Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=стеклообразные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/Т 787
Автор(ы) : Трунов М. Л.,
Заглавие : Поляризационно-зависимый лазерно-индуцированный гигантский массоперенос в стеклообразных полупроводниках / М. Л. Трунов
Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. С. 365-369. - ISSN 0370-274X. - ISSN 0370-274X
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поляризационно-зависимый массоперенос--лазерно-индуцированный массоперенос--гигантский массоперенос--полупроводники--стеклообразные полупроводники--халькогенидное стекло--фотопластический эффект
Аннотация: Получены прямые экспериментальные доказательства справедливости двухфазной модели халькогенидного стекла. Показано, что в пленках стеклообразных полупроводников, проявляющих отрицательный фотопластический эффект, облучение поляризованным светом вызывает гигантский массоперенос в направлении, перпендикулярном вектору поляризации падающего света. Отмечено, что в пленках при облучении возникает поверхностный рельеф, вид которого зависит от состояния поляризации лазера. Представлена макроскопическая модель, качественно описывающая наблюдаемое явление.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трунов М. Л., Биланич В. С., Дуб С. Н.
Заглавие : Лазерно-индуцированные коллективные эффекты в пленках стеклообразных полупроводников
Место публикации : Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 16. - С.46-53. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазерно-индуцированные эффекты--стеклообразные полупроводники--диссипативные структуры--синергетические методы
Аннотация: Фотоиндуцированные изменения структуры пленок стеклообразных полупроводников рассмотрены с точки зрения теории самоорганизации - формирования диссипативных структур и их последующей трансформации при лазерном облучении, приводящей систему к минимуму рассеяния энергии внешнего механического поля. Методом циклического наноиндентирования пленок халькогенидного стекла стехиометрического состава As[2]Se[3], облучаемых светом из области края поглощения (hnu больше равно E[g]), получены прямые экспериментальные доказательства наличия коллективных (синергетических) процессов такой самоорганизации.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трунов М. Л., Биланич. В. С., Дуб С. Н.
Заглавие : Исследование фотопластического эффекта в стеклообразных полупроводниках методом циклического наноиндентирования
Серия: Дефекты и примесные центры. Дислокации. Физика прочности
Место публикации : Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С.1978-1983. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1983 (27 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотопластический эффект--стеклообразные полупроводники--метод циклического наноиндентирования--внутреннее трение--модуль юнга--юнга модуль--вязкость--нанотвердость
Аннотация: Исследована динамика фотоиндуцированных изменений внутреннего трения и модуля Юнга в пленках системы As-Se методом циклического наноиндентирования на инфранизких частотах. Обнаружены эффекты возрастания модуля Юнга и затормаживания релаксационных процессов в пленках при облучении при одновременном уменьшении вязкости и нанотвердости материала. Полученные результаты обсуждаются в рамках концепции микрогетерогенного строения стекла.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Настас А. М., Андриеш А. М., Бивол В. В., Присакар А. М., Тридух Г. М.
Заглавие : Влияние зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на процессы образования голографических дифракционных решеток
Серия: Краткие сообщения
Место публикации : Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 2. - С.139-142. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 142 (13 назв. )
УДК : 539.21:535
ББК : 22.374
Предметные рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): халькогенидные полупроводники--стеклообразные полупроводники--коронные разряды--голографические дифракционные решетки--дифракционные решетки--тонкие пленки
Аннотация: Исследованы процессы регистрации оптических голографических интерференционных решеток на основе фотоструктурных превращений в тонкопленочных (~1 mum) полупроводниковых слоях As[2]S[3] и As[2]Se[3] как в поле коронного разряда, так и без него, а также процесс химического травления образованных голографических дифракционных решеток. Показано, что использование коронного разряда на стадии записи интерференционных решеток приводит к улучшению экспозиционно-контрастной характеристики тонкослойных структур металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник. Голографическая чувствительность, дифракционная эффективность, динамический диапазон и контраст в несколько раз улучшаются. При селективном химическом травлении дифракционных решеток, сформированных в этих полупроводниковых слоях, в присутствии коронного разряда происходит увеличение степени регулярности протравленных рельефно-фазовых голографических дифракционных решеток, увеличение глубины их рельефа на 25-30% и дифракционной эффективности на 30-50%.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Биланич В. С., Онищак В. Б., Макауз И. И., Ризак В. М.
Заглавие : Внутреннее трение в стеклообразных полупроводниках системы Ge-As-Se
Серия: Полупроводникми. Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С.1698-1706. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1706 (9 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): стеклообразные полупроводники--внутреннее трение--процессы релаксации в стеклах
Аннотация: Методом внутреннего трения исследованы процессы релаксации в стеклах системы Ge-As-Se. В области температур 180-280 K выявлен релаксационный процесс, который может быть классифицирован как beta-процесс релаксации. Сделано предположение о том, что изменение величины максимума внутреннего трения в этом температурном интервале в зависимости от химического состава связано с изменением концентрации структурных единиц, обусловливающих beta-релаксацию в данных материалах. Обнаружено интенсивное возрастание энергии активации alpha-процесса релаксации исследованных стекол системы Ge-As-Se в области среднего координационного числа Z = 2. 6.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/У 677
Автор(ы) : Яковлев С. А., Певцов А. Б., Фомин П. В., Мелех Б. Т., Трофимова Е. Ю., Курдюков Д. А., Голубев В. Г.,
Заглавие : Управление оптическим откликом пленочных гибридных структур опал/Ge[2]Sb[2]Te[5] / С. А. Яковлев, А. Б. Певцов, П. В. Фомин и др
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. С. 78-86: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 85-86 (15 назв.)
УДК : 539.2 + 535.2/.3
ББК : 22.37 + 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические отклики--гибридные структуры--пленочные структуры--пленочные гибридные структуры--синтезированные структуры--кристаллы--фотонные кристаллы--опалы--полупроводники--стеклообразные полупроводники--халькогенидные стеклообразные полупроводники--свет--отражение света--дифракционные аномалии--аномалии вуда--вуда аномалии--резонансное возгорание--резонансные отклики--фазовые переходы--температурные воздействия--аморфное кристаллическое состояние--опаловые пленки
Аннотация: Синтезированы пленочные гибридные структуры - фотонный кристалл (опал) /халькогенидный стеклообразный полупроводник (Ge[2]Sb[2]Te[5]), в которых продемонстрировано сильное изменение сигнала отражения света, обусловленное резонансным возгоранием дифракционной аномалии (аномалии Вуда). Предложен и реализован способ управления резонансным оптическим откликом гибридных структур за счет индуцированного температурным воздействием фазового перехода аморфное кристаллическое состояние в пленке Ge[2]Sb[2]Te[5].
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p78-86.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.21:535/О-627
Автор(ы) : Кавецкий Т. С., Валеев В. Ф., Нуждин В. И., Цмоць В. М., Степанов А. Л.,
Заглавие : Оптические свойства халькогенидных стекол с ионно-синтезированными наночастицами меди / Т. С. Кавецкий, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин и др
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 23. - С. С. 11-18: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 18 (18 назв.)
УДК : 539.21:535 + 537.311.33
ББК : 22.374. Таблицы для массовых библиотек + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): стекла--халькогенидные стекла--оптические свойства--медь--наночастицы--ионно-синтезированные наночастицы--ионы--имплантация--энергия--облучение--ток--плотность тока--ионные пучки--подложки--полупроводники--стеклообразные полупроводники--халькогенидные стеклообразные полупроводники--композиционные слои--анализ слоев--оптическое пропускание--линейное оптическое пропускание--нелинейно-оптическое поглощение--метод z-сканирования--длины волн--импульсы--лазерные излучения--мощность--облученные материалы--спектры пропускания--плазмонный резонанс--оптический резонанс--приповерхностные области--нелинейные поглощения
Аннотация: Проведена имплантация ионами Cu{+} с энергией 40 keV при дозе облучения 1. 5·10{17} ion/cm{2} и фиксированной плотности тока в ионном пучке 1 muA/cm{2} подложек халькогенидных стеклообразных полупроводников As[2]S[3] и Ge[15. 8]As[21]S[63. 2]. Анализ композиционных слоев осуществлялся измерением линейного оптического пропускания, а также регистрацией нелинейно-оптического поглощения методом Z-сканирования на длине волны 780 nm при зондирующем лазерном излучении импульсами 150 fs и мощностью от 25 до 100 mW. Для облученных материалов установлено: 1) появление в спектрах линейного пропускания характерной полосы оптического поверхностного плазмонного резонанса, указывающей на формирование в приповерхностной области наночастиц меди; 2) наличие одновременно насыщенного и двухфотонного нелинейных поглощений, последнее доминирует при повышении мощности лазерного излучения.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/23/p11-18.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.21:537/О-754
Автор(ы) : Фефелов С. А., Казакова Л. П., Козюхин С. А., Цэндин К. Д., Арсова Д., Памукчиева В.,
Заглавие : Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge[2]Sb[2]Te[5] при использовании измерительной цепи с источником тока / С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин и др.
Коллективы : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С. М. Кирова, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Институт физики твердого тела БАН, Институт физики твердого тела БАН
Серия: Твердотельная электроника
Место публикации : Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 4. - С. С. 80-84. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 84 (14 назв. )
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вольт-амперные характеристики--тонкие пленки--стеклообразные полупроводники--измерительные цепи с источником тока--измерительные цепи с генератором напряжения--генераторы тока--эффект образования памяти--напряжение поддержки--фазовые переходы--ограничение тока канала проводимости--каналы проводимости--колебания проводимости
Аннотация: Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр - U[hold] (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь U[hold] с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/04/p80-84.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/Р 680
Автор(ы) : Алекберов Р. И., Исаев А. И., Мехтиева С. И., Исаева Г. А.,
Заглавие : Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S / Р. И. Алекберов, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, Г. А. Исаева
Коллективы : Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку), Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку), Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку), Институт физики им. Г. М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана (Баку)
Серия: Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. С. 818-822: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 821 (34 назв.)
УДК : 539.2 + 621.315.592
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек + 31.233
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): самарий--sm--халькогениды--стеклообразные полупроводники--комбинационное рассеяние--рассеяние света--легирование самарием--химическая активность
Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10-100, 195-290, 290-404, 420-507 см{-1} и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As-Se-S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p818-822.pdf
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)