Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (3)

Труды ОмГУ (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)

Общее количество найденных документов : 291
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/С 173
Автор(ы) : Самойленко З. А., Пушенко Е. И., Ивахненко Н. Н., Варюхин В. Н., Прудников А. М., Шалаев Р. В.,
Заглавие : Влияние электромагнитного облучения на фазовый состав кластеризованных пленок CN[x] / З. А. Самойленко, Е. И. Пушенко, Н. Н. Ивахненко, В. Н. Варюхин и др
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. С. 57-62. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 62 (10 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электромагнитное облучение--аморфные пленки--фазовый состав--кластеризованные пленки--рентгеноструктурный анализ--кластеры--графит--карбонитрид--нитрид углерода--алмазоподобные пленки--алмаз
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии видимого диапазона исследовано влияние электромагнитного облучения белым и ультрафиолетовым (УФ) светом на фазовый состав аморфных пленок CN[x]. Пленки имели разномасштабный атомный порядок в виде аморфных (30 Angstrem) кластеров графитовой фазы, кристаллических кластеров 50-100 Angstrem графитовой, алмазной и карбонитридной фаз и межкластерной среды с ближним атомным порядком 1-2 Angstrem. Показано, что облучение растущей поверхности пленок белым светом стимулирует рост мелких кластеров графитовой фазы. Облучение УФ светом подавляет развитие кластеров графитовой и карбонитридной фаз, стимулируя преимущественный рост (1. 5%) алмазной фазы. Показано, что изменение мезоскопического фазового состава пленок CN[x] вызывает изменение ширины запрещенной зоны для видимой области спектра от E[g]=0. 75 eV для пленок, облученных белым светом до E[g]=1. 75 eV при облучении слоев УФ-светом.
Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p57-62.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Б 772
Автор(ы) : Бойков Ю. А., Данилов В. А.,
Заглавие : Электрофизические параметры c-ориентированных пленок Bi[2]Te[3] с низкой концентрацией антиструктурных дефектов / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. С. 63-67. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 67 (9 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): c-ориентированные пленки--эпитаксиальные пленки--теллурид висмута--электропроводность--метод горячей стенки--тонкие пленки
Аннотация: Эпитаксиальные c-ориентированные пленки Bi[2]Te[3] толщиной 1. 2 mum выращены методом горячей стенки при низком пересыщении паровой фазы над поверхностью слюдяных подложек. Параметры a=4. 386 и c=30. 452 Angstrem гексагональной элементарной ячейки выращенных пленок практически совпадали с соответствующими параметрами стехиометрических объемных кристаллов теллурида висмута. При T=100 K холловская концентрация электронов в пленках имела значения порядка 8*10{18} cm{-3}, а максимальные значения коэффициента термоэдс (alpha~280 muV*K{-1}) наблюдались при температурах порядка 260 K. В условиях примесной проводимости электропроводимость sigma пленок возрастала с уменьшением температуры обратно пропорционально ее квадрату. В интервале температуры 100-200 K параметр термоэлектрической мощности alpha{2}xsigma пленок Bi[2]Te[3] имел значения 80-90 muW*cm{-1}K{-2}.
Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p63-67.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Ш 150
Автор(ы) : Шагаев В. В.,
Заглавие : О влиянии подложки на ширину линии ферромагнитного резонанса в пленках бариевого феррита / В. В. Шагаев
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. С. 68-71. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 71 (4 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ферромагнитный резонанс--бариевые ферриты--ферриты--ферритовые пленки--волноводы--резонансное поглощение энергии
Аннотация: Развита теория взаимодействия ферритовой пленки на подложке с полем короткозамкнутого волновода. Выведены соотношения, объясняющие влияние подложки на характеристики резонансного поглощения энергии возбуждающего поля. Приведены результаты исследований ферромагнитного резонанса в пленках бариевого феррита. Пленки были приготовлены специальным образом и имели форму маленьких дисков на прямоугольных подложках. Обнаружена существенная зависимость ширины резонансной кривой от диаметра дисков.
Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p68-71.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/С 324
Автор(ы) : Сердобинцев А. А., Бурылин Е. И., Веселов А. Г., Кирясова О. А., Джумалиев А. С.,
Заглавие : Показатель преломления и постоянная решетки пленок оксида цинка, модифицированных в низкотемпературной плазме / А. А. Сердобинцев, Е. И. Бурылин, А. Г. Веселов, О. А. Кирясова, А. С. Джумалиев
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. С. 83-85. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 77 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): показатель преломления--постоянная решетки--оксид цинка--гомогенные структуры--тонкие пленки--модифицированные пленки
Аннотация: Исследованы кристаллографические и оптические свойства пленок ZnO, полученных в области рекомбинационного горения низкотемпературной плазмы. Определен показатель преломления и установлена его корреляция с постоянной решетки по оси c. Получена планарная гомогенная структура из двух пленок ZnO с разными показателями преломления, на примере которой показаны возможные области практического использования.
Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p83-85.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Б 725
Автор(ы) : Бобров К. Е., Болтачев Г. Ш., Зубарев Н. М., Зубарева О. В.,
Заглавие : Стационарная конфигурация заряженной поверхности проводящей жидкости в длинноволновом пределе / К. Е. Бобров, Г. Ш. Болтачев, Н. М. Зубарев, О. В. Зубарева
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. С. 15-20. - ISSN 0207-3528. - ISSN 0207-3528
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гравитационные силы--электростатические силы--задача о равновесной конфигурации поверхности--проводящая жидкость--внешнее электрическое поле
Аннотация: На основе анализа условий баланса гравитационных и электростатических сил построено частное решение задачи о равновесной конфигурации поверхности проводящей жидкости во внешнем электрическом поле. Решение представляет собой коническую лунку с равным 136. 26 градусом углом раствора. Рассмотрена возможность обобщения полученного точного решения на случай диэлектрической жидкости.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Б 825
Автор(ы) : Борисов И. С., Гуськов Б. Л., Концевой Ю. А.,
Заглавие : Прецизионное измерение удельного сопротивления кремниевых пластин / И. С. Борисов, Б. Л. Гуськов, Ю. А. Концевой
Место публикации : Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 4. - С. С. 30-32. - ISSN 1028-6861. - ISSN 1028-6861
Примечания : Библиогр.: с. 32 (4 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые пластины--удельное сопротивление--измерение удельного сопротивления--четырехзондовый метод--тест-структуры--тестовые структуры--тест-контакты
Аннотация: Описан метод прецизионного определения удельного сопротивления кремниевых пластин, основанный на применении специальных тестовых структур, изготовленных при использовании стандартных процессов планарной технологии: окисления, фотолитографии, диффузии и металлизации.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Ч-497
Автор(ы) : Чернышов В. Н.,
Заглавие : Анализ условий в гетероструктурах / В. Н. Чернышов
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. С. 39-44. - ISSN 0021-3411. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 44 (6 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерограницы--гетероструктуры--граничные условия в гетероструктурах--метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Р 693
Автор(ы) : Романов А. Н.,
Заглавие : Влияние высоко гигроскопичных солей на диэлектрические свойства засоленных грунтов в дециметровом диапазоне / А. Н. Романов
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 3. - С. С. 324-326. - ISSN 0033-8494. - ISSN 0033-8494
Примечания : Библиогр.: с. 326 (8 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрические свойства грунтов--засоленные грунты--гигроскопические соли
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние засоленности и объемной влажности на диэлектрические свойства засоленных песчаных грунтов, содержащих высоко гигроскопическую соль CaCl. Установлен новый тип поведения диэлектрических свойств засоленных грунтов в области связанной воды.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/К 489
Автор(ы) : Клещенко В. Н., Комаров С. А., Миронов В. Л.,
Заглавие : Модельное описание диэлектрической проницаемости засоленных грунтов / В. Н. Клещенко, С. А. Комаров, В. Л. Миронов
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 5. - С. С. 599-605. - ISSN 0033-8494. - ISSN 0033-8494
Примечания : Библиогр.: с. 605 (7 назв. )
УДК : 537.311.33 + 533.9
ББК : 22.379 + 22.333
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрическая проницаемость грунтов--засоленные грунты--модель дебая--дебая модель
Аннотация: Построено модельное описание комплексной диэлектрической проницаемости влажных засоленных грунтов в микроволновом диапазоне. За основу взята рефракционная модель с учетом содержания связанной воды и модель Дебая для почвенного раствора с эмпирическими зависимостями дебаевских констант от температуры и засоленности. Введены коэффициенты, определяющие долю растворенной соли в связанной воде, находящейся в грунте. Получены формулы зависимости засоленности почвенного раствора от влажности в области свободной воды и явная связь коэффициентов модели Дебая с влажностью в области свободной воды для засоленного грунта. В результате формулы рефракционной модели приобретают нелинейный характер зависимости от влажности. Получено соответствие между развитым модельным представлением и результатами эксперимента на частотах 0. 6, 1. 11 и 1. 43 ГГц для песка и бетонита при дозированном засолении NaCl.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Г 142
Автор(ы) : Гайдук В. И., Цейтлин Б. М.,
Заглавие : О связи между структурой и дальними ИК-спектрами воды / В. И. Гайдук, Б. М. Цейтлин
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 6. - С. С. 645-655. - ISSN 0033-8494. - ISSN 0033-8494
Примечания : Библиогр.: с. 655 (31 назв. )
УДК : 537.311.33 + 535.33
ББК : 22.379 + 22.344
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Спектроскопия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектры легкой воды--ик-спектры воды--спектры тяжелой воды--диэлектрическая проницаемость--механизмы дисперсии--упругие колебания
Аннотация: В терминах модели гармонических осцилляторов рассмотрен диэлектрический отклик упругих колебаний молекул воды вдоль водородной связи. Показано, что этот отклик приходится на субмиллиметровый диапазон, а также на трансляционную полосу в дальней ИК-области спектра. Представлен результат аналитического расчета спектра диэлектрической проницаемости легкой и тяжелой воды в широкой области 0... 1000 см в минус первой степени ориентационной/трансляционной релаксации, включающей, помимо двух упомянутых полос, микроволновую дебаевскую и дальнюю ИК-либрационную. Применительно к последней полосе добавочно рассмотрено либрационное движение жестких диполей в сравнительно узкой и глубокой "шляпной" потенциальной яме. Схематически представлены конфигурации молекул, в которых могут возникнуть такие либрации. Изложена концепция, связывающая диэлектрические свойства воды с перескоком протона от одной Н-связанной молекулы к другой.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Р 458
Автор(ы) : Рехвиашвили С. Ш.,
Заглавие : О размерных свойствах электронного газа / С. Ш. Рехвиашвили
Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. С. 453-458. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230
Примечания : Библиогр.: с. 458 (13 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергия ферми--ферми энергия--электронный газ--квантово-статистическая модель--электропроводность
Аннотация: Рассмотрена статистическая модель невзаимодействующих электронов. В рамках предложенной модели получены выражения для энергии Ферми, концентрации, теплоемкости и электропроводности электронного газа.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/Г 610
Автор(ы) : Головань Л. А., Кашкаров П. К., Тимошенко В. Ю,
Заглавие : В решетке поплыли они / Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, В. Ю Тимошенко
Место публикации : Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 4. - С. С. 6-11. - ISSN 1727-5903. - ISSN 1727-5903
Примечания : Библиогр.: с. 11 (3 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--нанокомпозитные среды--пористые полупроводники--нанокристаллы--полупроводниковые решетки--анизотропия--пористый кремний
Аннотация: Замечательный пример нанокомпозитов - пористые полупроводники. При некоторых режимах химической обработки кристаллических полупроводников в них возникает множество пор, диаметри которых зависит от свойств исходного кристалла, состава травителя, плотности тока травления и иных факторов.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 025.4/Б 435
Автор(ы) : Белоозеров, Виктор Николаевич, Шабурова, Наталья Николаевна,
Заглавие : Классификационные системы как средство поиска информации по физике полупроводников / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова
Серия: Информатика
Место публикации : Библиосфера. - 2008. - N 3 (июль-сентябрь). - С. С. 34-42. - ISSN 1815-3186. - ISSN 1815-3186
Примечания : Библиогр.: с. 42
УДК : 025.4 + 537.311.33
ББК : 73 + 22.379
Предметные рубрики: Информатика
Информационно-поисковые языки
Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): библиографическая классификация--классификационный поиск--узкотематический поиск--информационно-поисковые языки--лингвистическое обеспечение
Аннотация: Приводится сопоставление четырех библиографических классификаций с точки зрения их возможностей в проведении узкотематического поиска информации. Обосновывается совместное использование различных классификаций для более точного поиска данных. Предлагается участие библиотек НИИ СО РАН в работе специализированной службы ВИНИТИ РАН по ведению и анализу классификационных схем.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/Е 702
Автор(ы) : Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС), Жилиндина, Ольга Викторовна,
Заглавие : Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик / И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина
Серия: Физика и материаловедение
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43. Естеств. и экон. науки. - С. С. 19-22
Примечания : Библиогр.: с. 22 (6 назв. )
УДК : 539.2 + 537.311.33
ББК : 22.37 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): керамика--математические модели--керамические диэлектрики--корундовая керамика--диэлектрические спектры керамики--диэлектрическая проницаемость--композиционные электрокерамики--методики расчета
Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гаврилова Н. Д., Димитрова О. В., Лотонов А. М., Моченова Н. Н., Новик В. К.
Заглавие : О роли кристаллизационной воды в электропроводности синтетических боратов
Серия: Физика конденсированного состояния вещества
Место публикации : Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2008. - N 2. - С.44-48: Рис. - ISSN 0201-7385. - ISSN 0201-7385
Примечания : Библиогр.: c. 48 (7 назв. )
УДК : 537.3 + 537.311.33
ББК : 22.332 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дисперсия диэлектрической проницаемости--кристаллизационная вода--синтетические бораты--электропроводность--электрофизические свойства
Аннотация: Впервые представлены результаты исследования дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости кристаллов, в которых водная компонента присутствует в различном виде: gamma-HBO[2], Ca[2]B[6]O[11] H[2]O, La[B[5]O[8]] (OH) [2] 1, 5H[2]O и TRB[6]O[9] (OH) [3] - (TR - Tb, Tu). Данные соединения были синтезированы в гидротермальных условиях при T = 270-280 С и P = 70-100 атм. В зависимости от формы вхождения водной компоненты в структуру соединений наблюдается различное температурно-частотное поведение электрофизических свойств исследованных объектов. Измерения проведены в интервале частот 10[-2] : 10[6] Гц и температур -20 : +140 C.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Галкин Н. Г., Горошко Д. Л., Чусовитин Е. А., Полярный В. О., Баязитов Р. М., Баталов Р. И.
Заглавие : Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур
Серия: Оптика, квантовая электроника
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С.84-90. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 90 (18 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксия--кремний--ионная имплантация--очистка кремния--импульсная ионная обработка--реконструированные поверхности--дисилицид железа--атомарно-гладкие поверхности--эпитаксиальные пленки--гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Вязовский М. В., Сыроедов Г. А.
Заглавие : Многофотонное внутризонное поглощение электромагнитной волны и вынужденное рассеяние на оптических фононах в сверхрешетке
Серия: Радиофизика
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С.108-112. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 112 (16 назв. )
УДК : 537.311.33 + 535.2/.3
ББК : 22.379 + 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поглощение электромагнитных волн--рассеяние фононов--многофотонное поглощение света--многофотонное рассеяние света--сверхрешетки--фононы
Аннотация: Рассмотрены внутриминизонное многофотонное поглощение электромагнитной волны (ЭМВ) и вынужденное рассеяние на оптических фононах в полупроводниковой сверхрешетке. Найден коэффициент поглощения без привлечения квантового кинетического уравнения. Построен график поглощаемой энергии в зависимости от величины электрического поля ЭМВ, из которого видно, что поглощаемая энергия с ростом электрического поля, достигнув максимума, уменьшается и при этом осциллирует. Дано объяснение такой зависимости поглощаемой энергии от величины поля ЭМВ. Показано, что при выполнении условия eEd= h*omega необходимо учитывать многофотонное поглощение. Показано, что при многофотонном вынужденном рассеянии на оптических фононах в сверхрешетках появляются гармоники рассеянного света с частотой как большей, так и меньшей частоты падающего света. Найдены парциальные сечения рассеяния и построены графики зависимостей от напряженности поля падающей ЭМВ.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рейх К. В., Эйдельман Е. Д., Дидейкин А. Т., Вуль А. Я.
Заглавие : Определение оптимального вакуума при полевой эмиссии из алмазоподобной пленки
Серия: Поверхность, электронная и ионная эмиссия
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С.119-122. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 121-122 (11 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевая эмиссия--алмазоподобные пленки--эмиссия электронов--вакуум--ударная ионизация--dlc-пленки
Аннотация: Предложена модель, объясняющая эффект аномально высокой полевой эмиссии электронов из алмазоподобных пленок при низком вакууме. Показано, что эффект связан с образованием на пленке заряда положительных ионов, возникающих из-за ионизации остаточных газов в межэлектродном пространстве. Определена величина вакуума, соответствующая максимальному току эмиссии.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Байков Ю. М.
Заглавие : Новые ионные гетероструктуры "Неорганический протонный проводник-гидрируемый металл"
Серия: Краткие сообщения
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С.134-136. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 136 (7 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--ионные гетероструктуры--гидрируемые металлы--протонные проводники--протонные гетеропереходы--гетеропереходы--электрохимическая активация
Аннотация: Гетероструктуры "гидрируемый металл-протонный проводник" особо интересны и для фундаментальных исследований и прикладных разработок в связи с формированием в них протонных гетеропереходов типа "PdH[x]|KOH. nH[]2O". В продолжение этих исследований проведены синтез и изучение оригинальных гетероструктур "Pd| (NaOH+KOH) |Pd", "Pd|CsHSO[4]|Pd[2], "Ti|KOH. H[2]O|C", "Ti|KOH. H[2]O|Ti" (все в области 320-430 K). После электрохимической активации и в зависимости от физико-химических условий между электродами гетероструктур возникает устойчивая разность потенциалов величиной от 0. 8 до 1. 4 V, часть которой (для электродов из Pd ~0. 8, из Ti - 0. 1-0. 2 V) обусловлена протонными гетеропереходами, кинетическая обратимость которых установлена.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Абдулвахидов К. Г., Витченко М. А., Мардасова И. В., Ошаева Э. Н.
Заглавие : Свойства сегнетокерамики PbSc[0. 5]Ta[0. 5]O[3], полученной из ультрадисперсного порошка
Серия: Краткие сообщения
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С.131-133. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 133 (10 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сегнетокерамика--ультрадисперсные порошки--рентгеноструктурный анализ--релаксорная сегнетокерамика--сдвиговая деформация--наковальни бриджмена--бриджмена наковальни
Аннотация: Рентгеноструктурным и диэлектрическим методами изучена релаксорная сегнетокерамика PbSc0. 5Ta0. 5O3, полученная из ульрадисперсного порошка, спеканию которой предшествовала обработка синтезированного материала в наковальнях Бриджмена силовым воздействием в сочетании со сдвиговой деформацией. Показано, что с помощью этого метода можно управлять степенью упорядочения и диэлектрическими свойствами керамики, не подвергая ее длительным высокотемпературным отжигам.
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)