Поисковый запрос: (<.>K=квантовые точки<.>) |
Общее количество найденных документов : 288
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Лундина Е.Ю. Высокая деградационная стабильность длинноволновых (> 1.25 mu m) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs // Журнал технической физики, 2003,N Т.73,N1
|
2.
| Тихов С.В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия // Журнал технической физики, 2003,N Т.73,N5
|
3.
| Кревчик В.Д. Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле // Известия вузов. Физика, 2002,N Т.45,N5
|
4.
| Нанореактор для квантовой точки/вып. подгот. С. Комаров // Химия и жизнь - XXI век, 2004,N N 10
|
5.
| Белый свет из квантового колодца/Вып. подгот. С. Комаров // Химия и жизнь - XXI век, 2004,N N 9
|
6.
| Асеев А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук, 2006,N Т. 76, N 7.-С.С. 603-611
|
7.
| Стрельчук В. В. Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (ln, Ga) As/GaAs (100/В. В. Стрельчук [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2007,N Т. 41, N 1.-С.С. 74-81
|
8.
| Соколовский Г. С. Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний/Г. С. Соколовский [и др. ] // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 1.-С.С. 9-16
|
9.
| Ткач Н. В. Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек/Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 1.-С.С. 70-80
|
10.
| Эренбург С. Б. Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек/С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007,N N 1.-С.С. 31-40
|
11.
| Соколовский Г. С. Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний/Г. С. Соколовский [и др. ] // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 1.-С.С. 9-16
|
12.
| Моисеев К. Д. Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии/К. Д. Моисеев [и др. ] // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 7.-С.С. 50-57
|
13.
| Галкин Н. Г. Оптические свойства "магических" кластеров, формирующихся в системах In/Si (111) и Cr/Si (111/Н. Г. Галкин, С. А. Доценко, Л. В. Коваль // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 9.-С.С. 44-52
|
14.
| Соболев М. М. Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs/М. М. Соболев [и др. ] // Письма в журнал технической физики, 2007,N Т. 33, N 12.-С.С. 68-75
|
15.
| Зайцев С. В. Магнитооптика и динамика магнитного полярона в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe/С. В. Зайцев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007,N Т. 85, N 7.-С.С. 402-406
|
16.
| Эренбург С. Б. Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек/С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007,N N 1.-С.С. 31-40
|
17.
| Маслов А. Ю. Роль поверхностных фононов в формировании спектра поляронных состояний в квантовых точках/А. Ю. Маслов, О. В. Прошина, А. Н. Русина // Физика и техника полупроводников, 2007,N Т. 41, Вып. 7.-С.С. 844-849
|
18.
| Талочкин А. Б. Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si/А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007,N Т. 86, вып. 5.-С.С. 397-400
|
19.
| Зайцев С. В. Экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента/С. В. Зайцев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007,N Т. 132, вып. 6.-С.С. 1415-1434
|
20.
| Ланг И. Г. Полуклассический метод в теории рассеяния света полупроводниковыми квантовыми точками/И. Г. Ланг, Л. И. Коровин, С. Т. Павлов // Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008,N Т. 133, вып. 6.-С.С. 1169-1182
|
|
|