители--электронно-оптические преобразователи--преобразователи--изобретатели--русские ученые--ученые
Аннотация: Книга - по существу первое достаточно полное описание жизни и деятельности Владимира Козьмича Зворыкина (1889-1982) . Русскому эмигранту принадлежат фундаментальные изобретения в области электронного телевидения, пионерские разработки в области фотоэлектронных умножителей и электронно-оптических преобразователей, он стал лидером в области применеия электроники в биологии и медицине.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 001(09)/Г 808
Автор(ы) : Грехов И. В.,
Заглавие : Создатель силовой полупроводниковой электроники : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича/ И. В. Грехов
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
УДК : 001(09) + 621.38
ББК : 72.3
Предметные рубрики: Наука. Науковедение-- История науки
Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): исследования--ученые--юбилеи--полупроводники--полупрводниковая электроника--диэлектрики--диэлектрическая электроника--рентгеновское излучение--германиевые диоды--диоды--реакторы--тиристоры
Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/З 430
Автор(ы) : Звездин А.К., Мищенко А.С., Хвальковский А.В.,
Заглавие : Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора / А.К. Звездин, А.С. Мищенко, А.В. Хвальковский
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 29 назв.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спиновые полуметаллические транзисторы--спиновые транзисторы--транзисторы--ферромагнитные полуметаллы
Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия
Найти похожие

10.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Б 796
Автор(ы) : Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Миленин В.В., Войциховский Д.И.,
Заглавие : Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 16 назв.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьер шоттки--бориды титана--контактные структуры--межфазные взаимодействия--нитриды титана--термический отжиг--термодеградация
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана
Найти похожие

11.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Б 269
Автор(ы) : Барыбин А.А., Михайлов А.И.,
Заглавие : Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа / А.А. Барыбин, А.И. Михайлов
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 22 назв.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--волны пространственного заряда--параметрическое взаимодействие волн--тонкие пленки--тонкопленочные полупроводниковые структуры
Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения
Найти похожие

12.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 539.1/.18/З 127
Автор(ы) : Забродский В.В., Калинина Д.В., Мухин Е.Е., Раздобарин Г.Т., Суханов В.Л., Толстяков С.Ю., Тукачинский А.С.,
Заглавие : Результаты испытаний кремниевых фотодиодов в диагностических экспериментах по томсоновскому рассеянию на токамаке "Туман-3М" и в стендовых экспериментах / В.В. Забродский, Д.В. Калинина, Е.Е. Мухин, Г.Т. Раздобарин и др
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 6 назв.
УДК : 539.1/.18 + 621.38
ББК : 22.37 + 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника-- Ядерная физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): туман-3м (токамак)--детекторы излучения--плазма--токамаки--томсоновское рассеяние--фотодиоды
Аннотация: Проведены испытания кремниевых фотодиодов в качестве детекторов излучения в диагностическом эксперименте по томсоновскому рассеянию в плазме токамака "Туман-3М". В исследованиях, выполненных на испытательных стендах и путем численного моделирования, проведено сравнение двух типов фотоприемных устройств на основе фотодиодов и лавинных фотодиодов с регистрацией слабых импульсных сигналов разной длительности в присутствии фона стационарной засветки. Для прикладных задач диагностики плазмы токамака, когда фоновое излучение плазмы играет существенную роль, выигрыш чувствительности, обусловленный лавинным усилением, практически исчезает при увеличении длительности регистрируемых сигналов до нескольких сотен наносекунд.
Найти похожие

13.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Д 648
Автор(ы) : Долов А.М., Кузнецов С.П.,
Заглавие : Применение методики контроля хаоса для устранения автомодуляции в лампе обратной волны / А.М. Долов, С.П. Кузнецов
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): автомодуляция--лампы обратной волны--подавление автомодуляции--хаос
Аннотация: Предлагается метод подавления автомодуляции в лампе обратной волны. Для этого вводится дополнительная цепь запаздывающей обратной связи, благодаря чему уровень амплитуды выходного сигнала оказывает влияние на величину поступающего в пространство взаимодействия тока электронного пучка. Результаты численного моделирования демонстрируют возможность увеличения рабочего тока примерно вдвое при сохранении одночастотного режима генерации.
Найти похожие

14.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Б 194
Автор(ы) : Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Лычагин Е.В., Новиков С.Г., Картавенко А.В., Костылов М.А.,
Заглавие : Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры / С.Б. Бакланов, Н.Т. Гурин, Е.В. Лычагин, С.Г. Новиков и др
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 4 назв.
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вольт-амперные характеристики--отрицательное дифференциальное сопротивление--симисторные структуры--симисторы
Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры.
Найти похожие

15.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/А 235
Автор(ы) : Агафонов А. В., Тараканов В. П., Федоров В. М.,
Заглавие : Динамика нарушения магнитной изоляции и самоорганизация электронного потока в магнетронном диоде / А. В. Агафонов, В. П. Тараканов, В. М. Федоров
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 102-103 (35 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитная изоляция--самоорганизация--электронные потоки--магнетронные диоды--обратная бомбардировка--нарушение магнитной изоляции
Аннотация: Приведены результаты численного моделирования динамики нестабильности типа обратной бомбардировки (ВКВ) в магнетронном диоде (коаксиальный диод в магнитном поле, B=B[0z]=B[0]) . Получен "квазистационарный" режим утечки электронов поперек сильного магнитного поля (B[0]/B[cr]1. 1, B[cr] - критическое поле изоляции) . Электронный поток в зазоре разбивается в азимутальном направлении на ряд сгустков и создает компоненту электрического поля E[theta] (r, theta, t) . Это поле ускоряет некоторые электроны, и они, получив дополнительную энергию, бомбардируют катод, вызывая вторичную эмиссию электронов. Другие электроны теряют кинетическую энергию и уходят на анод. Неустойчивость поддерживается, если катод имеет малую первичную эмиссию и коэффициент вторичной эмиссии k[es]=I[es]/I[eBKB]1. Численный расчет сопоставлен с известными экспериментальными данными и показано их согласие. Предложена физическая модель BKB нестабильности. Коллективные колебания заряженных потоков происходят в зазоре со скрещенными электрическим и магнитным полями ( ExB-поле) при обменах импульсом и энергией между электронами и ExB-полем. Автогенерация и самоорганизация потоков происходят благодаря вторичной эмиссии электронов с катода.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/
Найти похожие

16.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/А 465
Автор(ы) : Александров С. Е., Гаврилов Г. А., Капралов А. А., Сотникова Г. Ю., Черных Д. Ф., Алексеев А. Н., Дудин А. Л., Коган И. В., Шкурко А. П.,
Заглавие : Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов, А. А. Капралов, Г. Ю. Сотникова и др
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 127 (8 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пирометрический контроль--арсенид галлия--молекулярно-лучевая эпитаксия--подложки--температура подложки--оптические пирометры
Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/
Найти похожие

17.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Ш 978
Автор(ы) : Шутов С. В., Фролов А. Н., Фролов А. А.,
Заглавие : Напряжения лавинного пробоя n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, А. А. Фролов
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 129 (4 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы--лавинный пробой--интегральня инжекционная логика
Аннотация: Экспериментально проверена методика определения напряжения лавинного пробоя вертикальных переключающих n-p-n-транзисторов И2Л элементов.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/
Найти похожие

18.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Ш 978
Автор(ы) : Шутов С. В., Фролов А. Н., Литвиненко В. Н., Фролов А. А.,
Заглавие : Определение толщины базы вертикальных n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов по напряжению "gрокола" базы / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, В. Н. Литвиненко, А. А. Фролов
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 132 (6 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы--база--толщина базы--напряжение прокола--интегральня инжекционная логика
Аннотация: Предложен и экспериментально проверен метод определения толщины базовых областей n-p-n-транзисторов И2Л элементов по заданному напряжению "прокола" базы. Изготовлены и исследованы И2Л элементы.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/
Найти похожие

19.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/М 268
Автор(ы) : Марков О. И.,
Заглавие : Повышение эффективности ветви термоэлемента при линейном законе распределения концентрации носителей / О. И. Марков
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 140 (5 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термоэлементы--температурные поля--ветви термоэлементов--термоэлектрическая добротность
Аннотация: Численно решена одномерная граничная задача по определению стационарного температурного поля ветви термоэлемента в режиме максимального температурного перепада в интервале температур горячего конца ветви 100-300 K. В расчете учтены эффект Томсона, распределенный эффект Пельтье и температурная зависимость подвижности носителей заряда. Проведена оптимизация по току и концентрации носителей.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/
Найти похожие

20.

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.38/Н 553
Автор(ы) : Несмелова И. М., Цицина Н. П., Андреев В. А.,
Заглавие : Неохлаждаемые термочувствительные элементы на основе кристаллических полупроводников / И. М. Несмелова, Н. П. Цицина, В. А. Андреев
Место публикации : Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 143 (4 назв. )
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термочувствительные элементы--антимонид индия--болометрические элементы
Аннотация: На примере монокристаллов антимонида индия рассмотрена возможность создания неохлаждаемых термочувствительных элементов для ИК области спектра. Рассчитаны оптимальные электрические параметры InSb для получения болометрических элементов с максимальной чувствительностью. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными на термодатчиках из антимонида индия.
Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)