Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовые точки<.>)

Общее количество найденных документов : 288
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 22.37/Л 847
Автор(ы) : Лундина Е.Ю., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Каяндер И.Н., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Михрин С.С., Устинов В.М., Алферов Ж.И., Bimberg D.,
Заглавие : Высокая деградационная стабильность длинноволновых ( 1.25 mu m) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs / Е.Ю. Лундина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, И.Н. Каяндер и др
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: с.142 (8 назв.)
ББК : 22.37 + 32.86
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Квантовая электроника-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--деградационная стабильность--квантовые точки--лазеры
Аннотация: Проведены ускоренные деградационные исследования длинноволновых (1.25 mum) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs, при фиксированном токе 1.7 A, начальной выходной оптической мощности около 0.3 W и температуре теплоотвода 60`C. За время испытаний в течение 450 h лазеры не обнаружили признаков деградации, при этом деградационный стенд не был герметически закрыт, продувка инертным газом не производилась и грани лазера не были пассивированы
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 22.33/Т 462
Автор(ы) : Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Левичев С.Б., Байдусь Н.В.,
Заглавие : Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия / С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь
Место публикации : Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 16 назв.
ББК : 22.33 + 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Физика твердого тела-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): арсенид галлия--водородочувствительность--диоды шоттки--квантовые точки--квантовые ямы--модификация поверхности--травление
Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/К 790
Автор(ы) : Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Семенов М.Б.,
Заглавие : Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле / В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, М.Б. Семенов
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - ISSN 0021-3411. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: с.73 (13 назв.)
УДК : 621.315.592
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--магнитное поле--поглощение света--примеси
Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки
Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 539.2/Н 254
Заглавие : Нанореактор для квантовой точки
Место публикации : Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 10. - ISSN 1727-5903. - ISSN 1727-5903
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--нанотехнологии--наноточки--точки квантовые
Аннотация: Химики нашли способ синтеза квантовых точек желаемого размера.
Найти похожие

Вид документа : прочееСтатья из журнала
Шифр издания : 539.2/Б 439
Заглавие : Белый свет из квантового колодца
Место публикации : Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 9. - ISSN 1727-5903. - ISSN 1727-5903
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые свечения--квантовые точки--кристаллография--нанотехнологии--наноточки--светодиоды--свечения квантовые
Аннотация: Физики заставили квантовые точки светиться, всего лишь насыпав их на крышку работающего квантового колодца.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.375/А 90
Автор(ы) : Асеев А. Л.,
Заглавие : Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / А. Л. Асеев
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. С. 603-611. - ISSN 0869-5873. - ISSN 0869-5873
Примечания : Библиогр.: с. 611 (3 назв. )
УДК : 621.375
ББК : 32.86
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Квантовая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнологии--полупроводниковая электроника--электроника полупроводниковая--наноструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия--эпитаксия молекулярно-лучевая--лазеры полупроводниковые--полупроводниковые лазеры--полупроводниковые излучатели--излучатели полупроводниковые--гетероструктуры--квантовые ямы--ямы квантовые--квантовые точки--точки квантовые--резонаторы--лазерные структуры--структуры лазерные--эпитаксиальные структуры--структуры эпитаксиальные--электронный газ--газ электронный--полупроводниковые нанотрубки--нанотрубки полупроводниковые--транзисторы
Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/С 84
Автор(ы) : Стрельчук В. В., Литвин П. М., Коломыс А. Ф., Валах М. Я., Mazur Y u. I., Wang Z h. M., Salamo G. J.,
Заглавие : Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (ln, Ga) As/GaAs (100 / В. В. Стрельчук, П. М. Литвин, А. Ф. Коломыс, М. Я. Валах и др
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. С. 74-81. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--самоорганизованные квантовые точки--квантовые нити--многослойные структуры--молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In, Ga) As/ GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/С 59
Автор(ы) : Соколовский Г. С., Каталуна М. А., Дерягин А. Г., Кучинский В. И., Новиков И. И., Максимов М. В., Жуков А. Е., Устинов В. М., Сиббет В., Рафаилов Э. У.,
Заглавие : Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский и др
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. С. 9-16. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые лазеры--квантовые точки--лазерная генерация--лазерное излучение
Аннотация: Проведены эксперименты по исследованию динамики спектров излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний. При электрической накачке 30 ns импульсами через 2-5 ns после включения лазера наблюдалось полное прекращение лазерной генерации на время до 10 ns и более в зависимости от амплитуды импульса накачки. После повторного включения в лазерном излучении наблюдались короткие импульсы излучения возбужденного состояния квантовых точек длительностью 200-300 ps, следующие за короткими провалами сходной длительности (т. н. "темными импульсами") в излучении основного состояния. В качестве объяснения наблюдаемых явлений предложено изменение добротности лазера за счет перераспределения концентрации носителей между квантовыми состояниями.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/Т 48
Автор(ы) : Ткач Н. В., Сети Ю. А., Зегря Г. Г.,
Заглавие : Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. С. 70-80. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--полупроводниковые квантовые точки--энергетический спектр--электронные состояния
Аннотация: На основе S-матрицы рассеяния исследуется энергетический спектр и время жизни электронных состояний в открытой полупроводниковой квантовой точке. Показано, что время жизни электронных состояний очень чувствительно к изменению радиуса квантовой точки и толщины внешнего покрытия квантовой точки. При изменении толщины покрывающего слоя от одного до пяти монослоев время жизни электрона увеличивается в 20-60 раз.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.26/Э 76
Автор(ы) : Эренбург С. Б., Бауск Н. В., Двуреченский А. В., Смагина Ж. В., Ненашев А. В., Никифоров А. И., Мансуров В. Г., Журавлев К. С., Торопов А. И.,
Заглавие : Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек / С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина и др
Место публикации : Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. С. 31-40. - ISSN 0207-3528. - ISSN 0207-3528
УДК : 539.26
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектроскопия--xafs-спектроскопия--exafs-спектроскопия--xanes-спектроскопия--нанокластеры--полупроводниковые нанокластеры--микроструктура--квантовые точки--электронное строение--гетероструктуры
Аннотация: С помощью спектроскопии EXAFS и XANES определены изменения микроскопических параметров структуры полупроводниковых нанокластеров - межатомных расстояний, координационных чисел и типов атомов окружения - при изменении условий приготовления гетероструктур Ge/Si, GaN/AlN и InAs/AlAs.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/С 596
Автор(ы) : Соколовский Г. С., Каталуна М. А., Дерягин А. Г., Кучинский В. И., Новиков И. И., Максимов М. В., Жуков А. Е., Устинов В. М., Сиббет В., Рафаилов Э. У.,
Заглавие : Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский и др
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. С. 9-16. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые лазеры--квантовые точки--лазерная генерация--лазерное излучение
Аннотация: Проведены эксперименты по исследованию динамики спектров излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний. При электрической накачке 30 ns импульсами через 2-5 ns после включения лазера наблюдалось полное прекращение лазерной генерации на время до 10 ns и более в зависимости от амплитуды импульса накачки. После повторного включения в лазерном излучении наблюдались короткие импульсы излучения возбужденного состояния квантовых точек длительностью 200-300 ps, следующие за короткими провалами сходной длительности (т. н. "темными импульсами") в излучении основного состояния. В качестве объяснения наблюдаемых явлений предложено изменение добротности лазера за счет перераспределения концентрации носителей между квантовыми состояниями.
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/М 748
Автор(ы) : Моисеев К. Д., Пархоменко Я. А., Анкудинов А. В., Гущина Е. В., Михайлова М. П., Титков А. Н., Яковлев Ю. П.,
Заглавие : Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко, А. В. Анкудинов, Е. В. Гущина и др
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. С. 50-57. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--полупроводниковые квантовые точки--жидкофазная эпитаксия--структурные исследования
Аннотация: Сообщается о первых результатах по выращиванию InSb/InAs квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии и структурных исследований их характеристик методами сканирующей зондовой микроскопии и атомно-cиловой микроскопии. Показано, что плотность, форма и размеры нанообъектов зависят от температуры выращивания, скорости охлаждения и времени контакта раствор-расплав-подложка. Получены однородные массивы квантовых точек InSb на подложках InAs (100) в интервале температур T=420-445 C, со средними размерами: высотой H=3. 4+ 1 nm, радиусом R=27. 2+ 7. 5 nm и плотностью до 1. 9 10\{10\} cm\{-2\}.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/Г 161
Автор(ы) : Галкин Н. Г., Доценко С. А., Коваль Л. В.,
Заглавие : Оптические свойства "магических" кластеров, формирующихся в системах In/Si (111) и Cr/Si (111 / Н. Г. Галкин, С. А. Доценко, Л. В. Коваль
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 9. - С. С. 44-52. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые точки--сверхмалые упорядоченные квантовые точки--магические кластеры--индий--хром--силициды--оптические свойства--наноэлектроника
Аннотация: Приводятся полученные оптические свойства сверхмалых упорядоченных квантовых точек в системах In/Si (111) и Cr/Si (111), имеющих одинаковые размеры и поэтому называющихся магическими кластерами индия и хрома на Si (111). По полученным спектрам определена природа каждого типа магических кластеров. Установлено, что магические кластеры хрома, которые формируются в реактивной системе Cr/Si (111) (т. е. системе металл-Si, в которой происходит химическая реакция между металлом и Si, приводящая к формированию силицида), являются нанокристаллами силицида хрома. Магические кластеры индия (In/Si (111) не реактивная система), напротив, представляют собой поверхностную фазу.
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/С 544
Автор(ы) : Соболев М. М., Жуков А. Е., Васильев А. П., Семенова Е. С., Михрин В. С.,
Заглавие : Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs / М. М. Соболев, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, Е. С. Семенова, В. С. Михрин
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. С. 68-75. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нестационарная спектроскопия глубоких уровней--спектроскопия--вертикально коррелированные квантовые точки--полупроводниковые квантовые точки--квантовые точки--эмиссия электронов--эффект штарка--штарка эффект--молекулярно-пучковая эпитаксия--гетероструктуры inas/gaas
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ.
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/З-177
Автор(ы) : Зайцев С. В., Шомиг Г., Форхел А., Бахер Г.,
Заглавие : Магнитооптика и динамика магнитного полярона в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe / С. В. Зайцев, Г. Шомиг, А. Форхел, Г. Бахер
Место публикации : Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 7. - С. С. 402-406. - ISSN 0370-274Х. - ISSN 0370-274Х
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--полумагнитные полупроводники--магнитные поляроны--квантовые точки
Аннотация: При низких температурах исследована магнитооптика и пикосекундная динамика излучательной рекомбинации экситонов в самоорганизованных полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe. Поведение индивидуальных квантовых точек в магнитном поле и при повышении температуры свидетельствует о сильном обменном взаимодействии экситонов и магнитных ионов Mn, приводящем к формированию квази-нуль-мерного экситонного магнитного полярона. Когда энергия экситона превышает энергию внутрицентрового перехода Mn, происходит быстрый перенос энергии от экситонов к ионам Mn (быстрее 20 пс). В обратном случае за время жизни экситона ? 500 пс наблюдается существенный красный сдвиг (? 15 мэВ) максимума линии излучения, отражающий динамику формирования магнитного полярона с характерным временем ? 110 пс.
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.26/Э 763
Автор(ы) : Эренбург С. Б., Бауск Н. В., Двуреченский А. В., Смагина Ж. В., Ненашев А. В., Никифоров А. И., Мансуров В. Г., Журавлев К. С., Торопов А. И.,
Заглавие : Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек / С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина и др
Место публикации : Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. С. 31-40. - ISSN 0207-3528. - ISSN 0207-3528
УДК : 539.26
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектроскопия--xafs-спектроскопия--exafs-спектроскопия--xanes-спектроскопия--нанокластеры--полупроводниковые нанокластеры--микроструктура--квантовые точки--электронное строение--гетероструктуры
Аннотация: С помощью спектроскопии EXAFS и XANES определены изменения микроскопических параметров структуры полупроводниковых нанокластеров - межатомных расстояний, координационных чисел и типов атомов окружения - при изменении условий приготовления гетероструктур Ge/Si, GaN/AlN и InAs/AlAs.
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/М 316
Автор(ы) : Маслов А. Ю., Прошина О. В., Русина А. Н.,
Заглавие : Роль поверхностных фононов в формировании спектра поляронных состояний в квантовых точках / А. Ю. Маслов, О. В. Прошина, А. Н. Русина
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. С. 844-849. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фононы--поверхностные фононы--поляронные состояния--квантовые точки
Аннотация: Построена теория полярона большого радиуса в квантовых точках с учетом различия диэлектрических свойств материалов точки и окружающей ее матрицы. Показано, что величина поляронного эффекта существенно зависит от спектра поверхностных оптических фононов. Найден поляронный сдвиг уровней энергии размерного квантования для электронов и дырок с учетом их взаимодействия как с объемными, так и с поверхностными фононами. Определены условия, при которых взаимодействие с поверхностными фононами оказывается преобладающим. Показано, что в соединениях A\{II\}B\{VI\} оно может превышать 10 мэВ и его необходимо учитывать при расчете энергетического спектра. Развит метод приближенного расчета поляронных состояний. Этот метод позволяет находить величины поляронного эффекта в гетероструктурах различной конфигурации. Обнаружено хорошее согласие результатов, полученных при помощи приближенного метода и точного расчета влияния поверхностных фононов на поляронные состояния.
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 538.9/Т 163
Автор(ы) : Талочкин А. Б., Марков В. А., Машанов В. И.,
Заглавие : Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов
Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. С. 397-400. - ISSN 0370-274X. - ISSN 0370-274X
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): комбинационное рассеяние света--оптические фононы--квантовые точки--релаксация механических напряжений--механические напряжения--массив квантовых точек--ge--si
Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 530.1/З-177
Автор(ы) : Зайцев С. В., Вельш М. К., Форхел А., Бахер Г.,
Заглавие : Экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 6. - С. С. 1415-1434. - ISSN 0044-4510. - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 1433-1434
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): экситоны--конфайнмент--квантовые точки--искусственные квантовые точки--слабый пространственный конфайнмент--режимы конфайнмента
Аннотация: Изучены экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента.
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 530.1/Л 221
Автор(ы) : Ланг И. Г., Коровин Л. И., Павлов С. Т.,
Заглавие : Полуклассический метод в теории рассеяния света полупроводниковыми квантовыми точками / И. Г. Ланг, Л. И. Коровин, С. Т. Павлов
Место публикации : Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 6. - С. С. 1169-1182. - ISSN 0044-4510. - ISSN 0044-4510
Примечания : Библиогр.: с. 1182
УДК : 530.1
ББК : 22.31
Предметные рубрики: Физика
Теоретическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теория рассеяния света--свет--квантовые точки--рассеяние света--полупроводниковые квантовые точки--полуклассический метод
Аннотация: Предложен полуклассический метод в теории рассеяния света полупроводниковыми квантовыми точками.
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)