Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=наноразмерные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 541.1/Б 825
Автор(ы) : Борисова Н. В., Суровой Э. П.,
Заглавие : Влияние термообработки на оптические свойства наноразмерных слоев МоО[3] / Н. В. Борисова, Э. П. Суровой
Место публикации : Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2007. - Т. 50, вып. 12. - С. С. 58-62. - ISSN 0579-2991. - ISSN 0579-2991
Примечания : Библиогр.: с. 62 (25 назв. )
УДК : 541.1
ББК : 24.5
Предметные рубрики: Химия
Физическая химия. Химическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноразмерные слои--оптические свойства--термообработка--оксиды молибдена--молибдены
Аннотация: Представлены результаты исследований природы и закономерностей процессов, протекающих в условиях атмосферы в наноразмерных слоях МоО[3] различной толщины в зависимости от температуры и времени теплового воздействия.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/А 852
Автор(ы) : Арсентьев И. Н., Бобыль А. В., Тарасов И. С., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Беляев А. Е., Камалов А. Б., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Литвин О. С., Миленин В. В., Руссу Е. В.,
Заглавие : Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль, И. С. Тарасов, Н. С. Болтовец и др
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. С. 793-798. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): многослойные барьерные структуры--наноразмерные слои--пористые подложки--газофазная эпитаксия--магнетронное распыление--барьер шоттки--шоттки барьер
Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Карпов М. И., Коржов В. П., Внуков В. И., Зверев В. Н., Желтякова И. С.
Заглавие : Сверхпроводящие свойства и микроструктура композитной ленты с наноразмерными слоями из сплава Nb-30% масс. %Zr
Серия: Цирконий: металлургия, свойства, применение
Место публикации : Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С.5-9. - ISSN 0015-3214. - ISSN 0015-3214
УДК : 669.21.8 + 537.3
ББК : 34.33 + 22.332
Предметные рубрики: Технология металлов
Металлургия цветных металлов
Физика
Электрический ток
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анизотропия--критическая плотность тока--прокатка--циркониевые сплавы--ниобиевые сплавы--многослойные композиты--сверхпроводники--сверхпроводящие сплавы--композитные ленты--наноразмерные слои--многослойные композитные ленты
Аннотация: Измерены значения критической плотности тока в многослойных композитных лентах Nb-30 масс. %Zr нанометровой (91, 8 и 11, 8) толщины.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попова Т. Б., Бакалейников Л. А., Флегонтова Е. Ю., Шахмин А. А., Заморянская М. В.,
Заглавие : Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями / Т. Б. Попова, Л. А. Бакалейников, Е. Ю. Флегонтова и др
Серия: Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. С. 263-267: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 267 (8 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--полупроводниковые гетероструктуры--наноразмерные слои--рентгеноструктурный микроанализ--квантовые ямы--ingaas--zncdse
Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p263-267.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Serdega B. K., Matyash I. E., Maximenko L. S., Rudenko S. P., Smyntyna V. A., Grinevich V. S., Filevskaya L. N., Ulug B., Ulug A., Yucel B. M.,
Заглавие : Optical constants detection in tin dioxide nano-size layers by surface plasmon resonance investigation / B. K. Serdega, I. E. Matyash, L. S. Maximenko et al
Серия: Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. С. 326-329: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 329 (23 назв. )
УДК : 535.2/.3
ББК : 22.343. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические константы--диоксид олова--наноразмерные слои--поверхностные плазмоны--шероховатости поверхности--резонансный метод исследования--полимерные материалы--плазменный резонанс--плазмоны
Аннотация: Optical constants of tin dioxide nano-size layers were detected using surface plasmons resonance research technique. Squared reflectance indexes difference as well as the ones with s- and p-polarized light are measured simultaneously. Obtained in the work the refraction coefficient of the tin dioxide film gives the possibility to judge about the structural perfection of the layer and confirms that the film has significant porosity, which is created during the decomposition of the polymer materials used as structuring additives. It is shown that the resonance condition for surface plasmons may be destroyed through the interaction of surface plasmons with surface roughness potential of the film (medium dielectric properties variation).
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p326-329.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lenka T. R., Panda A. K.,
Заглавие : Role of nanoscale AlN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/ (Al, In) N/GaN-based HEMT / T. R. Lenka, A. K. Panda
Серия: Физика полупроводниковых приборов
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. С. 1258-1265: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 1265 (21 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронные транзисторы--hemt--микроволны--наноразмерные слои
Аннотация: A new AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) is proposed and its microwave characteristics are discussed by introducing a nanoscale AlN or InN layer to study the potential improvement in their high frequency performance. The 2DEG transport mechanism including various subband calculations for both (Al, In) N-based HEMTs are also discussed in the paper. Apart from direct current characteristics of the proposed HEMT, various microwave parameters such as transconductance, unit current gain (h[21]=1) cut-off frequency (f[t]), high power-gain frequency (f[max]). Masons available/stable gain and masons unilateral gain are also discussed for both devices to understand its suitable deployment in microwave frequency range.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1258-1265.pd
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/С 387
Автор(ы) : Акашев Л. А., Попов Н. А., Кочедыков В. А., Шевченко В. Г.,
Заглавие : Синтез наноразмерных слоев нитрида алюминия / Л. А. Акашев, Н. А. Попов, В. А. Кочедыков, В. Г. Шевченко
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 3. - С. С. 26-32: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 31-32 (13 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): элипсометрический метод--наноразмерные слои--сплошные среды--поликристаллические структуры--поверхности--температурные интервалы--ик-спектроскопия--удельные поверхности--нитрид алюминия
Аннотация: Эллипсометрическим методом исследовано взаимодействие поверхности поликристаллического алюминия с азотом при медленном нагреве до температуры 623 °С и давлении 1. 25 atm. Показано, что процесс образования наноразмерного сплошного слоя нитрида алюминия происходит в интервале температур 520-580 °С и выше. Максимальная толщина синтезированного наноразмерного слоя нитрида алюминия составляла 32 nm. Образование нитрида на поверхности алюминия подтверждено методом ИК-спектроскопии на порошках с удельной поверхностью 6. 4 m{2}/g.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/03/p26-32.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/П 535
Автор(ы) : Васильев В. И., Гагис Г. С., Кучинский В. И., Хвостиков В. П., Марухина Е. П.,
Заглавие : Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения / В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский и др
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 10. - С. С. 49-53: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 53 (5 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердые растворы--наноразмерные слои--твердофазные реакции--методы получения--молекулярно-пучковая эпитаксия--фотолюминесценция--интенсивность излучений--полупроводниковые кристаллы
Аннотация: Предложена методика формирования наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на поверхностях полупроводниковых кристаллов GaAs за счет реакции твердофазного замещения. Продемонстрирован эффект широкозонного окна, проявляющийся в возрастании интенсивности фотолюминесценции обработанных пластин до 25 раз при 300 K.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/10/p49-53.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.21:537/В 586
Автор(ы) : Погребняк А. Д., Береснев В. М., Бондар О. В., Abadias G., Chartier P., Постольный Б. А., Андреев А. А., Соболь А. В.,
Заглавие : Влияние толщины наноразмерного слоя на структуру и свойства многослойных покрытий TiN/MoN / А. Д. Погребняк, В. М. Береснев, О. В. Бондар и др
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 5. - С. С. 59-66: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 65-66 (15 назв.)
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноразмерные слои--многослойные покрытия--нанокомпозитные покрытия--метод arc-pvd--триботехнические испытания--высокотемпературное окисление
Аннотация: Обнаружено влияние толщины наноразмерного слоя на изменение структуры и свойств нанокомпозитных многослойных покрытий TiN/MoN. С помощью метода Arc-PVD были получены многослойные покрытия (чередующиеся) TiN/MoN. Толщина нанослоев была выбрана 2, 10, 20 и 40 nm. Обнаружено формирование двух фаз TiN (ГЦК) и gamma-Mo[2]N. Соотношение концентрации Ti и Mo меняется с изменением толщины слоя. Максимальное значение твердости, полученное для разных толщин слоев, не превышает 28-31 GPa. Стойкость TiN/MoN при резании и триботехнических испытаниях значительно больше, чем при тестах изделий с покрытиями из TiN. В наноструктурных многослойных покрытиях при толщинах слоя 10 и 20 nm наблюдается наименьшее значение коэффициента трения 0. 09-0. 12.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/05/p59-66.pdf
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)