Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=резонансно-туннельные диоды<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Абрамов И.И. Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды // Журнал технической физики, 2001,N Т.71,N9
2.

Абрамов И. И. Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода/И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева // Физика и техника полупроводников, 2007,N Т. 41, вып. 11.-С.С. 1395-1400
3.

Ремнев М. А. Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода/М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 44, вып:вып. 8.-С.1068-1073
4.

Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания/И. П. Казаков [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 46, вып:вып. 11.-С.1489-1493
5.

Елесин В. Ф. Моделирование влияния межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями/В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев // Известия вузов. Физика, 2009,N Т. 52, N 11.-С.С. 67-72
6.

Вдовин Е. Е. Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами/Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012,N Т. 96, вып. 8.-С.С. 581-587
7.

Карева Г. Г. Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p{+}-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод/Г. Г. Карева, М. И. Векслер // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 8.-С.С. 1087-1093
8.

Чуенков В. А. Динамические характеристики двухбарьерных наноструктур с несимметричными барьерами конечной высоты и ширины в сильном переменном электрическом поле/В. А. Чуенков // Физика и техника полупроводников, 2013,N Т. 47, вып. 12.-С.С. 1667-1676
9.

Генерация низкочастотных высших гармоник в резонансно-туннельном диоде/В. Ф. Елесин [и др.] // Физика и техника полупроводников, 2014,N Т. 48, вып. 7.-С.С. 983-988
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)