Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мусаев, А. М.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мусаев А. М.
Заглавие : Увеличение заселенности долгоживущих возбужденных примесных состояний кремния в электрическом поле
Место публикации : Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 22. - С.87-94. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 537
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): возбужденные уровни--инверсная заселенность--кремний--электрическое поле--горячие электроны
Аннотация: Исследована кинетика терагерцового излучения кремния n-типа в сильных электрических полях и при одноосной деформации кристалла при 4. 2 K. Обнаружено усиление интенсивности терагерцового излучения, связанное с увеличением заселенности долгоживущих возбужденных состояний примесных атомов в электрическом поле. Показано, что увеличение заселенности возбужденных состояний обусловлено комбинационным механизмом захвата горячих электронов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мусаев А. М.
Заглавие : Автосолитоны в бистабильной системе кремния с глубокими примесными уровнями
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С.1168-1171
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): бистабильные системы--кремний--примесные уровни--автосолитоны
Аннотация: Экспериментально обнаружены и исследованы автосолитоны в бистабильной системе кремния, связанные с термополевой ионизацией глубоких акцепторных уровней индия при температуре 77 K. Показано, что в рассмотренной модели автосолитонов положительная обратная связь по активатору связана с возрастающей зависимостью температуры решетки с ростом концентрации дырок, а демпфирующая роль ингибитора связана с уменьшением температуры носителей заряда при их рассеянии на фононах, что приводит к уменьшению мощности потерь и к ограничению температуры решетки в областях автосолитона.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.21:537/М 916
Автор(ы) : Мусаев А. М.,
Заглавие : Особенности изменения электрических параметров кремниевых p-n-структур, облученных электронами при высоких температурах / А. М. Мусаев
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. С. 75-82: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 82 (7 назв.)
УДК : 539.21:537 + 537.311.33
ББК : 22.373. Таблицы для массовых библиотек + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевые структуры--диффузионные структуры--электрофизические характеристики--основные характеристики--электрические параметры--изменение параметров--особенности--электроны--электронное облучение--высокие температуры--температурные режимы--кристаллы--интегральная интенсивность--радиационные дефекты--образование дефектов--параметры образования
Аннотация: Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых p{+}-n-n{+}-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых p{+}-n-n{+}-структур.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p75-82.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/Э 455
Автор(ы) : Даунов М. И., Гаджиалиев М. М., Мусаев А. М., Хохлачев П. П.,
Заглавие : Электрофизические свойства оксида цинка при всестороннем давлении до 25 ГПа / М. И. Даунов, М. М. Гаджиалиев, А. М. Мусаев, П. П. Хохлачев
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. С. 1053-1055. - ISSN 0367-6765. - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1055 (14 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гидростатистическое давление--квазигидростатическое давление--кинетические коэффициенты--коэффициент холла--монокристаллы n-zno--оксид цинка--полиморфные переходы--полупроводники--холла коэффициент--электросопротивление--энергия ионизации
Аннотация: Измерены зависимости коэффициента Холла R[H] (P) и электросопротивления ро (P) от гидростатистического давления до 8 ГПа и от квазигидростатического давления до 25 ГПа при Т=300 К в объемных кристаллах n-ZnO.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.2/О-110
Автор(ы) : Гаджиалиев М. М., Даунов М. И., Камилов И. К., Мусаев А. М.,
Заглавие : О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках n-InSb и n-CdSnAs[2] / М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, И. К. Камилов, А. М. Мусаев
Коллективы : Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала), Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала), Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала), Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала)
Серия: Электронные свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. С. 865-867: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 867 (10 назв.)
УДК : 539.2 + 621.315.592
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек + 31.233
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнетосопротивление--атмосферное давление--всестороннее давление--узкозонные полупроводники--коэффициент холла--холла коэффициент--легирование--магнитные поля
Аннотация: Проведен анализ экспериментальных барических при всестороннем давлении до 12 кбар и магнитополевых до 15 кЭ зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и поперечного магнетосопротивления при 77 K в макроскопически однородных объемных сильно легированных и сильно вырожденных кристаллах n-InSb и n-CdSnAs[2]. Установлено, что поперечное магнетосопротивление в исследованных полупроводниках как в области слабых, так и в области классически сильных магнитных полей определяется статистически распределенными неоднородностями.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p865-867.pdf
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.21:537/М 916
Автор(ы) : Мусаев А. М.,
Заглавие : Термоэлектрический эффект в n-Ge, обусловленный термоупругодеформационным механизмом / А. М. Мусаев
Коллективы : Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала)
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 20. - С. С. 69-75: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 75 (10 назв.)
УДК : 539.21:537
ББК : 22.373. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термоэлектрические эффекты--термоупругодеформационные механизмы--физические механизмы--термоэдс--термоэдс зеебека--зеебека термоэдс--носители заряда--энергетические экстремумы--термоупругая деформация--кристаллы--n-ge
Аннотация: Рассмотрен новый физический механизм возникновения аномального термоэдс в n-Ge, который имеет знак, обратный знаку термоэдс Зеебека. Показано, что аномальный термоэлектрический эффект связан с перераспределением носителей заряда в энергетических экстремумах зон при термоупругой деформации кристалла.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/20/p69-75.pdf
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)