Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Абрамов, П. $<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/Л 330
Автор(ы) : Лебедев А. А., Зеленин В. В., Абрамов П. Л., Лебедев С. П., Смирнов А. Н., Сорокин Л. М., Щеглов М. П., Yakimova R.,
Заглавие : Исследование пленок 3C-SiC, выращенных на грани (0001) C подложек 6H-SiC / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин, П. Л. Абрамов, С. П. Лебедев и др
Место публикации : Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. С. 61-67. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--пленки 3c-sic--подложки (0001) с 6h-sic--сублимационная эпитаксия в вакууме--рентгеновская дифрактометрия--эпитаксиальные слои--двумерный электронный газ--гетеропереходы
Аннотация: Проведено исследование пленок 3C-SiC, выращенных на подложках (0001) С 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методом рентгеновской дифрактометрии показано достаточно высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Проведенное исследование спектров рамановского рассеяния показало, что эпитаксиальный слой 3C-SiC вырос непосредственно на подложке 6H-SiC, без образования каких-либо переходных слоев. Сделан вывод, что данные структуры пригодны для исследования двумерного электронного газа у гетероперехода 3C-SiC/6H-SiC.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 821(4).09/А 161
Автор(ы) : Абрамов П. (канд. филол. наук),
Заглавие : Живые образы Германии / П. Абрамов
Место публикации : Высшее образование в России. - 2008. - N 2. - С. С. 175-176. - ISSN 0869-3617. - ISSN 0869-3617
Примечания : Рец. на кн.: Пронин, В. А. История немецкой литературы [Текст] / В. А. Пронин.- М.: Логос, 2007.- 384 с.
УДК : 821(4).09
ББК : 83.3(4)
Предметные рубрики: Литературоведение
Литература Европы --Германия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): история литературы--история немецкой литературы--немецкая литература--культура--немецкая культура--учебные пособия--рецензии
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 821(4).09/А 161
Автор(ы) : Абрамов П. В.,
Заглавие : Живые образы Германии / П. В. Абрамов
Место публикации : Университетская книга. - 2008. - N 2. - С. С. 45
Примечания : Рец. на кн.: Пронин В. А. История немецкой литературы / В. А. Пронин.- М.: Логос, 2007.- 384 с.
УДК : 821(4).09
ББК : 83.3(4)
Предметные рубрики: Литературоведение
Литература Европы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): история литературы--немецкая литература--рецензии--учебные пособия
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/Л 330
Автор(ы) : Лебедев А. А., Зеленин В. В., Абрамов П. Л., Богданова Е. В., Лебедев С. П., Нельсон Д. К., Разбирин Б. С., Щеглов М. П., Трегубова А. С., Suvajarvi M., Yakimova R.,
Заглавие : Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин, П. Л. Абрамов, Е. В. Богданова et al
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. С. 273-275. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
УДК : 621.3
ББК : 31.2
Предметные рубрики: Энергетика-- Электротехника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--эпитаксиальные слои--сублимационная эпитаксия
Аннотация: Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0. 3 - 0. 5 см\{2\}. Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров N[d] - N[a] ~ (10\{17\} - 10\{18\}) см\{-3\}. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al - N) с энергией максимума полосы h ню ? 2. 12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лебедев А. А., Абрамов П. Л., Агринская Н. В., Козуб В. И., Кузнецов А. Н., Лебедев С. П., Оганесян Г. А., Сорокин Л. М., Черняев А. В., Шамшур Д. В.
Заглавие : Гальваномагнитные свойства эпитаксиальных пленок 3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального SiC
Место публикации : Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С.8-15. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гальваномагнитные свойства--эпитаксиальные пленки--эффект холла--холла эффект
Аннотация: Эпитаксиальные пленки 3C-SiC выращены на основе подложек 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Проведено исследование эффекта Холла и магнетосопротивления данных гетероструктур в диапазоне температур 1. 4-300 K. При гелиевых температурах обнаружено низкое сопротивление образцов и появление отрицательного магнетосопротивления в слабых полях (~1 T). Анализ полученных результатов показывает, что низкое сопротивление, скорее всего, связано с переходом металл-изолятор в эпитаксиальных пленках 3C-SiC.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лебедев А. А., Абрамов П. Л., Богданова Е. В., Лебедев С. П., Нельсон Д. К., Разбирин Б. С., Трегубова А. С.
Заглавие : Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С.32-37: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 37 (8 назв. )
УДК : 539.2 + 535.37
ББК : 22.37 + 22.345
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксиальные пленки--фотолюминесценция--краевая фотолюминесценция--спектры--исследование спектров--кубические политипы--подложки (физика)--гексагональные политипы--структурное совершенство--низкие температуры--излучение--экситоны--рекомбинация экситонов--результаты исследований--кристаллы--объемные кристаллы
Аннотация: Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лебедев А. А., Абрамов П. Л., Зубрилов А. С., Богданова Е. В., Лебедев С. П., Середова Н. В., Трегубова А. С.
Заглавие : О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
Место публикации : Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С.71-77: ил. - ISSN 0320-0116. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. )
УДК : 536.42
ББК : 22.375
Предметные рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--объемные кристаллы--получение объемных кристаллов--сублимационная эпитаксия--3c-sic--структурное совершенство--эпитаксиальные слои--политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои--подложки (физика)--метод лэли--лэли метод
Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лебедев А. А., Абрамов П. Л., Агринская Н. В., Козуб В. И., Кузнецов А. Н., Лебедев С. П., Оганесян Г. А., Трегубова А. С., Черняев А. В., Шамшур Д. В., Скворцова М. О.
Заглавие : Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С.337-341
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложки гексагонального карбида кремния--сублимационная эпитаксия--гальваномагнитные исследования--гетероструктуры--магнетосопротивление--эпитаксиальные структуры
Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лебедев А. А., Абрамов П. Л., Богданова Е. В., Зубрилов А. С., Лебедев С. П., Нельсон Д. К., Середова Н. В., Смирнов А. Н., Трегубова А. С.
Заглавие : Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC
Серия: Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С.785-788: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): карбид кремния--кубический карбид кремния--слои--эпитаксиальные слои--кубические эпитаксиальные слои--сублимационная эпитаксия--рентгеновская топография--рамановская спектроскопия--вольт-фарадные измерения--спектроскопия--3c-sic--подложки--15r-sic
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мынбаева М. Г., Абрамов П. Л., Лебедев А. А., Трегубова А. С., Литвин Д. П., Васильев А. Б., Чемекова Т. Ю., Макаров Ю. Н.,
Заглавие : Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния / М. Г. Мынбаева, П. Л. Абрамов, А. А. Лебедев и др
Серия: Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. С. 847-851: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 850 (20 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): затравочные кристаллы--карбид кремния--sic--метод сублимационной эпитаксии--сублимационная эпитаксия--низкодефектные слои--подложки пластин--монокристаллические слитки--метод лэли--лэли метод--эпитаксиальные слои--дефекты--сравнительные исследования--структурные дефекты
Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества.
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p847-851.pdf
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 37.015/А 161
Автор(ы) : Абрамов П. В. (кандидат филологических наук),
Заглавие : Свет личности / П. В. Абрамов
Серия: Рецензии. Информация
Место публикации : Высшее образование в России. - 2013. - № 5. - С. С. 157-159. - ISSN 0869-3617. - ISSN 0869-3617
Примечания : Рец. на кн.: Б. И. Пуришев - учитель и педагог [Текст] / под ред. В. Н. Ганина, М. И. Никола. - Москва : Изд-во МГОУ, 2013. - 312 с.; Пуришев Б. И. Воспоминания старого москвича [Текст]. - Москва : Флинта; Наука, 1998.
УДК : 37.015
ББК : 74.03. Таблицы для массовых библиотек
Предметные рубрики: Образование. Педагогика
История образования
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): педагоги--германисты--медиевисты--филологи--рецензии
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)