Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=резонансно-туннельные диоды<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Абрамов И.И., Королев А.В.,
Заглавие : Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды / И.И. Абрамов, А.В. Королев
Место публикации : Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: с.132-133 (40 назв.)
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансно-туннельные диоды--приборные структуры--многозначная логика--преобразователи частоты--генераторы сигналов--взрывчатые вещества
Аннотация: С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC-RTS-NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/А 161
Автор(ы) : Абрамов И. И., Гончаренко И. А., Коломейцева Н. В.,
Заглавие : Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. С. 1395-1400. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика
Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоды--резонансно-туннельные диоды--двухзонная модель диода
Аннотация: Предложена комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Ее главная особенность - возможность учета взаимодействия различных классических и квантово-механических областей прибора при одновременном учете Г-X-междолинного рассеяния. Показано, что с помощью модели можно получить удовлетворительное согласование с экспериментальными данными по вольт-амперным характеристикам и объяснить область "плато" на этих характеристиках в рамках стационарной модели.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ремнев М. А., Катеев И. Ю., Елесин В. Ф.
Заглавие : Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода
Серия: Низкоразмерные системы
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С.1068-1073: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1072-1073 (21 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансно-туннельные диоды--ртд--спейсерные слои--вольт-амперные характеристики--вах--спейсеры эмиттера--уравнения шредингера--шредингера уравнения--отрицательная дифференциальная проводимость--одп--двуямная наноструктура--днс
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Казаков И. П., Глазырин Е. В., Савинов С. А., Цехош В. И., Шмелев С. С.
Заглавие : Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания
Серия: XIV Ежегодный международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника-2010"
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С.1489-1493: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1493 (11 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--слои--анизотропное отражение--ао--резонансно-туннельные диоды--ртд--гетерограницы--активные области--буферные слои--вольт-амперные характеристики--вах--выращивание гетероструктур--оптическая диагностика
Аннотация: Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением "пик-долина" и плотностью пикового тока, равными 3. 3 и 6. 6 x 10{4} А/см{2} соответственно.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.1/.2/Е 508
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Ремнев М. А., Катеев И. Ю.,
Заглавие : Моделирование влияния межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. С. 67-72. - ISSN 0201-7385. - ISSN 0201-7385
Примечания : Библиогр.: c. 72 (15 назв. )
УДК : 620.1/.2
ББК : 30.3. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Техника
Материаловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые приборы--межэлектронное взаимодействие--пуассона уравнения--резонансно-туннельные диоды--ртд--спейсеры--уравнения пуассона--уравнения шредингера--шредингера уравнения
Аннотация: При помощи самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследовано влияние межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода (РТД) со спейсерными слоями. Было показано, что межэлектронное взаимодействие существенно влияет на вольт-амперные характеристики РТД, в частности уменьшает плотность пикового тока и смещает положение максимумов на зависимости пикового тока от размера спейсера эмиттера. Также было показано, что гистерезис на вольт-амперных характеристиках РТД при определенных размерах спейсеров пропадает.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/В 253
Автор(ы) : Вдовин Е. Е., Ханин Ю. Н., Хенини М.,
Заглавие : Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини
Место публикации : Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 8. - С. С. 581-587
УДК : 538.9
ББК : 22.3. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансное туннелирование--магнитотуннелирование--квантовые ямы--туннельные каналы--кулоновское взаимодействие--резонансно-туннельные диоды
Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование через нульмерные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. Обнаружена аномальная температурная зависимость резонансов туннелирования через некоторые из таких состояний, которая не может быть объяснена с точки зрения традиционных представлений о туннелировании через невзаимодействующие каналы. Предложена модель, предполагающая наличие динамического кулоновского взаимодействия основного резонансно-туннельного канала с параллельным неупругим каналом, дающая качественное описание полученной в эксперименте аномальной зависимости. Приложение слабого магнитного поля разрушает режим динамической блокады канала туннелирования.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/К 220
Автор(ы) : Карева Г. Г., Векслер М. И.,
Заглавие : Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p{+}-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод / Г. Г. Карева, М. И. Векслер
Коллективы : Санкт-Петербургский государственный университет, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)
Серия: Физика полупроводниковых приборов
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. С. 1087-1093: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1092-1093 (15 назв.)
УДК : 539.2 + 621.315.592
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек + 31.233
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электрофизические явления--металл-диэлектрик-полупроводник--мдп--кремниевая электроника--резонансно-туннельные диоды--ртд--квантовые ямы--кя--уровни легирования--кремний--si--наноокислы--резонансное туннелирование электронов--туннелирование электронов--электроны--наноструктуры--свойства наноструктуры--диоды--область пространственного заряда--опз
Аннотация: Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до N[A]~ 10{19} см{-3} и уменьшению толщины окисла до 0. 4-4. 0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.To investigate and develop novel silicon-based electronic components, the electro-physical effects in a metal-insulator- semiconductor (MIS) structure with nanometer size parameters, gained by enhancement of the silicon doping level up to N[A] ~ 10{19} cm? 3 and reduction of the oxide thickness down to 0. 4-4. 0 nm, have been studied. As a result of such changes, the MIS nanostructure satisfies necessary and sufficient conditions for the electron resonant tunneling that can be observed at relatively low (some volts) reverse biases. Thereby a MIS capacitor can be transformed into a resonant-tunneling diode with substantial extension of its properties and functions.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1087-1093.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/Ч-857
Автор(ы) : Чуенков В. А.,
Заглавие : Динамические характеристики двухбарьерных наноструктур с несимметричными барьерами конечной высоты и ширины в сильном переменном электрическом поле / В. А. Чуенков
Коллективы : Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)
Серия: Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. С. 1667-1676: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1676 (12 назв.)
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): двухбарьерные наноструктуры--наноструктуры--несимметричные барьеры--переменное электрическое поле--электрические поля--резонансно-туннельные диоды--ртд--волновые функции--туннелирование электронов--квантовые ямы--квантовые барьеры--предельные случаи--эмиттерные барьеры--коллекторные барьеры--генерация излучений--частоты--поляризация
Аннотация: Дано обобщение теории взаимодействия моноэнергетического потока инжектируемых электронов с сильным высокочастотным электрическим полем в резонансно-туннельных диодных структурах (РТД) с несимметричными барьерами конечной высоты и ширины. В квазиклассическом приближении найдены волновые функции и функция туннелирования электронов в квантовой яме и барьерах. Получены аналитические выражения для токов поляризации в РТД как в общем случае, так и в ряде предельных случаев. Показано, что в РТД с несимметричными барьерами токи поляризации и мощность излучения сильно зависят от соотношения вероятностей туннелирования электронов через эмиттерный и коллекторный барьеры. В квантовом режиме, когда delta=epsilon-epsilon[r]=homega намного больше Gamma (epsilon - энергия инжектируемых в РТД электронов, h - постоянная Планка, omega - частота переменного поля; epsilon[r] и Gamma - соответственно энергия и ширина резонансного уровня), активный ток поляризации достигает в поле E~2. 8homega/ea (e - заряд электрона, a - ширина квантовой ямы) максимального значения, равного по абсолютной величине 84% от постоянного резонансного тока, если вероятность туннелирования электронов через эмиттерный барьер много больше вероятности туннелирования через коллекторный барьер. Мощность генерации излучения на частотах omega=10{12}-10{13} с{-1} может достигать в этом случае 10{5}-10{6} Вт/см{2}.In semi-classical approximation it is obtained the electron wave functions, the tunneling function and polarized currents in nanostructures with double asymmetric barriers of fin it height and width in the presence of a alternative strong field. It is shown that in such nanostructures polarized currents depend strongly on the probabilities ratio of the electron tunneling through emission and collection barriers. If the probability of resonance tunneling for the emission barrier is much greater than that for the collection barrier, the active alternative resonance current in the field E = 2. 8~homega/ea (omega is frequency of alternative field, a - width quantum well) attains its maximal value, which constitutes 84% of the constant resonance current. In this case, the power of nonlinear response at frequency omega = 1013 s{-1} can attain 10{4}W/cm{2} and generation power - 10{6}W/cm{2}. If, however, the ratio of the tunneling probabilities for the emission and collection barriers is reverse, the active alternative resonance current, power of high frequency nonlinear response and generation power decrease one two orders of magnitude.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1667-1676.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/Г 340
Автор(ы) : Елесин В. Ф., Катеев И. Ю., Сукочев А. Ю., Безотосный И. Ю., Бежко М. П.,
Заглавие : Генерация низкочастотных высших гармоник в резонансно-туннельном диоде / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев и др.
Коллективы : Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Физико-технологический институт РАН (Москва), Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва)
Серия: Физика полупроводниковых приборов
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. С. 983-988: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 988 (12 назв.)
УДК : 539.2 + 621.315.592
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек + 31.233
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): низкочастотные гармоники--резонансно-туннельные диоды--адиабатические пределы--уравнения шредингера--шредингера уравнения--токи--электромагнитные поля--наноструктуры--квантовые структуры
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано поведение высших гармоник резонансно-туннельного диода в адиабатическом пределе. В рамках численного решения временного уравнения Шредингера с открытыми граничными условиями рассчитаны токи первых трех гармоник. Показано, что поведение токов качественно согласуется с экспериментальными данными и с результатами простой модели, используемой нами ранее. Показана возможность генерации электромагнитного поля на частотах, кратных номеру гармоники.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p983-988.pdf
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)