Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=дислокационные сетки<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Иванской В. А.
Заглавие : Подходы теории перколяции и свободная энергия кластеров дислокаций
Серия: Твердое тело
Место публикации : Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 4. - С.65-70. - ISSN 0044-4642. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: c. 70 (24 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теория перколяции--перколяция--кластеры дисклокаций--дислокации--дислокационные сетки--свободная энергия--кластеры
Аннотация: Для упорядоченных конфигураций дислокационных сеток в кристаллах теоретически исследована применимость подходов теории перколяции. Вычислена свободная энергия для дислокационных сеток, образующих кластеры методами теории перколяции, использующей модели Изинга, Поттса и решение Онзагера.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 537.311.33/К 903
Автор(ы) : Кулинич О. А.,
Заглавие : Роль механизмов пластической деформации при формировании наноструктурированного кремния и его фотолюминесцентные свойства / О. А. Кулинич
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. С. 52-57. - ISSN 0021-3411. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 56-57 (11 назв. )
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты--деформации--дислокационные сетки--наноструктурированный кремний--островки наноструктурированного кремния--пластические деформации
Аннотация: Показана роль механизмов пластической деформации в процессе получения слоев наноструктурированного кремния. Процесс получения наноструктурированного кремния заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины выращивались слои окиси кремния различной толщины с последующим их удалением и обработкой в избирательных химических травителях (ИТ) до появления бездефектного островкового кремния, обладающего фотолюминесцентными свойствами, характерными для наноструктурированного кремния. Из анализа спектров интенсивности фотолюминесценции, полученных от области островков наноструктурированного кремния, сделан вывод о различии механизмов пластической деформации для различных толщин выращенного оксида кремния. Обсуждаются возможные механизмы смещения максимума интенсивности спектра фотолюминесценции (ФЛ) в коротковолновую область спектра при уменьшении размеров островков наноструктурированного кремния.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/О-754
Автор(ы) : Галиева Е. Г., Антонова О. В., Панфилов П. Е., Титов А. Н.,
Заглавие : Особенности дислокационной структуры слоистых дихалькогенидов титана TiX[2] (X=S, Se, Te) / Е. Г. Галиева, О. В. Антонова, П. Е. Панфилов, А. Н. Титов
Серия: Механические свойства, физика прочности и пластичность
Место публикации : Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. С. 984-992. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 991-992 (21 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монокристаллы--халькогены--дихалькогениды титана--дислокационные сетки
Аннотация: Выполнено исследование дислокационной структуры монокристаллов дихалькогенидов титана. Установлено, что основу составляют дислокации, лежащие в базисной плоскости, имеющие преимущественно краевую природу и отвечающие за деформационное поведение материала. Наряду с ними присутствуют ростовые дислокации в основном винтовой природы, образующие дислокационные сетки. Выявлена связь между природой халькогена и характером дефектной структуры.
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 535.37/Б 811
Автор(ы) : Бондаренко А. С., Вывенко О. Ф., Исаков И. А.,
Заглавие : Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния / А. С. Бондаренко, О. Ф. Вывенко, И. А. Исаков
Коллективы : "Кремний-2012", международная конференция (9; 2012; Санкт-Петербург)
Серия: Материалы IX Международной конференции "Кремний-2012"
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. С. 223-227: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 227 (8 назв.)
УДК : 535.37
ББК : 22.345. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): локальные энергетические уровни--энергетические уровни--электронные уровни--дислокационные сетки--дс--люминесценция--интерфейсы--дислокации--пластины кремния--кремний--дислокационная люминесценция--дл--электронные состояния--dlts--методы--электрические импульсы--энергия активации--емкостная спектроскопия--область пространственного заряда--опз--экспериментальные результаты
Аннотация: Локальные энергетические уровни, обусловленные дислокациями на интерфейсе сращенных пластин кремния n- и p-типа проводимости, исследованы методами DLTS, а также новым методом детектирования примесной люминесценции, стимулированной заполнением электронных состояний (Pulsed-TREL) электрическими импульсами. Установлено, что за полосу D1 дислокационной люминесценции как в n-, так и в p-образцах ответственны только мелкие уровни дислокационной сетки с энергиями активации около ~ 0. 1 эВ. Заполнение глубоких уровней не оказывает влияния на интенсивность полосы D1. Предложена модель парных нейтральных центров захвата носителей, объясняющая разницу между энергетическим положением полосы D1 (0. 8 эВ) и межуровневым энергетическим расстоянием (0. 97 эВ) кулоновским взаимодействием между захваченными на них носителями.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p223-227.pdf
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/В 253
Автор(ы) : Вдовин В. И., Убыйвовк Е. В., Вывенко О. Ф.,
Заглавие : Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001) / В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко
Коллективы : "Кремний-2012", международная конференция (9; 2012; Санкт-Петербург)
Серия: Материалы IX Международной конференции "Кремний-2012"
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. С. 228-232: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 232 (12 назв.)
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дислокационные сетки--дс--просвечивающая электронная микроскопия--метод просвечивающей электронной микроскопии--пэм--гидрофильные соединения--кремний--si--винтовые дислокации--пластины кремния
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии выполнено исследование дислокационных сеток в структурах с гидрофильным соединением пластин Si (001). Наблюдались сетки с различной геометрией и типом доминирующих дислокаций. Один тип сеток, типичный для сращенных структур, формируется на основе квадратной сетки винтовых дислокаций и содержит систему однонаправленных 60-градусных дислокаций зигзагообразной формы. Установлено, что такие дислокационные сетки являются плоскими в структурах с азимутальной разориентацией пластин более 2 °, а при меньших углах разориентации - трехмерными. Уникальная сетка другого типа образована только 60-градусными дислокациями, преобладающая доля которых вытянута вдоль одного направления, не совпадающего с направлениями (110) в плоскости соединения, и имеет ряд специфических особенностей, объяснение которых невозможно в рамках общепринятых представлений.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p228-232.pdf
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)