Поисковый запрос: (<.>K=фотоэлектрические преобразователи<.>) |
Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Шевалеевский О. И. Моделирование спектра действия фототока в молекулярном солнечном элементе: эффект объемной фотопроводимости/О. И. Шевалеевский // Доклады Академии наук, 2004. т.Т. 398,N N 4.-С.506-509
|
2.
| Горбунов Н. А. Качественная модель плазменного фотоэлектрического преобразователя/Н. А. Горбунов, G. Flamant // Журнал технической физики, 2009. т.Т. 79,N N 1.-С.72-81
|
3.
| Оптимизация параметров солнечных модулей на основе линзовых концентраторов излучения и каскадных фотоэлектрических преобразователей/В. М. Андреев [и др. ] // Журнал технической физики, 2010. т.Т. 80,N N 2.-С.118-125
|
4.
| Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs/С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43, вып:вып. 4.-С.537-541
|
5.
| Бобренко Ю. Н. Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS/Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43, вып:вып. 6.-С.830-835
|
6.
| Дубровский В. Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения/В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43, вып:вып. 12.-С.1585-1628
|
7.
| Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей/В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 44, вып:вып. 6.-С.801-806
|
8.
| Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями/Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 44, вып:вып. 8.-С.1114-1117
|
9.
| Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge/Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 46, вып:вып. 11.-С.1568-1576
|
10.
| Лунин Л. С. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb/Л. С. Лунин, А. С. Пащенко // Журнал технической физики, 2011,N Т. 81, N 9.-С.С. 71-76
|
11.
| Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота/Н. Т. Гурин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики", 2011,N Т. 37, вып. 6.-С.С. 57-62
|
12.
| Фотоэлектрические свойства пленочных гетероструктур на основе поли-N-эпоксипропилкарбазола и мероцианинового красителя/Н. А. Давиденко [и др.] // Письма в "Журнал технической физики", 2012,N Т. 38, вып. 20.-С.С. 30-37
|
13.
| Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей/С. А. Блохин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики", 2012,N Т. 38, вып. 22.-С.С. 43-49
|
14.
| Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов/М. А. Минтаиров [и др.] // Физика и техника полупроводников, 2012,N Т. 46, вып. 8.-С.С. 1074-1081
|
15.
| Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия/Ф. Ю. Солдатенков [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2011,N Т. 45, вып. 9.-С.С. 1266-1273
|
16.
| Высокоэффективный (eta=39. 6%, AM 1. 5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения/В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2011,N Т. 45, вып. 6.-С.С. 810-815
|
17.
| Хируненко Л. И. Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора/Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 2.-С.С. 233-238
|
18.
| Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be/А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 6.-С.С. 797-801
|
19.
| Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe/Ю. Н. Бобренко [и др.] // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 10.-С.С. 1381-1384
|
20.
| Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей alpha-Si:H/muc-Si:H при повышенной освещенности/О. И. Честа [и др.] // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 10.-С.С. 1385-1390
|
|
|
|
Электронные ресурсы
Электронный каталог
Стандартный