Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Электронный каталог - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Статьи из журналов: 2001-2014 (567)

Труды ОмГУ (9)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=подложки<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-31

   М
   Ф 762

    Фомин, Александр Васильевич.
    Общий курс фотографии : Учеб. для сред. спец. учеб. заведений / А. В. Фомин. - 2-е изд., испр. и доп. - М. : Легкая индустрия, 1978. - 335, [1] с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 333. - 100000 экз.. - (в пер.) : 27.50 р.
    Содержание:
Фотоаппараты и объективы . - С .19-69
Химическое действие света . - С .70-78
Оптическая сенсибилизация и десенсибилизация . - С .79-86
Фотографическая эмульсия. Основы (подложки) материалов и полив эмульсии . - С .87-101
Сенситометрия . - С .102-143
Ассортимент и характеристики фотоматериалов . - С .144-156
Фотографическая съемка . - С .157-181
Негативный и обращаемый черно-белые процессы . - С .182-217
Позитивный черно-белый процесс . - С .218-247
Цветная фотография . - С .248-285
Осаждение серебра из отходов фотоматериалов . - С .286-292
Фотослои с диазосоединениями, солями железа и хромовой кислоты . - С .293-300
Современное развитие процессов получения фотографических изображений . - С .301-332

ГРНТИ

31.15.51

ББК М94я72-1
Рубрики: Фотография--Учебные издания

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А
Экземпляры всего: 18
ЕА (1), ГА (17)
Свободны: ЕА (1), ГА (17)
Найти похожие

   З84
   Е 912

    Ефимов, Иван Ефимович.
    Микроэлектроника : физ. и технол. основы, надежность : учеб. пособие для студентов приборостроит. специальностей вузов / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1986. - 463, [1] с. : рис., табл. ; 22 см. - (Учебное пособие для вузов). - Авт. на корешке не указаны. - Библиогр.: с. 458. - Предм. указ.: с. 459-461. - 40000 экз.. - (в пер.)
    Содержание:
Основные положения и направления развития микроэлектроники . - С .9-34
Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах . - С .35-68
Контактные свойства полупроводниковых структур . - С .69-94
Физические явления и процессы в пленочных структурах . - С .95-136
Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем . - С .137-167
Подложки интегральных микросхем и обработка их поверхности . - С .168-199
Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники . - С .200-255
Технологические основы пленочной микроэлектроники . - С .256-285
Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС . - С .286-339
Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ . - С .340-367
Сборка и защита ИМС и БИС . - С .368-383
Качество интегральных микросхем . - С .384-415
Надежность интегральных микросхем . - С .416-432
Испытания интегральных микросхем . - С .433-455

ГРНТИ

ББК З844.1я73я41
Рубрики: Микроэлектроника--Учебники для высших учебных заведений

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Козырь, Иван Яковлевич; Горбунов, Юрий Иванович
Экземпляры всего: 3
ЕА (3)
Свободны: ЕА (3)
Найти похожие

   У9(2)32
   С 794

    Степанова, Людмила Александровна.
    Геоинформационные системы в кадастре объектов недвижимости : учеб. пособие [для вузов] / Л. А. Степанова ; Твер. гос. техн. ун-т. - Изд. 1-е. - Тверь : ТГТУ, 2007. - 111 с. : рис., табл. ; 21 см. - Предм. указ.: с. 106-107. - Библиогр.: с. 108. - В надзаг. также: Федер. агентство по образованию. - 100 экз.. - ISBN 5-7995-0388-0 : 60.00 р.
Экслибрис:
Экз.342552-К: Штамп сиреневого цв. Университетская книга, 2009. I Сибирский региональный конкурс на лучшую вузовскую книгу
    Содержание:
Общие положения о геоинформационных системах . - С .4-6
Функциональные возможности ГИС . - С .7
ГИС-технологии в РФ . - С .8-10
Проектирование ГИС . - С .11-13
Данные в ГИС . - С .14-21
Создание геоинформационной базы данных (ГБД) . - С .22-29
Создание растровой подложки . - С .30-34
Отображение карты . - С .35-38
Ввод графических объектов . - С .39-49
Стили отображения . - С .50-55
Таблицы . - С .56-64
Выборка . - С .65-74
Геокодирование . - С .75-85
Анализ данных . - С .86-90
Создание макетов . - С .91-96
Обмен данными между ГИС . - С .97-98

ГРНТИ

39.01.85

ББК У9(2)32-511я73
Рубрики: Кадастровые работы--Применение геоинформационных систем--Учебные издания для высших учебных заведений
Геоинформационные системы--Учебные издания для высших учебных заведений

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Тверской государственный технический университет (Тверь)
Экземпляры всего: 1
ГА (1)
Свободны: ГА (1)
Найти похожие

Шифр: В041/2010/2
Журнал

Вестник Омского университета [Текст] : Науч. журн./ ФГБОУ ВПО "ОмГУ им. Ф.М. Достоевского". - Омск : Изд-во ОмГУ, 1996 - . - ISSN 1812-3996. - Выходит ежеквартально
2010г. № 2

Содержание:
Кожевин, Владимир Леонидович. Войны России XX столетия в историко-антропологическом измерении / В. Л. Кожевин. - С.9-13. - Библиогр.: с. 12-13
Власова, Ирина Васильевна. Хемометрические алгоритмы в спектрофотометрическом анализе неразделенных смесей органических веществ / И. В. Власова, В. И. Вершинин, А. С. Шелпакова. - С.14-24. - Библиогр.: с. 23-24 : рис., табл.
Гуц, Александр Константинович. Компьютерная визуализация сечений бифуркационных множеств в теории катастроф Тома / А. К. Гуц, Е. О. Хлызов. - С.26-28. - Библиогр.: с. 28 : рис.
Матвеев, Александр Викторович. Обобщенная модель адсорбции металлов с учетом эффектов решеточной релаксации подложки: неактивированная адсорбция атомов золота на алюминии / А. В. Матвеев. - С.29-38. - Библиогр.: с. 37-38 : рис., табл.
Мамонова, Марина Владимировна. Учет осцилляций Фриделя при расчете распределения электронной плотности и поверхностной энергии металлов / М. В. Мамонова, М. А. Бартышева. - С.39-43. - Библиогр.: с. 43 : рис., табл.
Мамонова, Марина Владимировна. Исследование влияния эффектов теплового расширения на активированную адсорбцию магнитных ионов FE, CO и NI на поверхности CU (110) / М. В. Мамонова, Г. И. Ващенко, С. П. Климов. - С.44-48. - Библиогр.: с. 48 : рис., табл.
Пискунова, Наталья Ивановна. Исследование роли обменного механизма на формирование фазового расслоения в Ca[x]R[1-x]M[n]O[3] (R=La, Pr, Sm) в области 0.8 [меньше или равно] x [меньше или равно] 1.0 / Н. И. Пискунова. - С.49-54. - Библиогр.: с. 54 : рис.
Прудников, Владимир Васильевич. Исследование эффектов старения в двумерной XY-модели / В. В. Прудников, П. В. Прудников, С. В. Алексеев. - С.55-58. - Библиогр.: с. 58 : рис., табл.
Прудников, Павел Владимирович. Теоретико-полевое описание мультикритического поведения N-компонентных сжимаемых систем / П. В. Прудников, Н. Н. Анкилов, Г. А. Анкилова. - С.59-63. - Библиогр.: с. 63 : табл.
Прудников, Павел Владимирович. Теоретический расчет критических характеристик неупорядоченной системы с дальнодействующей корреляцией дефектов / П. В. Прудников [и др.]. - С.64-68. - Библиогр.: с. 68 : рис., табл.
Другие авторы: Яковлев М. И., Бакланов А. В., Воронина А. О., Горохова О. В.
Прудников, Павел Владимирович. Суммирование многопараметрических асимптотических рядов в теории критических явлений методом конформного отображения / П. В. Прудников, В. К. Кормилов. - С.69-72. - Библиогр.: с. 72 : рис., табл.
Прудников, Владимир Васильевич. Исследование влияния магнитных свойств адсорбируемых атомов на характеристики адсорбции / В. В. Прудников, М. В. Мамонова, М. В. Дроздов. - С.73-78. - Библиогр.: с. 78 : рис.
Прудников, Павел Владимирович. Численное исследование неравновесного критического поведения неупорядоченной антиферромагнитной модели Изинга с эффектами случайных полей / П. В. Прудников, М. В. Рычков, Ю. С. Кузнецова. - С.79-82. - Библиогр.: с. 82 : рис.
Прудников, Владимир Васильевич. Исследование температурной зависимости поперечной жесткости системы в двумерной XY-модели / В. В. Прудников, П. В. Прудников, С. В. Алексеев. - С.83-86. - Библиогр.: с. 86 : рис., табл.
Струнин, Владимир Иванович. Оптические свойства пленок аморфного кремния, полученные струйным плазмохимическим методом / В. И. Струнин [и др.]. - С.87-90. - Библиогр.: с. 90 : рис., табл.
Другие авторы: Баранова Л. В., Ляхов А. А., Попов В. В., Худайбергенов Г. Ж., Якоб С. С.
Вершинин, Вячеслав Исаакович. Планирование эксперимента как способ изучения отклонений от аддитивности светопоглощения / В. И. Вершинин, М. А. Харькова, И. В. Власова. - С.91-98. - Библиогр.: с. 98 : рис., табл.
Власова, Ирина Васильевна. Формирование градуировочных наборов для спектрофотометрического анализа многокомпонентных смесей с применением метода множественной линейной регрессии / И. В. Власова, А. С. Шелпакова, А. А. Нагаев. - С.99-105. - Библиогр.: с. 105 : табл.
Лемешева, С. А. Состав и структура костных тканей человека как отражение процессов патогенной минерализации при коксартрозе / С. А. Лемешева [и др.]. - С.106-112. - Библиогр.: с. 112 : рис., табл.
Другие авторы: Голованова О. А., Муромцев И. В., Туренков С. В.
Мухин, Валерий Анатольевич. Кондуктометрическая оценка содержания меди в промывных водах гальванопроизводств / В. А. Мухин [и др.]. - С.113-116. - Библиогр.: с. 116 : рис., табл.
Другие авторы: Реутова О. А., Яцкевич Т. В., Белых Н. А., Доронина С. А., Ускова С. С.
Сагитуллина, Галина Павловна. Бензоилирование 3-амино-5-нитропиридинов по Шоттен-Бауману / Галина Павловна Сагитуллина [и др.]. - С.117-119. - Библиогр.: с. 119 : табл.
Другие авторы: Гаркушенко А. К., Глиздинская Л. В., Кабаков А. С., Сагитуллин Р. С.
Антонова, Татьяна Владимировна. Исследование состояния производных 8-оксихинолина в водных растворах / Т. В. Антонова [и др.]. - С.120-124. - Библиогр.: с. 124 : рис., табл.
Другие авторы: Помазова А. В., Фисюк А.С., Вараксин К. С.
Типухин, Вениамин Николаевич. Ничто и время / В. Н. Типухин. - С.126-127. - Библиогр.: с. 127
Светлов, В. А. Истина как саморекурсия: определение и следствия / В. А. Светлов. - С.128-134. - Библиогр.: с. 134 : рис.
Черняк, Наталья Алексеевна. Аутентичное существование и его гаранты / Н. А. Черняк. - С.135-147. - Библиогр.: с. 147
Тарнапольская, Галина Михайловна. Значение потенциальной стороны символа для понимания опыта культуры / Г. М. Тарнапольская. - С.148-153. - Библиогр.: с. 152-153
Блинова, О. В. Этноконфессиональные школы Западной Сибири на рубеже XIX-XX вв.: положение и роль учителей и особенности образования / О. В. Блинова. - С.154-161. - Библиогр.: с. 161
Гефнер, Ольга Викторовна. Военные и патриотическое воспитание молодежи в начале XX в.: "потешное" движение в городах Западной Сибири / О. В. Гефнер. - С.162-172. - Библиогр.: с. 171-172
Шепелева, Валентина Борисовна. От классики к постнеклассике и отечественная познавательная практика / В. Б. Шепелева. - С.173-178. - Библиогр.: с. 178
Ремнев, П. А. Трансформация образа Александра I в восприятии декабристов / П. А. Ремнев. - С.179-187. - Библиогр.: с. 187
Бычков, Сергей Павлович. О термине и значении предмета русской церковной историографии / С. П. Бычков. - С.188-193. - Библиогр.: с. 193
Малышева, Елена Григорьевна. Лингвокультурная идея "Патриотизм" в спортивном дискурсивном пространстве: содержательная специфика. Статья 1 / Е. Г. Малышева. - С.194-199. - Библиогр.: с. 198-199
Гашеев, Виктор Валерьевич. Некоторые графико-орфографические особенности крестьянских грамоток XVII-XVIII вв. в свете проблемы развития аканья в русском языке / В. В. Гашеев. - С.200-205. - Библиогр.: с. 205
Трофимова, Ж. В. Субстантивная метафора с обозначением эмоций (на материале английского языка) / Ж. В. Трофимова. - С.206-210. - Библиогр.: с. 210
Полещенко, Константин Николаевич. Инновационно-образовательная деятельность как ресурсная основа повышения конкурентоспособности классического университета / К. Н. Полещенко. - С.211-214. - Библиогр.: с. 214 : рис.
Дусь, Юрий Петрович. Инновационное развитие академической мобильности в условиях реформирования высшей школы / Ю. П. Дусь. - С.215-223. - Библиогр.: с. 223
Полещенко, Константин Николаевич. Междисциплинарные основания процедур упаковки информационного пространства с использованием теории динамических информационных систем / К. Н. Полещенко [и др.]. - С.224-229. - Библиогр.: с. 229 : рис.
Другие авторы: Разумов В. И., Рыженко Л. И., Сизиков В. П.
Суворова, Наталья Геннадьевна. Рецензия на монографию А. П. Толочко "Омск в истории русско-казахских экономических, культурных и общественных связей (конец XIX - начало XX вв.)". Омск: Изд-во Ом. гос. ун-та, 2010. - 176 с. / Н. Г. Суворова. - С.231-232
Ефимов, Сергей Сергеевич. Состояние и перспективы высокопроизводительных вычислений / С. С. Ефимов. - С.232-235
Соснов, Дмитрий. Стихи / Д. Соснов. - С.236
Книжные новинки. - С.237-238
Файл: Вестник_2_2010.pdf
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : НБО (1), ГЧЗ (1)
Свободны: НБО (1), ГЧЗ (1)

Найти похожие
Перейти к описаниям статей

   В37
   М 333

    Матвеев, Александр Викторович.
    Обобщенная модель адсорбции металлов с учетом эффектов решеточной релаксации подложки: неактивированная адсорбция атомов золота на алюминии [Текст] / А. В. Матвеев // Вестник Омского университета. - 2010. - № 2. - С. 29-38 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37-38

ГРНТИ

29.19

ББК В371.25 + Г583
Рубрики: Физика твердого тела--Поверхностные явления
Адсорбция

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : НБО (1), ГЧЗ (1)
Свободны: НБО (1), ГЧЗ (1)

Найти похожие

   З84
   Г 740

    Готра, Зенон Юрьевич.
    Технология микроэлектронных устройств : справочник / З. Ю. Готра. - М. : Радио и связь, 1991. - 527, [1] с. : ил. ; 22 см. - Авт. на корешке не указан. - Библиогр.: с. 526. - 30000 экз.. - ISBN 5-256-00699-1 (в пер.) : 5000.00 р.
    Содержание:
Методы получения, очистки и легирования монокристаллических материалов . - С .4-60
Механическая обработка кристаллов полупроводниковых материалов . - С .61-104
Полупроводниковые подложки и физико-химические методы обработки их поверхности . - С .105-148
Диффузия в полупроводниках . - С .149-203
Технология эпитаксиальных слоев . - С .204-230
Ионная имплантация . - С .231-261
Технология тонких пленок . - С .262-297
Фотошаблоны и технология их изготовления . - С .298-335
Литографические процессы в технологии микроэлектронных устройств . - С .336-418
Сборка микроэлектронных устройств . - С .419-474
Герметизация микроэлектронных устройств . - С .475-525

ГРНТИ

47.03.05

ББК З844.1я22
Рубрики: Микроэлектроника--Справочники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

Шифр: В041/2011/2
Журнал

Вестник Омского университета [Текст] : Науч. журн./ ФГБОУ ВПО "ОмГУ им. Ф.М. Достоевского". - Омск : Изд-во ОмГУ, 1996 - . - ISSN 1812-3996. - Выходит ежеквартально
2011г. № 2

Содержание:
Адельшин, Александр Владимирович. Применение задач выполнимости логической формулы для проектирования химического состава резин / А. В. Адельшин, Е. Н. Жовнер. - С.14-18. - Библиогр.: с. 17-18 : табл.
Воронина, О. А. О рациональных подмножествах разрешимых групп / О. А. Воронина. - С.19-23. - Библиогр.: с. 23
Логинов, Константин Константинович. Применение φ-ветвящихся процессов для исследования динамики популяции в условиях ограниченного количества пищевых ресурсов / К. К. Логинов, Н. В. Перцев. - С.24-28. - Библиогр.: с. 28 : табл.
Кардаков, Н. Ю. Введение в логику уверенности - логику высказываний для систем с неполной информацией / Н. Ю. Кардаков, М. Г. Лопатков. - С.29-33. - Библиогр.: с. 33
Навроцкая, Анна Александровна. Задача аппроксимации линейной наследственной системы / А. А. Навроцкая. - С.34-38. - Библиогр.: с. 38 : рис.
Рыбалов, Александр Николаевич. О генерической сложности алгебры Тарского / А. Н. Рыбалов, В. В. Федосов. - С.39-43. - Библиогр.: с. 43
Уразова, Инна Владимировна. Класс правильных неравенств для задачи упаковки вершин ациклического орграфа в полосу заданной ширины / И. В. Уразова. - С.44-48. - Библиогр.: с. 48 : рис.
Шевляков, Артем Николаевич. Nullstensatz для моноида натуральных чисел / А. Н. Шевляков. - С.49-55. - Библиогр.: с. 54-55
Свиркин, Виктор Михайлович. Спектр лапласиана прямого метрического произведения связных компактных групп Ли / В. М. Свиркин. - С.56-61. - Библиогр.: с. 61
Матвеев, Александр Викторович. Обобщенная модель адсорбции с учетом эффектов решеточной релаксации подложки: хемосорбция щелочных металлов / А. В. Матвеев. - С.62-69. - Библиогр.: с. 69 : рис., табл.
Прудников, Владимир Васильевич. Компьютерное моделирование процессов адсорбции на поверхности твердых тел и образования поверхностных наноструктур / В. В. Прудников, А. Н. Вакилов. - С.70-75. - Библиогр.: с. 75
Прудников, Павел Владимирович. Неравновесное критическое поведение твердых тел с дальнодействующей корреляцией дефектов / П. В. Прудников, Д. Н. Куликов, М. И. Яковлев. - С.76-82. - Библиогр.: с. 82 : рис., табл.
Мамонова, Марина Владимировна. Исследование плазмон-фононных коллективных возбуждений в рамках диэлектрического формализма / М. В. Мамонова, Д. И. Яковлев. - С.83-87. - Библиогр.: с. 87 : табл.
Прудников, Павел Владимирович. Численное исследование влияния протяженных дефектов структуры на критическую релаксацию трехмерной модели Гейзенберга / П. В. Прудников, М. А. Медведева. - С.88-92. - Библиогр.: с. 92 : рис.
Березовский, Владимир Александрович. Исследование влияния смещения несущей частоты сигналов от заданного значения на характеристики пеленгации алгоритма MUSIC / В. А. Березовский [и др.]. - С.93-97. - Библиогр.: с. 97 : рис.
Другие авторы: Золотарев И. Д., Михайлов Е. Ю., Сидоренко К. А.
Березовский, Владимир Александрович. Определение параметров КВ радиолинии по результатам возвратно-наклонного зондирования ионосферы / В. А. Березовский [и др.]. - С.98-102. - Библиогр.: с. 102 : рис.
Другие авторы: Золотарев И. Д., Васенина А. А., Свешников Ю. К.
Золотарев, Илья Давыдович. Фазовый дискриминатор в схеме пеленгатора с перекрестными связями при наличии источников наложенных сигналов / И. Д. Золотарев, В. А. Березовский, Д. Д. Привалов. - С.103-108. - Библиогр.: с. 108
Фисюк, Александр Семенович. Синтез 5-йод-4-хлорметилтиофен-2-карбальдегида / А. С. Фисюк [и др.]. - С.110-112. - Библиогр.: с. 111-112 : схемы
Другие авторы: Богза Ю. П., Беляев В. Б., Беляева Л. В.
Вершинин, Вячеслав Исаакович. Априорная оценка погрешности определения суммарного содержания аналитов с учетом индивидуальных коэффициентов чувствительности / В. И. Вершинин. - С.113-117. - Библиогр.: с. 117 : рис., табл.
Гаврилов, Е. В. Взаимодействие четвертичной соли 1,3,4-триметил-ץ-карболиния с основанием / Е. В. Гаврилов [и др.]. - С.118-121. - Библиогр.: с. 121 : схемы
Другие авторы: Глиздинская Л. В., Сагитуллина, Сагитуллин Р. С.
Фисюк, Александр Семенович. Синтез 3-аминопиридин-2(1H)-онов на основе хлорацетамидов β-енаминокетонов / А. С. Фисюк, Д. С. Гончаров. - С.122-124. - Библиогр.: с. 124 : табл., схемы
Брянский, Борис Яковлевич. Потенциометрическое определение состояния электрохимически активированной воды с помощью свежеобновленного графитового электрода / Б. Я. Брянский [и др.]. - С.125-129. - Библиогр.: с. 129 : рис., табл.
Другие авторы: Мухин В. А., Петров А. Г., Плакатина О. С.
Пимнева, Л. А. Кинетика сорбции ионов меди, бария и иттрия на карбоксильном катионите КБ-4п-2 / Л. А. Пимнева, Е. Л. Нестерова. - С.130-134. - Библиогр.: с. 134 : рис., табл.
Солоненко, А. П. Термодинамический подход к изучению влияния микроэлементов на процессы минерализации в ротовой жидкости человека / А. П. Солоненко, О. А. Голованова, Л. В. Бельская. - С.135-139. - Библиогр.: с. 139 : рис., табл.
Усова, Светлана Владимировна. Прецизионное определение МТБЭ в товарных бензинах / С. В. Усова [и др.]. - С.140-144. - Библиогр.: с. 144 : рис., табл.
Другие авторы: Зайнуллина А. М., Козяков А. Н., Реутова О. А.
Юлдашев, Ф. А. Нитропиридины. XI. Синтез замещенных нитрилов 5-нитроникотиновой кислоты / Ф. А. Юлдашев [и др.]. - С.145-149. - Библиогр.: с. 148-149
Другие авторы: Глиздинская Л. В., Поендаев Н. В., Сагитуллина Г. П., Сагитуллин Р. С.
Бесценный, Игорь Павлович. Фундаментализация высшего образования и содержание курса информатики / И. П. Бесценный, Е. В. Бесценная, Е. В. Мякишева. - С.150-154. - Библиогр.: с. 154 : рис., табл.
Гусс, Святослав Владимирович. Задачи исследования программной инженерии в контексте предметно-ориентированного проектирования / С. В. Гусс. - С.155-158. - Библиогр.: с. 158
Домрачеев, Р. Ю Параллельная реализация поиска ядер графа / Р. Ю Домрачеев, С. С. Ефимов. - С.159-166. - Библиогр.: с. 166 : рис.
Коробицын, Виктор Викторович. Программа MEP2 для исследования динамических систем с клеточной структурой / В. В. Коробицын, Ю. В. Фролова. - С.167-172. - Библиогр.: с. 172 : рис.
Колоколов, Александр Александрович. Разработка и применение моделей дискретной оптимизации при формировании тестов по информатике / А. А. Колоколов, Л. В. Ларина. - С.173-175. - Библиогр.: с. 175
Ларионов, И. Б. Алгоритм автоматизированного восстановления поврежденных графических файлов / И. Б. Ларионов. - С.176-177. - Библиогр.: с. 177
Мироненко, А. Н. Автоматическая фильтрация спама на базе сети формальных нейронов / А. Н. Мироненко. - С.178-181. - Библиогр.: с. 181 : рис., табл.
Первушин, Евгений Александрович. Алгоритм извлечения признаков речевого сигнала во временной области для задачи распознования дикторов / Е. А. Первушин, Д. Н. Лавров. - С.182-185. - Библиогр.: с. 185 : табл.
Гринберг, Михаил Семенович. Преступное невежество / М. С. Гринберг. - С.186-191. - Библиогр.: с. 191
Невзгодина, Елена Львовна. Отдельные случаи ответственности за причинение внедоговорного вреда по гражданскому законодательству Российской Федерации / Е. Л. Невзгодина. - С.192-196. - Библиогр.: с. 196
Степашин, Виталий Михайлович. Вопросы назначения наказания в новых постановлениях пленума верховного суда РФ / В. М. Степашин. - С.197-199. - Библиогр.: с. 199
Темникова, Наталья Александровна. Право ребенка на имя и процедура установления отцовства / Н. А. Темникова. - С.200-202. - Библиогр.: с. 202
Воропанов, В. А. Провинциальная судебная система России в условиях имперской государственности (последняя четверть XVIII - первая половина XIX вв.): принципы институциональной организации / В. А. Воропанов. - С.203-208. - Библиогр.: с. 207-208
Болдырев, Владимир Анатольевич. Структура правоотношений хозяйственного ведения и оперативного управления / В. А. Болдырев. - С.209-213. - Библиогр.: с. 213
Борисова, О. М. Маркетинговой планирование городского развития / О. М. Борисова. - С.214-218. - Библиогр.: с. 218
Боуш, Галина Дмитриевна. Базовые состояния кластеров предприятий, обусловливающие направления их развития / Г. Д. Боуш. - С.219-225. - Библиогр.: с. 225
Ивашкевич, Т. В. Этапы развития внутриорганизационного маркетинга / Т. В. Ивашкевич. - С.226-231. - Библиогр.: с. 231
Ковалев, Александр Иванович. Система оценки конкурентоспособности образовательных услуг вузов / А. И. Ковалев, А. А. Абрамкина. - С.232-238. - Библиогр.: с. 238
Латынцева, Марина Борисовна. Планирование новой техники как фактор развития высокотехнологического приборостроительного предприятия / М. Б. Латынцева. - С.239-243. - Библиогр.: с. 243
Нагорная, Елена Сергеевна. Организационно-экономический механизм реализации маркетинговой стратегии развития / Е. С. Нагорная. - С.244-249. - Библиогр.: с. 249 : рис.
Полякова, Татьяна Николаевна. Государственное участие в инновационном развитии компаний нефтегазового комплекса России / Т. Н. Полякова. - С.250-253. - Библиогр.: с. 253 : рис.
Сергеева, В. В. Управление качеством высшего образования в Республике Казахстан через культуру личности специалиста / В. В. Сергеева. - С.254-259. - Библиогр.: с. 259
Фомичев, А. Н. Административные дисфункции как объект современного менеджмента / А. Н. Фомичев. - С.260-267. - Библиогр.: с. 267
Алгазина, А. А. Психологические основы воздействия на массовое сознание / А. А. Алгазина, Н. Ю. Ражина. - С.268-270. - Библиогр.: с. 270
Гидлевский, Александр Васильевич. Универсальный метод оценки трудности учебных тестовых заданий / А. В. Гидлевский. - С.271-276. - Библиогр.: с. 276 : рис., табл.
Дементий, Людмила Ивановна. Личностные особенности и типология успешных и неуспешных личностей / Л. И. Дементий, О. П. Нечепоренко. - С.277-284. - Библиогр.: с. 283-284
Жуков, Г. С. Дистанционное обучение по направлениям социального образования в университетском комплексе: опыт, проблемы, перспективы / Г. С. Жуков, Е. В. Комарова. - С.285-291. - Библиогр.: с. 291
Федякина, Л. В. Некоторые аспекты дистанционной профессионально-правовой подготовки специалистов социальной работы в системе повышения квалификации / Л. В. Федякина, Т. Э. Галкина. - С.292-295. - Библиогр.: с. 295
Фрезе, Ольга Владимировна. Компетентностный аспект содержания обучения иноязычному письменному деловому общению в электронной среде / О. В. Фрезе. - С.296-301. - Библиогр.: с. 300-301 : табл.
Балакин, Юрий Васильевич. Подходы к решению религиоведческой проблемы ритуала: священник Павел Флоренский и психолог Анри Валлон / Ю. В. Балакин. - С.302-312. - Библиогр.: с. 311-312
Голубцов, С. В. Киргизская (казахская) миссия Русской православной церкви / С. В. Голубцов. - С.313-316. - Библиогр.: с. 316
Полещенко, Константин Николаевич. Коммуникативный ресурс инновационного развития / К. Н. Полещенко [и др.]. - С.317-321. - Библиогр.: с. 321 : рис., табл.
Другие авторы: Разумов В. И., Верхогляд Е. В., Щетинкин Н. А.
Грасмик, Константин Иванович. Малые высокотехнологичные предприятия России: факторы развития, пути государственной поддержки / К. И. Грасмик. - С.322-326. - Библиогр.: с. 326
Полещенко, Константин Николаевич. Динамика инновационного развития нанотехнологии в контексте формирования междисциплинарной системы знаний / К. Н. Полещенко, Н. А. Семенюк. - С.327-333. - Библиогр.: с. 332-333 : рис.
Полещенко, Константин Николаевич. Интеллектуальное предпринимательство: понятийный и образовательный аспекты / К. Н. Полещенко, Е. В. Верхогляд. - С.334-338. - Библиогр.: с. 338 : рис.
Полещенко, Константин Николаевич. Фундаментальные аспекты образовательной подготовки инновационно-ориентированных управленческих кадров / К. Н. Полещенко, В. И. Разумов, Н. А. Щетинкин. - С.339-344. - Библиогр.: с. 343-344 : рис., табл.
Полещенко, Константин Николаевич. Опережающее образование в области эколого-технологического менеджмента как превентивная инновация / К. Н. Полещенко, С. В. Янчий. - С.345-353. - Библиогр.: с. 352-353 : рис.
Рынков, Вадим Маркович. Рецензия на книги И. И. Кротта о сельскохозяйственном предпринимательстве Западной Сибири конца XIX - начала XX в. / В. М. Рынков. - С.354-356
Мирошникова, Ольга Васильевна. Вторая Международная научная конференция "Авторское книготворчество в русской и зарубежной литературе: комплексный подход" / О. В. Мирошникова. - С.357-359
Кутмина, Ольга Анатольевна. Пятые Мартыновские чтения / О. А. Кутмина. - С.360-361
Гефнер, Ольга Викторовна. Военно-исторические исследования и проблемы патриотического воспитания в свете научной конференции / О. В. Гефнер. - С.361-363. - Библиогр.: с. 363
Файл: Вестник №2_2011.pdf
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : НБО (1), ГЧЗ (1)
Свободны: НБО (1), ГЧЗ (1)

Найти похожие
Перейти к описаниям статей

   В37
   М 333

    Матвеев, Александр Викторович.
    Обобщенная модель адсорбции с учетом эффектов решеточной релаксации подложки: хемосорбция щелочных металлов [Текст] / А. В. Матвеев // Вестник Омского университета. - 2011. - № 2. - С. 62-69 : рис., табл. - Библиогр.: с. 69

ГРНТИ

29.19

31.15.35

ББК В378 + Г583.2
Рубрики: Физика металлов--Поверхностные явления
Адсорбция

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : НБО (1), ГЧЗ (1)
Свободны: НБО (1), ГЧЗ (1)

Найти похожие

   З80
   М 341


    Материалы и приборы радиоэлектроники : сб. науч. тр. / Днепропетр. гос. ун-т им. 300-летия воссоединения Украины с Россией ; [редкол.: А. Я. Якунин (отв. ред.) и др.]. - Днепропетровск : [б. и.], 1984. - 176 с. : ил., рис. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 500 экз.. - 0.55 р.
В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования СССР
    Содержание:
Клименко, В. И. Диэлектрическая релаксация в неоднородных кристаллах ZnS:Cu / В. И. Клименко, В. М. Пилипенко, Т. Ф. Чумак. - С .3-11
Пилипенко, В. М. Электролюминесцентные матричные экраны при импульсном возбуждении / В. М. Пилипенко, А. М. Чакк. - С .11-15
Глот, А. Б. Некоторые электрические свойства и колебательные спектры оксидно-цинковых керамических материалов / А. Б. Глот [и др.]. - С .16-21
Другие авторы: Шеремет Г. П., Мирон О. Г., Авдеенко Б. К.
Глот, А. Б. Оксидная керамика для варисторов на низкие напряжения / А. Б. Глот, Г. А. Голобородько. - С .22-25
Берлов, П. А. Электронные переходы в кристаллах ZnS-Al при фотолюминесценции / П. А. Берлов [и др.]. - С .26-30
Другие авторы: Буланый М. Ф., Коваленко А. В., Коджеспиров Ф. Ф., Якунин А. Я.
Коваленко, А. В. Тиристорный регулятор напряжения для печи по выращиванию акустооптических кристаллов / А. В. Коваленко, Ю. Д. Славко. - С .31-34
Письменный, В. Г. Высокочувствительный генератор с фазовым управлением / В. Г. Письменный, С. Ю. Хавронин. - С .35-38
Демишкевич, А. А. Информационная система "Интервал" / А. А. Демишкевич [и др.]. - С .39-43
Другие авторы: Ткаченко С. Э., Харьков С. В., Письменный В. Т., Твердоступ Н. И.
Слынько, Е. И. ЯМР в теллуриде слова, легированном литием / Е. И. Слынько, А. Г. Хандожко, С. Д. Летюченко. - С .44-50
Афонько, Е. Ф. Диэлектрическая дисперсия в фотопроводниково-диэлектрических структурах на основе сульфида кедмия / Е. Ф. Афонько, Е. Е. Сидоренков. - С .51-53
Афонько, Е. Ф. К анализу фотоемкостного эффекта в неоднородных структурах на основе сульфида кальция / Е. Ф. Афонько, А. С. Тонкошкур. - С .54-58
Андреев, А. А. Парамагнитные центры в монокристаллах ZnS, Se, / А. А. Андреев, М. Ф. Буланный, М. М. Савоста. - С .59-63
Василенко, В. Я. Получение V6 O13 методом электрокристаллизация / В. Я. Василенко, А. И. Ивон, И. М. Черненко. - С .64-67
Катков, В. Ф. Фазовый состав нелинейной оксидно-цинковой керамики / В. Ф. Катков, В. О. Макаров. - С .68-71
Груздов, В. Е. Наружный магнитопровод в узле радиочастотной сверки труб / В. Е. Груздов, В. Б. Хиль. - С .72-75
Груздов, В. Е. Влияние конструкции и положения внутреннего магнитопровода на процесс радиочастотной сварки труб / В. Е. Груздов. - С .76-82
Кравченко, В. Н. ЯМР F19 в термообработанном ZnF4H2O / В. Н. Кравченко, И. В. Штамбур. - С .88-89
Тонкошкур, А. С. О применении численных методов оптимизации при анализе диэлектрических спектров диэлектриков / А. С. Тонкошкур, С. Ф. Скляр. - С .90-96
Ткаченко, Б. К. Исследование переходных продольных фототоков в монокристаллах твердых растворов Zn, Cd,S в режиме времени пролета / Б. К. Ткаченко [и др.]. - С .97-104
Другие авторы: Ткаченко Ю. К., Коньков О. И., Петренко В. И., Коджеспиров Ф. Ф.
Василенко, В. Я. Эффект Френкеля-Пула при большой концентрации донорных центров в монокристаллах V2O5 / В. Я. Василенко [и др.]. - С .105-109
Другие авторы: Бурсов К. В., Ивов А. И., Немцов А. В., Черненко И. М.
Катков, В. Ф. Фазовый состав системы ZnO-CoO / В. Ф. Катков, А. К. Кушнерева, Э. В. Берковская. - С .110-113
Марченко, О. Н. О построении волноводных пьезооптических датчиков на основе монокристаллов сегнетоэластиков / О. Н. Марченко, А. П. Остроуменко, А. В. Шмалько. - С .114-119
Уколов, А. Т. Влияние неоднородности легирования эпитаксиальных пленок GaAs на параметры диодов / А. Т. Уколов. - С .120-123
Прохоров, Е. Ф. Взаимодействие эпитаксиальной пленки с полуизолирующей подложкой в приборах из n-GaAs / Е. Ф. Прохоров. - С .124-129
Бровкин, Ю. Н. Использование емкостной методики для исследования высокоомных полупроводников / Ю. Н. Бровкин. - С .130-134
Кучуков, Е. Г. Аппаратура и методы исследования влияния гидростатического давления на люминесценцию кристаллов / Е. Г. Кучуков. - С .135-143
Пеньков, А. П. Управление движением ленточной подложки при получении сверхтонкой фольги печатных плат / А. П. Пеньков, В. И. Троценко, К. В. Данильченко. - С .144-145
Шкут, В. А. Особенности электрических свойств пленок халькогенидных полупроводников в метастабильном и квазистабильном состояниях / В. А. Шкут. - С .146-150
Берлов, П. А. ЭПР А-центров в кристаллах ZnS-Al / П. А. Берлов. - С .151-157
Вихорев, А. И. Спектр поглощения кристалла ZnSiMn в красной и ближней ИК области / А. И. Вихорев. - С .158-161

ГРНТИ

ББК З80я43
Рубрики: Радиоэлектроника--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Якунин, А. Я. \ред.\; Коджеспиров, Ф. Ф. \ред.\; Черненко, И. М. \ред.\; Штамбур, И. В. \ред.\; Коваленко, А. В. \ред.\; Авдеенко, Б. К. ; Коджеспиров, Ф. Ф.; Якунин, А. Я.; Днепропетровский государственный университет им. 300-летия воссоединения Украины с Россией (Днепропетровск)
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

10.

   З84
   М 341


    Материалы электронной техники : сб. науч. тр. / Моск. ин-т электрон. техники ; [редкол.: Е. Б. Соколов (гл. ред.) и др.]. - М. : [б. и.], 1985. - 225 с. : ил., рис. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования СССР. - 300 экз.. - 10.00 р.
    Содержание:
Петрова, В. З. Исследование возможности использования оксидов элементов переменной валентности для улучшения сцепления ситалла со сплавом 47НД / В. З. Петрова [и др.]. - С .3-6
Другие авторы: Гребенькова В. И., Павленко А. Н., Ряников В. Т.
Сорокин, И. Н. Использование электрохимических методов при обработке поверхности арсенида галлия / И. Н. Сорокин [и др.]. - С .7-11
Другие авторы: Ивлев Ю. Н., Цветков Д. В., Чугунов В. Ф.
Сорокин, И. Н. Анодное окисление халькогенидов олова и свинца / И. Н. Сорокин, Д. В. Цветков, Д. Р. Щербачев. - С .12-17
Суханова, Л. С. Проблема герметизации жидкокристаллических индикаторов, применяемых в изделиях электронной техники / Л. С. Суханова, В. И. Григос, Н. Д. Тимерова. - С .18-22
Ермолаева, А. И. Формирование структур кремний-на-изоляторе на стекловидных подложках / А. И. Ермолаева, Н. И. Кошелева, И. П. Горюнов. - С .23-27
Чиликина, Т. Д. Металлодиэлектрические подложки на основе титана для ГИМС / Т. Д. Чиликина, И. Л. Рябова. - С .28-32
Борисов, А. Г. Влияние подготовки поверхности металлической подложки на сцепление диэлектрика с нержавеющей сталью / А. Г. Борисов, И. В. Копейкина. - С .33-36
Тельминов, А. И. Влияние температурно-временных режимов синтеза на структуру стекла системы Li2o-M2O3-Sio2 / А. И. Тельминов, В. А. Воробьев. - С .37-42
Кошелев, Н. И. Изготовление тонких монокристаллических слоев арсенала галлия с применением избирательного электрохимического травления / Н. И. Кошелев, Н. Г. Назаров. - С .43-47
Агафонов, А. В. Исследование химического состава оксидных пленок фосфида индия методом Оже-спектроскопии / А. В. Агафонов, И. Э. Голубская, А. В. Мурыгина. - С .48-52
Никитина, И. Г. исследование кинетики полирования арсенида галлия / И. Г. Никитина [и др.]. - С .53-57
Другие авторы: Подобед Г. Е., Сазонова Г. А., Шафирян К. М.
Шутова, Р. Ф. Кристаллизующиеся молибденосодержащие стекловидные материалы для толстопленочных резисторов / Р. Ф. Шутова, Р. Е. Андронова, Т. В. Борщ. - С .58-61
Мареха, В. И. Исследование влияние температуры и природы дисперсионной среды на плотность предельного осадка суспензий стекол системы BaO-MgO-B2O3-SiO2 / В. И. Мареха, В. В. Сергеева. - С .62-65
Андронова, Р. Е. Симплекс-решетчатое планирование эксперимента при синтезе стекол в области. имеющей форму неправильной усеченной пирамиды / Р. Е. Андронова, Б. Н. Андронов, Т. В. Борщ. - С .66-70
Айвазов, А. А. Фото-ЭДС в жидком селене / А. А. Айвазов, Б. Г. Будагарян. - С .71-74
Айвазов, А. А. Поведение титана в кремнии, полученном бестигельной зонной плавкой / А. А. Айвазов, А. Л. Гиоргадзе, В. К. Прокофьева. - С .75-84
Ким, С. Г. Физико-химический анализ двойных жидких полупроводниковых систем с применением ультраакустического метода исследования / С. Г. Ким, Л. М. Павлова, В. И. Тимошенко. - С .85-92
Кольцов, В. Б. Экспериментальное исследование эффекта Холла и изменения концентрации носителей в соединениях твердой и жидкой фазах / В. Б. Кольцов, В. А. Курбатов. - С .93-96
Кольцов, В. Б. Экспериментальное исследование Эффекта Холла в селениде свинца и сульфида свинца / В. Б. Кольцов, В. А. Курбатов. - С .97-99
Бурханов, А. С. Оценка изменений концентрации носителей заряда и их подвижности в халькогенидах меди в твердом и жидком состоянии / А. С. Бурханов, С. М. Мамедов. - С .100-106
Стрельченко, С. С. Термодинамические функции газообразных соединений / С. С. Стрельченко, А. С. Малкова, В. В. Жаров. - С .107-111
Картушина, А. А. Монокристаллы окиси цинка, легированные литием и кадием / А. А. Картушина [и др.]. - С .112-119
Другие авторы: Куражов В. А., Дробышева Л. И., Каменский М. А.
Антропов, В. Ю. Влияние термообработки на свойства монокристаллов фосфида индия / В. Ю. Антропов, А. А. Картушина. - С .120-123
Евстегнеев, В. И. Кинетика теплопереноса на границе кристалл - расплав при жидкофазной эпитаксии из стехиометрического расплава / В. И. Евстегнеев, В. А. Леви, В. М. Рощин. - С .124-127
Богданов, В. Г. Получение и свойства тонких пленок интрида индия / В. Г. Богданов [и др.]. - С .128-130
Другие авторы: Веселов В. Ф., Добрынин А. В., Слетов М. М.
Баровский, Н. В. Использование тугоплавких металлов для ПАВ-приборов на основе нитрида алюминия / Н. В. Баровский, А. В. Добрынин, Г. А. Найда. - С .131-134
Пахомов, В. И. Особенности осаждения слоев нитрида алюминия реактивным испарением / В. И. Пахомов, Н. В. Баровский, Г. Н. Птахова. - С .135-144
Кутузов, М. К. Математическая модель процесса профильного Оже-анализа системы Insb- Sio2 / М. К. Кутузов, А. А. Раскин. - С .145-157
Сидоров, А. П. Анизотропия пьезоэлектрического эффекта в нитриде алюминия / А. П. Сидоров, Г. А. Найда. - С .157-158
Раскин, А. А. Светоизлучающие линейные индикаторы / А. А. Раскин. - С .158-160
Ухлинов, Г. А. Электрические свойства конденсированных пленок висмута / Г. А. Ухлинов, Ф. В. Марков, Е. Н. Андронова. - С .161-165
Ухлинов, Г. А. Поперечные термо-ЭДС в косонапыленных пленках хрома / Г. А. Ухлинов, Ф. Ч. Каримов, Ф. В. Марков. - С .166-170
Волик, Н. Н. Улучшение свойств электрооптической керамики / Н. Н. Волик, Е. В. Воронькова, О. В. Ерофеева. - С .171-175
Батюня, Л. П. Получение и исследование свойств прозрачной керамики на основе скандатаниобата свинца / Л. П. Батюня, Б. Г. Пожарский, Р. М. Шамсиев. - С .176-179
Селин, А. А. Проблемы жидкофазной гетероэпитаксии твердых растворов / А. А. Селин, Б. Г. Гульгазов, О. В. Толмачева. - С .180-185
Бутурлин, А. И. Применение полупроводниковых пленок двуокиси олова для газового анализа / А. И. Бутурлин, Т. А. Габузян, Ю. Д. Чистяков. - С .186-191
Чистяков, Ю. Д. Интеграция технологических процессов микроэлектроники на основе пороговой концепции / Ю. Д. Чистяков, Н. Н. Филь. - С .192-196
Вигдорович, В. Н. Изопереодические эпитаксиальные гетероструктуры для оптоэлектронных устройств / В. Н. Вигдорович, Н. В. Кодин, В. Г. Гогохия. - С .197-201
Локтев, А. Н. Исследование механических напряжений в маскирующих покрытиях на основе нитрида кремния / А. Н. Локтев [и др.]. - С .202-207
Другие авторы: Железнов Ф. К., Чистяков Ю. Д., Пейдус И. В.
Николаев, И. В. Влияние структуры исходных пленок и его сплавов на электрофизические свойства контактов металл (сплав)- n -арсенид галлия / И. В. Николаев, А. И. Мочалов, Ю. Д. Чистяков. - С .206-213
Яремчук, А. Ф. Аномальное изменение электросопротивления пленок сульфида кадмия в зависимости от их толщины / А. Ф. Яремчук, А. И. Пекарев. - С .214-216
Мочалов, А. И. Исследование физико-химических процессов формирования контактов с барьером Шотки / А. И. Мочалов, Н. Д. Чиковани, Ю. Д. Чистяков. - С .217-222

ГРНТИ

ББК З844.1я43
Рубрики: Электронные приборы--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Соколов, Е. Б. \ред.\; Глазов, В. М. \ред.\; Петрова, В. З. \ред.\; Михайлов, А. И. \ред.\; Адарченко, О. В. \ред.\; Ряников, В. Т. ; Чугунов, В. Ф.; Московский институт электронной техники (М.)
Экземпляры всего: 2
ЕА (2)
Свободны: ЕА (2)
Найти похожие

11.

   З84
   М 597

    Микроэлектроника : учеб. пособие для втузов : [в 9 кн.] / под ред. проф. Л. А. Коледова. - М. : Высшая школа, 1987.
   Кн. 6 : Гибридные интегральные функциональные устройства / [Г. А. Блинов]. - 1987. - 108, [3] с. : ил., рис., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 110. - 50000 экз.. - 0.20 р.
    Содержание:
Конструктивно-технологические принципы исполнения ГИФУ в зависимости от назначения и схемотехнического построения . - С .11-35
Элементная база ГИФУ и ее влияние на конструкцию и технологию производства . - С .36-51
Подложки и элементы коммутации ГИФУ . - С .52-69
Монтаж ГИФУ . - С .70-99
Защита ГИФУ от дестабилизирующих факторов окружающей среды . - С .100-107

ГРНТИ

ББК З844.1я73
Рубрики: Микроэлектроника--Учебные издания для высших учебных заведений

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Коледов, Леонид Александрович \ред.\
Экземпляры всего: 2
ЕА (2)
Свободны: ЕА (2)
Найти похожие

12.

   З85
   Р 780

    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок : [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз..
   Ч. 2 / отв. ред. д-р физ.-мат. наук проф. Л. Н. Александров. - 1977. - 343 с. : рис., фот. ; 27 см. - Библиогр. в конце ст. - (в пер.) : 3.60 р.
    Содержание:
Общие вопросы теории зародышеобразования и роста . - С .5-59
Александров, Л. Н. Образование и свойства переходных слоев в эпитаксиальных пленках / Л. Н. Александров. - С .5-17
Александров, Л. Н. Кинетическая теория трехбарьерных процессов нестационарной нуклеации при фазовых переходах / Л. Н. Александров, Б. И. Кидяров. - С .17-26
Петровский, В. А. Кинетика кристаллизации двухкомпонентных переохлажденных пленок / В. А. Петровский, В. Т. Борисов. - С .27-30
Боровинский, Л. А. Кинетика начальных стадий роста пленки по механизму разрастания и слияния трехмерных зародышей, возникающих на активных центрах подложки / Л. А. Боровинский, Т. И. Круглова. - С .30-35
Боровинский, Л. А. Кинетика стационарного процесса образования зародышей бинарных полупроводников на подложках / Л. А. Боровинский, Н. П. Самолюк. - С .35-39
Трусов, Л. И. Образование сверхструктур при кристаллизации тонких пленок / Л. И. Трусов [и др.]. - С .39-42
Другие авторы: Шерман А. Б., Чижик С. П., Казакова Т. А.
Лукаш, В. С. Использование функций темпа при описании процессов роста кристаллов / В. С. Лукаш [и др.]. - С .42-46
Другие авторы: Никитина Г. В., Останина К. в., Романенко В. Н.
Воронков, В. В. Скорость двумерного зарождения в случае кинетической анизотропии ступеней / В. В. Воронков. - С .46-49
Александров, Л. Н. Расчет распределения примесей в неоднородном поле напряжений дислокаций в полупроводниковых пленках / Л. Н. Александров, А. Н. Коган, В. И. Дьяконова. - С .49-54
Косяков, В. И. Направленная кристаллизация расплавов с химическими реакциями / В. И. Косяков. - С .54-58
Сандулова, А. В. Исследование устойчивости поверхности раздела фаз при выращивании тонких слоев InSb / А. В. Сандулова, Л. Д. Хуторянский, П. П. Петров. - С .58-59
Механизм роста эпитаксиальных слоев . - С .60-138
Ваулин, Ю. Д. Стадии эпитаксиального роста германия в газотранспортном процессе / Ю. Д. Ваулин [и др.]. - С .60-67
Другие авторы: Заможский В. Д., Криворотов Е. А., Вертопрахов В. Н., Мигаль Н. Н., Стенин С. И.
Бойко, С. Р. Изучение особенностей слоевого механизма кристаллизации эпитаксиальных слоев кремния по морфологии их поверхности / С. Р. Бойко. - С .67-72
Ле, Лей Г. Двумерные фазы на поверхности (111) Si и Ge / Лей Г. Ле. - С .72-78
Любалин, М. Д. Форма вицинальных образований на поверхности автоэпитаксиальных слоев кремния / М. Д. Любалин, В. А. Мокиевский, Р. Н. Эрлих. - С .78-84
Лаврентьева, Л. Г. Скорость роста и структура поверхности АЭС GaAs. I. Зависимость от технологических условий выращивания в газотранспортных системах / Л. Г. Лаврентьева [и др.]. - С .84-92
Другие авторы: Ивонин И. В., Красильникова Л. М., Пороховниченко Л. П.
Стрельченко, С. С. Исследование начальных стадий роста, структурных и электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев InAs на GaAs / С. С. Стрельченко [и др.]. - С .98-106
Другие авторы: Захаров Б. Г., Гурфинкель В. И., Михеев Н. Н., Лунькина Г. Б., Лебедев В. В., большакова Г. В.
Чащинов, Ю. М. Формы роста арсенида галлия в иодидной и хлоридной системах / Ю. М. Чащинов. - С .106-112
Пасько, П. Г. Влияние состава газовой фазы и расхода реагентов на механизм роста и морфологию кристаллов окиси цинка / П. Г. Пасько, Б. И. Кидяров, К. И. Авдиенко. - С .112-115
Сандулова, А. В. Кинетика роста, структурные и морфологические особенности нитевидных кристаллов GaSb, легированных Se / А. В. Сандулова [и др.]. - С .115-120
Другие авторы: Финкель С. Б., Охрименко Ю. А., Рыбак В. М.
Малюков, Б. А. Исследование разориентации кристаллографической плоскости роста эпитаксиальной пленки относительно соответствующей плоскости подложки / Б. А. Малюков, В. Е. Королев. - С .120-125
Войцеховский, А. В. Эпитаксиальный рост твердых растворов (GaAs)x(ZnSe)1-x из газовой фазы / А. В. Войцеховский [и др.]. - С .125-128
Другие авторы: Вялый Н. Г., Марончук И. Е., Ходыко Л. А.
Кузнецов, О. Н. Ориентированные слои ß-карбида кремния на кремнии, полученные ионной бомбардировкой и отжигом / О. Н. Кузнецов [и др.]. - С .129-131
Другие авторы: Лежейко Л. В., Любопытова Е. В., Смирнов Л. С., Эдельман Ф. А.
Сергеева, Л. А. Механизм зарождения и роста окислов кадмия и цинка на химически активной подложке / Л. А. Сергеева. - С .131-134
Сергеева, Л. А. Химическое декодирование эпитаксиальных пленок AIIBVI / Л. А. Сергеева [и др.]. - С .135-138
Другие авторы: Конрад Л. А., Подлужный В. В., Калинкин И. П., Новак Г. А.
Закономерности роста пленок в вакууме . - С .139-211
Александров, Л. Н. Начальные стадии эпитаксии германия на кремнии при ионном распылении / Л. Н. Александров [и др.]. - С .139-143
Другие авторы: Ловягин Р. Н., Пчеляков О. П., Стенин С. И.
Александров, Л. Н. О переходе от ступенчатого механизма к нормальному при гомоэпитаксиальном росте тонких пленок / Л. Н. Александров, И. А. Энтин. - С .144-146
Бертулис, К. П. Влияние подслоев серебра и меди на образование пленок CdTe / К. П. Бертулис [и др.]. - С .146-149
Другие авторы: Ясутис В. В., Станкевичус М. В., Толутис В. Б.
Александров, Л. Н. Исследование начальных стадий роста гомоэпитасиальных слоев кремния при осаждении в вакууме / Л. Н. Александров [и др.]. - С .149-154
Другие авторы: Криворотов Е. А., Лютович А. С., Суворов А. Н., Федина Л. И.
Муравьева, К. К. Механизм зарождения эпитаксиальных пленок халькогенидов цинка / К. К. Муравьева [и др.]. - С .154-160
Другие авторы: Калинкин И. П., Кожокарь Ф. И., Франк-каменецкая Г. Э., Иванов В. А.
Муравьева, К. К. Закономерности роста и структура эпитаксиальных пленок халькогенидов цинка на различных подложках / К. К. Муравьева [и др.]. - С .160-167
Другие авторы: Калинкин И. П., Иванов В. А., Франк-каменецкая Г. Э., САкеев Д. А., Воронцов М. Д.
Елисеев, А. В. Синтез эпитаксиальных полупроводниковых пленок на основе катодно-плазменного испарения / А. В. Елисеев, И. П. Калинкин. - С .167-171
Скрипкина, П. А. Механизм кристаллизации тонких пленок антимонида индия в условиях импульсной конденсации / П. А. Скрипкина [и др.]. - С .171-176
Другие авторы: Васин О. И., Петросян В. И., Стенин С. И.
Радауцан, С. И. Морфология поверхности слоев соединения AIIBVI, выращенных из газовой фазы на замкнутом объеме / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, Т. Д. Шемякова. - С .176-182
Светлов, С. П. Изучение факторов, определяющих срыв эпитаксиального роста слоев кремния в вакууме / С. П. Светлов, В. А. Толомасов, Л. С. Еремина. - С .182-186
Гавриленко, Н. В. Фазовый состав, особенности роста и свойства пленок при ВЧ ионно-плазменном распылении соединений AVBVICVII / Н. В. Гавриленко, А. Ф. Онипко, А. Д. Фаленчук. - С .187-193
Карасик, С. Д. Особенности легирования полупроводниковых пленок окиси свинца в процессе их осаждения из газовой фазы и распределение примесей в пленках / С. Д. Карасик [и др.]. - С .193-196
Другие авторы: Орлов Ю. Ф., Соловьев В. Б., Тимофеев О. А.
Головкина, Э. Д. Условия получения и свойства эпитаксиальных полупроводниковых пленок / Э. Д. Головкина [и др.]. - С .197-203
Другие авторы: Кузьмин Г. А., Левченя Н. Н., Лисенко Р. С., Орешникова Г. Б., Фадеева Н. Е.
Вейссмантель, Х. Изготовление тонких слоев с помощью плазмо- и ионно-индуцированных процессов / Х. Вейссмантель [и др.]. - С .203-211
Другие авторы: Ерлер Х-Ио., Хехт Г., Клаус М., Морцек П., Рейссе Г.
Дефекты в эпитаксиальных пленках . - С .212-247
Асеев, А. Л. Дислокационные механизмы пластической релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в монокристаллических слоях кремния и германия / А. Л. Асеев, С. И. Стенин. - С .212-218
Ройтбурд, А. Л. О равновесной структуре эпитаксиального слоя / А. Л. Ройтбурд. - С .219-223
Кузнецов, А. С. Пластическая и упругая деформация в автоэпитаксиальных слоях кремния и германия / А. С. Кузнецов [и др.]. - С .223-228
Другие авторы: Лопатин Е. В., Павлов В. Ф., Соколова Н. С., Фомин В. Г., Юшков Ю. В., Гуревич В. М.
Юшков, Ю. В. Напряжение и дислокации, возникающие в автоэпитаксиальных структурах кремния в процессе их получения / Ю. В. Юшков [и др.]. - С .228-231
Другие авторы: Кузнецов А. С., Лопатин Е. В., Павлов В. Ф., Фомин В. Г.
Василевская, В. Н. Дефекты в эпитаксиальных структурах Si-Siэ-Ge / В. Н. Василевская [и др.]. - С .232-234
Другие авторы: Даценко Л. И., Конакова Р. В., Осадчая Н. В., Тхорик Ю. А., Шварц Ю. М.
Палатник, Л. С. Структурные характеристики эпитаксиальных и периодических волноводных систем на основе GaPxAs1-x / Л. С. Палатник [и др.]. - С .234-236
Другие авторы: Фуке М. Я., Маслов В. Н., Козьма А. А., Михайлов И. Ф.
Маслов, В. Н. Исследование кристаллического совершенства периодических структур на основе твердого раствора GaPxAs1-x / В. Н. Маслов [и др.]. - С .236-240
Другие авторы: Хлебников Н. Н., Константинова М. А., Коробов О. Е., Блаут-Блачев А. Н.
Долгинов, Л. М. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов соединений AIIIBV / Л. М. Долгинов [и др.]. - С .240-245
Другие авторы: Дружинина Л. В., Мильвидский М. Г., Моргулис Л. М., Шевченко Е. Г., Югова Т. А.
Палатник, Л. С. Кристаллизационная пористость в поликристаллических и эпитаксиальных пленках сульфида свинца / Л. С. Палатник [и др.]. - С .246-247
Другие авторы: Фукс М. Я., Черемской П. Г., Алавердова О. Г., Шпаковская Л. П.
Примеси и дефекты в ЖФЭ . - С .248-272
Соловьева, Е. В. Роль примесей и дефектов в формировании свойств нелегированных слоев арсенида галлия / Е. В. Соловьева [и др.]. - С .248-252
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Сабанова Л. Д., Берман Л. В., Колобова В. А., Шаронов Б. Н., Моргулис М. Н.
Болховитянов, Ю. Б. Влияние ориентации подложки на захват примесей при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. - С .253-256
Другие авторы: Болховитянова Р. И., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Якобс, К. исследование легирования оловом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, полученных методом жидкофазной эпитаксии / К. Якобс [и др.]. - С .257-258
Другие авторы: Реппин Р., Буттер Е., Ньюман Г.
Болховитянов, Ю. Б. Влияние малых добавок индия в растворе GaAs-Ga на однородность пленок арсенида галлия / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. - С .259-263
Другие авторы: Болховитянова Р. И., Лисойван В. И., Бейзель Н. Ф.
Емельянов, А. В. Поведение кремния в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, выращиваемых из жидкой фазы / А. В. Емельянов, М. М. Аотамонов, Г. Г. Кириленко. - С .264-268
Арсентьев, И. Н. Получение твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y методом жидкостной эпитаксии и исследование их с помощью электронного зонда / И. Н. Арсентьев [и др.]. - С .268-272
Другие авторы: Гарбузов Д. З., Годлинник Т. Б., Конников С. Г., Румянцев В. Д., Третьяков Д. Н.
Дефекты в кристаллах . - С .273-309
Мильвидский, М. Г. Термические напряжения как фактор, определяющий образование дислокаций в кристаллах полупроводников, выращиваемых из расплава / М. Г. Мильвидский [и др.]. - С .273-279
Другие авторы: Освенский В. Б., Шифрин С. С., Гришина С. П.
Гришин, В. П. Микродефекты в бездислокационном кремнии, полученном методом Чохральского / В. П. Гришин [и др.]. - С .279-282
Другие авторы: Катерушина Л. П., Лайнер Л. В., Носова Е. А.
Воронкова, Г. И. Условия появления вакансионных кластеров в высокочистом германии и кремнии / Г. И. Воронкова [и др.]. - С .282-284
Другие авторы: Петров Е. А., Медведев М. И., Добровенский В. В., Максимов В. А., Неймарк К. Н., Александрова Г. И.
Веселовская, Н. В. Дефекты типа кластеров в монокристаллах кремния / Н. В. Веселовская [и др.]. - С .284-288
Другие авторы: Шейхет Э. Г., Неймарк К. Н., Фалькевич Э. С.
Эйдензон, А. М. Образование малоугловых границ в монокристаллах кремния, выращиваемых из расплава / А. М. Эйдензон, М. Я. Дашевский, Н. И. Казимиров. - С .288-294
Бузынин, А. Н. О причинах образования дислокаций в кристаллах кремния / А. Н. Бузынин [и др.]. - С .294-297
Другие авторы: Блецкан Н. И., Заичко В. В., Шефталь Н. Н.
Атрощенко, Л. В. Выращивание из расплава и исследование структуры, дефектности и фазовых превращений в чистых, легированных и смешанных полупроводниковых монокристаллах AIIBVI / Л. В. Атрощенко [и др.]. - С .298-301
Другие авторы: Куколь В. В., Лакин Е. Е., Носачев Б. Г., Сысоев Л. А.
Рылов, Г. М. Исследование неоднородностей монокристаллов прустита методами рентгеновской топографии / Г. М. Рылов [и др.]. - С .302-305
Другие авторы: Сербуленко М. Г., Годовиков А. А., Ненашев Б. Г.
Головей, М. И. Получение монокристаллов прустита, пираргирита и исследование их кристаллического совершенства / М. И. Головей [и др.]. - С .305-309
Другие авторы: Олексеюк И. Д., Гурзан М. И., Стойко И. М.
Методы исследования неоднородностей . - С .310-339
Грищенко, В. Л. Применение емкостных зондов для определения локальных неоднородностей пленочных структур / В. Л. Грищенко, И. А. Матвеева, В. П. Пронин. - С .310-315
Попов, Ю. Г. Изучение неоднородного распределения примесей в высокомном фосфиде галлия / Ю. Г. Попов [и др.]. - С .315-322
Другие авторы: Крижановский А. Н., Петров А. М., Литвин А. А., Миттенберг Г. Г., Марочук И. Е., Плахов С. Л.
Орлов, О. М. Прибор для автоматического локального измерения профиля легирования полупроводниковых пленок / О. М. Орлов, В. Я. Принц, Э. М. Скок. - С .322-325
Шелпакова, И. Р. Методы послойного анализа монокристаллов и пленок арсенида галлия / И. Р. Шелпакова [и др.]. - С .325-330
Другие авторы: Дорохов А. Н., Солтан С. А., Герасимов В. А., Юделевич И. Г.
Шелпакова, И. Р. Методы послойного анализа монокристаллов и пленок кремния / И. Р. Шелпакова [и др.]. - С .331-336
Другие авторы: Юделевич И. Г., Буянова Л. М., Чанышева Т. А., Щербакова О И., Герасимов В. А., Шабанова Л. М., Корда Т. М., Бахтурова Н. Ф., Зеленцова Л. В., Сапрыкин А. И.
Баранский, П. И. Пластическая деформация и локальные несовершенства в монокристаллах n-Ge / П. И. Баранский [и др.]. - С .337-339
Другие авторы: Василевская В. Н., Коломоец В. Н., Сусь Б. А.

ГРНТИ

29.19.31

ББК З852я43 + В375.14я43
Рубрики: Полупроводниковые кристаллы--Сборники
Полупроводниковые пленки--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Александров, Л. Н. \ред.\; Казакова, Т. А.; Академия наук СССР, Сибирское отделение. Институт неорганической химии(Новосибирск)
Экземпляры всего: 3
ЕА (3)
Свободны: ЕА (3)
Найти похожие

13.

   З81
   Ф 503


    Физико-технологические вопросы кибернетики / Акад. наук Укр. ССР, Ин-т кибернетики ; [отв. ред. д-р техн. наук В. П. Деркач ; отв. за вып. канд. техн. наук В. М. Корсунский]. - Киев : [б. и.], 1977. - 93 с. : рис., [1] л. табл. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: Науч. совет по проблеме "Кибернетика". - 550 экз.. - 0.28 р.
    Содержание:
Сбежнев, Г. Т. Многолучевые методы экспонирования в технологии изготовления интегральных схем / Г. Т. Сбежнев [и др.]. - С .3-11
Другие авторы: Штейман Г. А., Жихарев Е. И., Евдокимов И. И., Костенко Л. И.
Сбежнев, Г. Т. Особенности расчета и проектирования многолучевой электронно-оптической системы, предназначенной для электронолитографии / Г. Т. Сбежнев [и др.]. - С .11-21
Другие авторы: Штейман Г. А., Петров В. М., Егоров Е. В.
Деркач, В. П. Исследование влияния подложки на стационарное температурное поле, возникающее в полупроводниковой пластине при электронно-лучевой микрообработке / В. П. Деркач, М. Г. Опаец. - С .21-33
Кабанов, А. Н. Методика решения тепловой задачи электронно-лучевой обработки до фазовых превращений / А. Н. Кабанов, Е. А. Грачев, В. В. Стахневич. - С .33-46
Ледовской, В. П. Влияние режимов экспозиции и контрастности резиста на разрешение электронолитографического метода / В. П. Ледовской, В. И. Марголин, Т. Н. Якимов. - С .46-54
Глазко, М. Н. О применении электронно-лучевой технологии при изготовлении интегральных модулей ПЗУ / М. Н. Глазко [и др.]. - С .54-65
Другие авторы: Деркач В. П., Корсунский В. М., Медведев И. В.
Смоляницкий, И. Я. Электронно-лучевое оборудование для микрообработки / И. Я. Смоляницкий, Ю. В. Заумыслов, Б. И. Семидоцкий. - С .66-77
Голубклв, М. П. Электронно-лучевое изготовление кварцевых масок / М. П. Голубклв [и др.]. - С .77-80
Другие авторы: Тарасов Ю. Д., Титов В. К., Меркулова М. В.
Бояринов, А. П. выращивание эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме при электронно-лучевом нагреве / А. П. Бояринов [и др.]. - С .80-84
Другие авторы: Дудко Г. В., Пилипенко А. Г., Хлебников И. И.
Ледовский, В. П. Электронно-лучевая технология сверхпроводящих пленок / В. П. Ледовский, Н. А. Потсар. - С .84-91

ГРНТИ

ББК З81я43
Рубрики: Кибернетика--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Деркач, В. П. \отв. ред.\; Корсунский, В. М. \отв. за вып.\; Евдокимов, И. И. ; Костенко, Л. И. ; Егоров, Е. В.; Академия наук Украинской ССР (Киев). Институт кибернетики
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

14.

   З84
   Ч-498

    Черняев, Владимир Николаевич.
    Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров : учеб. для студентов вузов, обучающихся по специальностям: "Конструирование и пр-во электрон.-вычисл. аппаратуры", "Конструирование и пр-во радиоаппаратуры" / В. Н. Черняев. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1987. - 463, [1] с. : табл., рис. ; 22 см. - Авт. на корешке не указан. - Библиогр.: с. 455. - Предм. указ.: с. 456-460. - 28000 экз.. - (в пер.) : 1.40 р.
    Содержание:
Методы описания и анализа технологических процессов производства интегральных микросхем . - С .12-53
Описание, анализ и моделирование технологических процессов производства интегральных микросхем . - С .12-38
Краткое описание процессов изготовления интегральных микросхем . - С .38-53
Технология механической и химической обработки подложек для интегральных микросхем . - С .53-97
Подложки для интегральных микросхем и технология их механической обработки . - С .53-78
Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем . - С .78-97
Технология производства оксидных и легированных слоев на полупроводниковых пластинах . - С .97-119
Формирование диэлектрических пленок на полупроводниковых пластинах . - С .97-119
Технология получения легированных слоев полупроводниковых структур методами термической диффузии . - С .119-140
Технология получения эпитаксиальных полупроводниковых слоев . - С .140-164
Технология получения ионно-легированных структур в производстве интегральных микросхем . - С .164-194
Технология литографических процессов . - С .194-269
Фотолитографические процессы в технологии интегральных микросхем . - С .194-225
Технология изготовления литографических шаблонов . - С .226-247
Элионные методы литографии в технологии интегральных микросхем . - С .247-269
Технология и оборудование производства тонкопленочных элементов интегральных микросхем . - С .270-313
Технология получения металлических пленок для коммутации структур в производстве интегральных микросхем . - С .270-289
Технологическое оборудование для получения тонких пленок в производстве интегральных микросхем . - С .290-313
Технология монтажа и сборки интегральных микросхем . - С .314-340
Технология монтажа кристаллов на ленточные носители . - С .314-328
Технология герметизации интегральных микросхем и микропроцессоров . - С .329-340
Технология полупроводниковых интегральных микросхем . - С .341-417
Технология биполярных интегральных микросхем . - С .341-367
Базовая технология МДП- интегральных микросхем . - С .367-384
Совершенствование базовых технологических процессов в производстве интегральных микросхем . - С .384-417
Технология гибридных интегральных микросхем и микросборок . - С .418-453
Технология тонкопленочных гибридных интегральных микросхем и микросборок . - С .418-440
Технология гибридных толстопленочных интегральных микросхем . - С .440-453

ГРНТИ

ББК З844.1я73-1
Рубрики: Интегральные микросхемы--Технология производства--Учебники для высших учебных заведений
Микропроцессоры--Технологические процессы--Учебники для высших учебных заведений

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

15.

   В37
   Д 508

    Диэлектрики и полупроводники : межведомственный научный сборник. - Киев : Вища школа, 1977 - .
   Вып. 11 / Киев. политехн. ин-т ; [ред. М. М. Некрасов и др.]. - 1977. - 113, [3] с. : рис. ; 22 см. - ). - Огл. парал. рус., англ. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования УССР. - 1000 экз.. - 0.72 р.
    Содержание:
Канчуковский, О. П. Эффективная скорость лавинной ионизации и длина микроплазмы в структурах кремний-никель / О. П. Канчуковский [и др.]. - С .3-9
Другие авторы: Казимирский С. Б., Мороз Л. В., Садова Н. Н., Кучин В. Д., Преснов В. А.
Клетченков, И. И. Исследование причин дрейфа коэффициента усиления германиевых транзисторов / И. И. Клетченков, В. Л. Приходько, Я. Н. Лукашенко. - С .9-13
Дорошенко, М. З. О влиянии процесса активного старения генераторных СВЧ-транзисторов на статистическую взаимосвязь электрических параметров / М. З. Дорошенко [и др.]. - С .13-16
Другие авторы: Кисурин А. А., Федоров Е. И., Щевелев М. И.
Сандулова, А. В. Применение нитиевидных кристаллов антимонида галлия в приборостроении / А. В. Сандулова, Ю. А. Охрименко. - С .16-20
Березкин, В. В. Образование дефектов в кремниевых пластинах диаметром 60 мм в процессе механических и термических обработок / В. В. Березкин, В. И. Паламарчук, В. Д. Кизилов. - С .20-25
Некрасов, М. М. К выбору физических параметров германиевого лавинного транзистора / М. М. Некрасов [и др.]. - С .25-33
Другие авторы: Гусев В. А., Босый В. И., Мерхалев С. Г.
Кудрицкий, В. Д. Метод прогнозирования надежности изделий электронной техники по выходным параметрам / В. Д. Кудрицкий, А. И. Попов. - С .33-36
Богдан, Г. И. Исследование проводимости в пленках барийборосиликатных стекол / Г. И. Богдан, Н. З. Фризюк. - С .36-40
Халаим, А. П. О параметрах сегнетоэлектрических преобразователей с дискретными мишенями / А. П. Халаим. - С .40-49
Королев, Ю. В. Использование гибридного множительно-делительного устройства в системе оптимального управления технологическими процессами / Ю. В. Королев [и др.]. - С .49-55
Другие авторы: Бардаченко В. Ф., Графов Р. П., Нестер В. В.
Якименко, Ю. И. Анализ характеристик пьезоэлектрических трансфильтров / Ю. И. Якименко. - С .56-62
Левченко, О. И. Стабилизация спонтанной поляризации монокристаллов титаната висмута / О. И. Левченко, Н. З. Фризюк. - С .62-66
Назаренко, Л. С. Влияние заземленной пластины и диэлектрической подложки микрополосковой линии на собственную добротность диэлектрических резонаторов / Л. С. Назаренко, Б. С. Черний, В. Г. Цыкалов. - С .66-69
Жук, О. Е. Исследование влияния технологии изготовления на параметры пьезотрансформаторов / О. Е. Жук, И. А. Карташев. - С .69-72
Вишневский, В. С. О согласовании статора пьезоэлектрического двигателя с пассивным ротором / В. С. Вишневский. - С .72-75
Нехтман, А. А. Корреляция теплового и электрического сопротивлений изоляции герметизированных кабелей / А. А. Нехтман. - С .75-81
Салей, В. С. Рентгеноструктурное исследование твердых растворов ЦТС вблизи морфотропной границы / В. С. Салей [и др.]. - С .81-86
Другие авторы: Пономарев Ю. А., Поплавко Ю. М., Климов В. В.
Онищук, И. Н. Частичные разряды и ток утечки в полимерных материалах при выпрямленном напряжении / И. Н. Онищук. - С .86-91
Поплавко, Ю. М. Исследование сегнетоэлектриков методом диэлектрической спектроскопии / Ю. М. Поплавко. - С .92-103
Адамян, З. Н. Усилитель и преобразователь света / З. Н. Адамян, В. М. Арутунян. - С .103-107

ГРНТИ

29.19.33

29.19.31

ББК В379.3я54 + В379.2я54
Рубрики: Диэлектрики--Сборники
Полупроводники--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Некрасов, М. М. \ред.\; Богдан, Г. И. \ред.\; Ильченко, Н. С. \ред.\; Калниболотский, Ю. М. \ред.\; Кириленко, В. М. \ред.\; Кучин, В. С. \ред.\; Находкин, Н. Г. \ред.\; Поплавко, Ю. М. \ред.\; Рвачев, А. Л. \ред.\; Садова, Н. Н.; Кучин, В. Д.; Преснов, В. А.; Киевский политехнический институт (Киев)
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

16.

   В37
   Ж 695


    Жидкие кристаллы и их практическое применение : межвузовский сборник научных трудов / Иван. гос. ун-т им. первого в России Иван.-Вознес. общегор. Совета рабочих депутатов ; [ред. И. Г. Чистяков и др.]. - Иваново : Ивановский государственный университет, 1982. - 163 с. : рис., табл. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР. - 600 экз.. - 1.10 р.
    Содержание:
Минеев, Л. Текстурные и структурные изменения в смектическом жидком кристалле под влиянием светового излучения / Л. Минеев [и др.]. - С .3-19
Другие авторы: Калинникова Т., Бардуков Л., Чистяков И.
Шабышев, Л. Два типа рентгенограмм смектики С / Л. Шабышев. - С .19-23
Каменчук, Л. Структура смектической С фазы бис-(4-II-гексилоксибензилиден)-I, 4-фенилендиамина / Л. Каменчук, Е. Костерин, О. Владимирова. - С .24-31
Бельцов, Б. Расчет дифракции от моделей структур жидких кристаллов / Б. Бельцов, И. Сушкин. - С .31-35
Вальков, С. Исследование структуры мультислоев стеарата бария / С. Вальков. - С .36-44
Валькова, Л. Структура некоторых гомологов ряда н-алкиловых эфиров п-фенилбензаль-п’-аминокоричной кислоты / Л. Валькова, С. Вальков, А. Шабышева. - С .44-51
Лагунов, А. Ориентационная релаксация жидких кристаллов при высоких давлениях / А. Лагунов, А. Ларионов. - С .52-60
Аверьянов, Е. Ориентационный порядок гибких молекул в жидком кристалле / Е. Аверьянов. - С .60-67
Зейналов, Р. Домены в реентрант-нематическом жидком кристалле / Р. Зейналов. - С .67-73
Булыгин, А. Релаксация упругих деформаций нематических жидкокристаллических сред / А. Булыгин, Л. Шалтыко. - С .74-80
Кирсанов, Е. Продольные домены в нематических кристаллах МББА и ПАА / Е. Кирсанов, Ю. Мушников. - С .80-86
Разумов, А. Электродинамика смектической С-фазы / А. Разумов, Н. Кичева. - С .86-93
Вистинь., Л. Переход Фредерикса в фенилбензоатах / Л. Вистинь., Ю. Магакова, И. Клейнман. - С .93-98
Бобров, В. Влияние вязкости и поверхностного натяжения жидкокристаллического смазочного материала на коэффициент трения твердых тел / В. Бобров. - С .98-103
Зайцев, В. Влияние свойств подложки на электрические и оптические характеристики жидких кристаллов / В. Зайцев, Н. Каледенкова, И. Чистяков. - С .104-111
Стрельцов, С. Измерение теплопроводности жидких кристаллов / С. Стрельцов, Л. Валькова. - С .111-116
Акопова, О. Тонкослойная хроматография холестерических жидких кристаллов на окиси алюминия / О. Акопова, М. Шаварина, Г. Майдаченко. - С .116-123
Усольцева, Н. Особенности взаимодействия хлорофилловых кислот в жидкокристалличеких матрицах / Н. Усольцева, О. Акопова, А. Абрамов. - С .123-135
Жаренов, Р. Аппаратура для исследования спектров селективного отражения света холестерическими жидкими кристаллами / Р. Жаренов [и др.]. - С .135-140
Другие авторы: Минеев Л., Бардуков Л., Курганов К.
Калинникова, Т. Термостатичекое устройство для съемки УФ-спектров поглощения жидких кристаллов / Т. Калинникова, Л. Крайнова, Р. Смирнов. - С .140-146
Бронникова, А. Применение метода жидкокристаллической термографии для неразрущающего контроля пьезокерамических преобразователей / А. Бронникова, Р. Жаренов, Л. Котович. - С .146-151
Зайцева, Н. Диагностика некотрых кожных заболеваний термографическим методом с помощью жидких кристаллов / Н. Зайцева, А. Бронникова. - С .152-156
Федоровых, Л. Применение жидкокристаллической термографии реконвалесцентов вирусного гепатита в катамнезе / Л. Федоровых [и др.]. - С .156-160
Другие авторы: Ужинова Е., Резниченко А., Усольцева Н.
Шибачева, Н. Жидкокристаллическая термография в диагностике колитов / Н. Шибачева, Н. Кормилицын. - С .160-162

ГРНТИ

29.19

ББК В371.235я43
Рубрики: Кристаллы жидкие--Применение--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Чистяков, И. Г. \ред.\; Жаренов, Р. И. \ред.\; Костерин, Е. А. \ред.\; Майдаченко, Г. Г. \ред.\; Крайнова, Л. П. \ред.\; Чистяков, И.; Ивановский государственный университет им. Первого в России Иваново-Вознесенского общегородского Совета рабочих депутатов (Иваново)
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

17.

   В36
   М 545


    Методы и средства математического моделирования процессов переноса : сборник научных трудов / Каз. гос. ун-т им. С. М. Кирова ; [редкол.: А. Т. Лукьянов (науч. ред.) и др.]. - Алма-Ата : КазГУ, 1985. - 161 с. : табл., рис. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования Каз. ССР. - 500 экз.. - 0.80 р.
    Содержание:
Джакупов, К. Б. Семейства полуявных и полунеявных схем для уравнений Буссинеска, Навье-Стокса / К. Б. Джакупов. - С .3-9
Ильин, И. А. Расчет естественной тепловой гравитационной конвекции в замкнутой квадратной полости методом сплайн-коллокации / И. А. Ильин, С. Б. Искаков. - С .10-16
Гайдаков, Ю. В. Сплайн-разностные схемы для обыкновенных дифференциальных уравнений второго порядка / Ю. В. Гайдаков, Э. А. Ивахненко, М. К. Тевс. - С .17-20
Корнейчук, А. В. Алгоритм BSPLNE для решения двухмерных краевых задач математической физики методом сплайн-коллокации / А. В. Корнейчук, К. К. Фот. - С .21-29
Будникова, Т. Ф. Расчет теплообмена при течении затвердевающей жидкости в каналах / Т. Ф. Будникова, И. Ф. Жеребятьев. - С .29-37
Харин, С. Н. Расчет дуговой эрозии контактов методом мажорантных функций / С. Н. Харин. - С .38-47
Раймбеков, Ж. Д. О численном решении бесконечной системы конечно-разностных уравнений / Ж. Д. Раймбеков, Н. Т. Данаев. - С .48-53
Рысбаев, Б. Р. Оценки решения разностной схемы для модели магнитной гидродинамики / Б. Р. Рысбаев, Ш. Смагулов. - С .54-59
Аскарова, А. С. Массообмен пластины, обтекаемой потоком капельной жидкости / А. С. Аскарова. - С .60-65
Нестеренкова, Л. А. Влияние внутренних отложений на теплопередачу через стенку трубопровода / Л. А. Нестеренкова. - С .66-70
Милюк, И. Р. Анализ чувствительности уравнений тепломассопреноса в трубопроводе / И. Р. Милюк. - С .71-76
Балакаева, Г. Т. Численное моделирование обтекания пористой пластины сверхзвуковым потоком жидкости / Г. Т. Балакаева, С. И. Глозман. - С .77-81
Евдокимова, Н. И. Об одном интегральном методе расчета аэродинамики плоского нейтрализатора / Н. И. Евдокимова, У. К. Жапбасбаев. - С .82-92
Головин, В. А. Встречное взаимодействие потоков, ограниченное плоскими непроницаемыми стенками / В. А. Головин. - С .92-101
Серовайский, С. Я. Регуляризация оптимизационных задач по А. Н. Тихонову и приближенное решение условий оптимальности / С. Я. Серовайский. - С .101-108
Лукьянов, А. Т. Оптимальное управление нестационарными процессами в химическом реакторе / А. Т. Лукьянов, Л. В. Протасова. - С .108-115
Исеев, Р. И. Вариационный метод в задаче оптимизации нестационарных тепловых процессов в магнитном трубопроводе с учетом случайных воздействий / Р. И. Исеев. - С .116-120
Шакаева, Ф. К. К расчету плотности объемного заряда в сильноточных эмиссионных системах / Ф. К. Шакаева. - С .121-126
Степаненко, В. П. Об одном численном методе решения задачи оптимального управления процессами геофильтрации / В. П. Степаненко. - С .127-132
Мажренова, Н. Р. Оптимизация процесса газофазного диффузионного насыщения графитовой подложки карбидами тугоплавких металлов / Н. Р. Мажренова [и др.]. - С .133-135
Другие авторы: Шувалов Г. Н., Руденко Н. В., Синани Л. И., Смирнов В. Н., Черников Ю. П.
Синчев, Б. Исследование управляемой системы со многими нелинейностями методом погружения / Б. Синчев. - С .136-139
Кожамкулов, Т. А. Статистическое моделирование замкнутых путей / Т. А. Кожамкулов, Л. Н. Крыкбаева. - С .140-143
Белобабов, В. В. Сетевой метод оптимизации многотемных проектов с системе СПУ / В. В. Белобабов, Ю. С. Васильев. - С .144-147

ГРНТИ

29.29

ББК В365.55я43 + З971я43
Рубрики: Процессы переноса (физ.)--Моделирование--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Лукьянов, А. Т. \ред.\; Жеребятьев, И. Ф. \ред.\; Ицкова, П. Г. \ред.\; Дзибалов, Ю. И. \ред.\; Неронов, В. С. \ред.\; Артюх, Л. Ю. \ред.\; Синани, Л. И.; Смирнов, В. Н.; Черников, Ю. П.; Казахский государственный университет им. С. М. Кирова (Алма-Ата)
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

18.

   В38
   И 889


    Исследования по теории элементарных частиц и твердого тела : межвузовский тематический сборник / Ярослав. гос. ун-т ; [редкол.: З. М. Липманов (отв. ред.) и др.]. - Ярославль : [б. и.], 1983. - 149 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР. - 500 экз.. - 1.00 р.
    Содержание:
Кузнецов, А. В. О возможном эффекте СР-нарушения в распаде мюона / А. В. Кузнецов, Э. М. Липманов. - С .3-16
Кузнецов, А. В. Электромагнитные поправки порядка λ[2] к µ-распаду в начале спектра / А. В. Кузнецов, Н. В. Михеев. - С .17-28
Липманов, Э. М. Массы лептонов шести поколений из дважды экспоненциальной эмпирической формулы для спектра масс / Э. М. Липманов. - С .29-45
Певзнер, М. Ш. О динамическом возникновении массы электрона в квантовой электродинамике / М. Ш. Певзнер. - С .45-58
Световой, В. Б. Объединение поколений на основе группы [SU[L](2)]ⁿ * U(1) * S[n] / В. Б. Световой. - С .59-75
Келбовский, Ю. А. Применение теоретико-группового анализа для нахождения автомодельных решений задач математической физики / Ю. А. Келбовский. - С .76-90
Кречет, В. Г. Спинорное поле в общерелятивистской теории гравитации / В. Г. Кречет. - С .91-102
Кузнецов, В. С. Поверхностные моды колебаний на грани (III) алмазоподобных полупроводников / В. С. Кузнецов. - С .103-110
Кузнецов, В. С. Колебания одномерного ограниченного кристалла и поверхностные моды колебаний / В. С. Кузнецов, С. В. Хорошун. - С .111-119
Григорьев, А. И. Влияние твердой подложки на устойчивость сферических слоев жидкости / А. И. Григорьев. - С .120-130
Смирнов, А. Д. Релятивистские поправки к гамильтониану кваркония в одноглюонном приближении КХД / А. Д. Смирнов. - С .131-140
Смирнов, А. Д. Спиновые эффекты при электромагнитном распаде тяжелого кваркония в адроны / А. Д. Смирнов, И. М. Быков. - С .141-148

ГРНТИ

29.05

29.19

ББК В382я43 + В371.1я43
Рубрики: Элементарные частицы--Теория--Сборники
Твердого тела теория--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Липманов, З. М. \ред.\; Кузнецов, В. С. \ред.\; Сандина, И. В. \ред.\; Кобловский, Ю. Я. \ред.\; Михеев, Н. В. \ред.\; Ярославский государственный университет (Ярославль)
Экземпляры всего: 2
ЕА (2)
Свободны: ЕА (2)
Найти похожие

19.

   В37
   П 781

    Пробой диэлектриков и полупроводников / Дагест. гос. ун-т им. В. И. Ленина. - Махачкала : [б. и.], 1976 - .
   Вып. 2 : межвузовский сборник / [редкол.: А. З. Эфендиев (отв. ред.) и др.]. - 1976. - 231 с. : рис. ; 22 см. - ). - Библиогр. в конце ст. - В надзаг. также: М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР. - 500 экз.. - 0.70 р.
    Содержание:
Эфендиев, Абдул Закиевич. Многоканальный разряд в гелии / А. Э. Эфендиев. - С .3-18
Рабаданов, Р. А. Влияние температуры подложки на рост и свойства пленок окиси цинка / Р. А. Рабаданов, Д. А. Шаихов, Б. А. Абрамова. - С .19-21
Попов, Н. С. Механические и структурные свойства керамики МГ-2 после облучения нейтронами / Н. С. Попов, Н. С. Костюков, Н. П. Антонова. - С .22-27
Окаров, О. А. Влияние сильных магнитных полей на первый ионизационный коэффициент Таунсенда / О. А. Окаров, А. С. Таймасханов, М. Б. Хачалов. - С .28-37
Балабеков, А. И. Изменение электрической прочности керамических диэлектриков в процессе импульсного гамма-нейтронного облучения / А. И. Балабеков. - С .38-43
Эфендиев, Абдул Закиевич. Электрический пробой электрокерамики / А. З. Эфендиев, А. И. Балабеков, Н. С. Костюков. - С .44-51
Учурханов, М. М. Таблицы для расчета доз ядерных источников излучения по ферросульфатному методу дозиметрии / М. М. Учурханов. - С .52-60
Костюков, Н. С. О тепловом пробое диэлектриков в условиях облучения / Н. С. Костюков [и др.]. - С .61-68
Другие авторы: Муминов М. И., Очилов А., Малашенкова Г. В.
Эфендиев, Абдул Закиевич. Формирование пробоя воздуха под действием импульсного электронного пучка / А. З. Эфендиев [и др.]. - С .69=77
Другие авторы: Нураливе Н. Э., Феоктистов В. И., Абдурахманов Т. А.
Дмитриев, В. М. Природа проводимости ультрафарфора и его старение в электрическом и температурном полях / В. М. Дмитриев. - С .78-85
Кишов, М.-Р. Г. Ступенчатый провал напряжения при искровом пробое гелия и азота / М.-Р. Г. Кишов. - С .86-90
Тютнев, А. П. Измерение объёмных токов утечки электроизоляционных материалов в процессеимпульсного облучения ионизирующими излучениями / А. П. Тютнев, В. П. Сичкарь, А. А. Пономарев. - С .91-98
Мамедов, М. Г. Управляемый электрической пробой / М. Г. Мамедов. - С .99-100
Эфендиев, Абдул Закиевич. Время формирования пробоя недонапряженных газовых зазоров / А. З. Эфендиев, Т. А. Абдурахманов, Н. Э. Нуралиев. - С .101-105
Костюков, Н. С. Установка для излучения электропрочности газовых промежутков и поля перекрытия изоляторов в условиях рентгеновского облучения / Н. С. Костюков [и др.]. - С .106-112
Другие авторы: Князев В. А., Зильберман М. И., Минаков Н. В., Романов Ю. И.
Учурханов, М. М. Графический метод дозиметрии ядерных источников излучения по измерению молекулярного веса полимера / М. М. Учурханов, А. З. Эфендиев. - С .113-119
Завадовская, Е. К. Изменение проводимости керамических материалов под воздействием протонного облучения / Е. К. Завадовская [и др.]. - С .120-125
Другие авторы: Боев С. Г., Малофиенко Г. М., Сигаев Г. И.
Балабеков, А. И. Пробой керамических диэлектриков после реакторного облучения / А. И. Балабеков [и др.]. - С .126-128
Другие авторы: Костюков Н. С., Эфендиев А. З., Нурдинов Л. З., Сандаков В.
Гайдаров, Ш. А. К вопросу о расчёте величины критического теплового потока при кипении жидких металлов в большом объёме / Ш. А. Гайдаров. - С .129-133
Жохов, В. З. Влияние частотного электрического поля на неустойчивость тока в селеновом э.-д. переходе / В. З. Жохов, А. А. Степуренко. - С .134-136
Гаджиев, С. М. Высоковольтная электропроводность расплавленных фторидов щелочных металлов / С. М. Гаджиев [и др.]. - С .137-139
Другие авторы: Шабанов О. М., Джабраилова Г. А., Селимов П. Р.
Джабраилова, А. С. Определение микросодержания урана в полидисперсных соединениях / А. С. Джабраилова, Е. Г. Абрамова. - С .140-143
Тютнев, А. П. Индуцированная излучением импульсная проводимость твердых аморфных и поликристаллических диэлектриков в несильных электрических полях (Е0 105 В/см) / А. П. Тютнев [и др.]. - С .144-153
Другие авторы: Сичкарь В. П., Городский Д. Д., Пономарев А. А.
Учурханов, М. М. Графический метод дозиметрии ядерных источников излучения по электропроводности / М. М. Учурханов. - С .154-157
Гаджиев, А. З. Исследование водородной связи спиртов с различными донорными молекулами в растворах методом ИК-поглощения / А. З. Гаджиев, В. И. Мартовицкий. - С .158-165
Кажлаев, С. М. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальнеых пленках / С. М. Кажлаев [и др.]. - С .166-167
Другие авторы: Рабаданов Р. А., Атаев Б. М., Шаихов Д. А., Абдуев А. Х.
Шохов, В. З. Поведение теллура в электрическом и магнитном полях / В. З. Шохов, А. А. Степуренко, А. Магомедов М.-Р. - С .168-172
Харитонов, Ф. Я. Механическая прочность и стойкость керамики к коррозии в агрессивных средах / Ф. Я. Харитонов. - С .173-184
Гаджиев, С. М. Некоторые особенности высоковольтного поведения водных растворов электролитов / С. М. Гаджиев, Г. А. Джабраилова. - С .185-187
Мамаев, Е. М. Об исследовании делителя частоты с нелинейной емкостью р-п перехода, методом медленно меняюшихся комплексных амплитуд / Е. М. Мамаев. - С .188-194
Нуралиев, Н. Э. Влияние магнитного поля на электрический разряд в воздушном зазоре, ограниченном диэлектриками / Н. Э. Нуралиев. - С .191-194
Ризаханов, М. А. Учёт влияния перекрытия волновых функций электронных состояний на спектры поглощения ДАП в системе CdS-CdSe / М. А. Ризаханов, Н. А. Абилова. - С .195-196
Сафаралиев, Г. К. Получение исследование "жёлтых" светодиодов на основе n-SiC(Be, N) / Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. - С .197-198
Исаев, М. Р. Возникновение и развитие микроплазменной неустойчивости тока в кремниевых р-п переходах при синусоидальном сигнале / М. Р. Исаев [и др.]. - С .199-201
Другие авторы: Муталибов Ш. Р., Магомедов М. А., Алиев Б. Г.
Учурханов, М. М. Ускоренный метод расчета доз ядерных источников излучений посредством ферросульфатного метода дозиметрии и таблицы (Kt) / М. М. Учурханов. - С .202-205
Абдурахманов, А. А. Магнитооптические эффекты в ферромагнитных металлах / А. А. Абдурахманов [и др.]. - С .206-215
Другие авторы: Гаврилов Э. С., Расулов А. Р., Халилов И. Х.
Гаджиев, С. М. Связь транспортных свойств расплавленных солей в сильных электрических полях / С. М. Гаджиев. - С .216-217
Базаев, А. Р. Изменение плотности воды при растворении в ней метана в условиях высоких температур / А. Р. Базаев. - С .218
Базаев, А. Р. Применение ультразвука для полирования больших поверхностей / А. Р. Базаев [и др.]. - С .219-220
Другие авторы: Джабраилова Г. А., Тагиров С. М., Гаджиев С. М.
Исамухамедов, С. Д. Исследование разряда по поверхности глазурованного фарфора в вакууме / С. Д. Исамухамедов, А. С. Кудратиллаев, Н. Хамидов. - С .221-227

ГРНТИ

ББК В379.271.24 + В379.371.24
Рубрики: Полупроводники--Пробой--Сборники
Диэлектрики--Пробой--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Эфендиев, Абдул Закиевич \ред.\; Рабаданов, Р. А. \ред.\; Завадовская, Е. К. \ред.\; Учурханов, М. М. \ред.\; Юнусов, А. М. \ред.\; Балабеков, А. И. \ред.\; Малашенкова, Г. В.; Дагестанский государственный университет им. В. И. Ленина
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

20.

   В37
   П 533


    Полупроводниковые пленки и их использование : сборник статей / Калмыц. гос. ун-т ; [отв. ред. - канд. физ.-мат. наук У. М. Кулиш]. - Элиста : Издательство Калмыцкого Государственного университета, 1973. - 122 с. : рис. ; 22 см. - Загл. обл. : Эпитаксиальные пленки и их использование. - Библиогр. в конце ст. - 500 экз.. - 0.20 р.
    Содержание:
Кулиш, У. М. Влияние примесей на растворимость элементарных полупроводников в жидких металлах / У. М. Кулиш. - С .3-15
Кулиш, У. М. Расчет скорости роста эпитаксиальных пленок / У. М. Кулиш. - С .16-21
Кулиш, У. М. Смачивание, растворение и эпитаксиальный рост полупроводников типа A3B7 / У. М. Кулиш. - С .22-31
Кулиш, У. М. Влияние ориентации подложки и скорости охлаждения на состав твердых растворов AlxGa1-xAs / У. М. Кулиш, В. П. Тен. - С .32-41
Кулиш, У. М. Свойства п-арсенида галлия, полученного жидкостной эпитаксией из раствора в олове / У. М. Кулиш, А. П. Васильев. - С .42-47
Кулиш, У. М. Кремниевые диоды со структурой p+n'-Si-n+, обладающие отрицательным сопротивлением S-типа / У. М. Кулиш, А. П. Вяткин. - С .48-56
Кулиш, У. М. Изменение растворимости германия и мышьяка в галлии под влиянием примесей / У. М. Кулиш. - С .57-63
Кулиш, У. М. О поведении примесей в тройных соединениях типа AIIBVICV/II / У. М. Кулиш. - С .64-68
Вульфсон, К. С. Экспериментальное определение функции автокорреляции периодического и случайного процессов / К. С. Вульфсон, Ф. А. Казачкова, В. Г. Казачков. - С .69-74
Казачков, В. Г. Индикатрисы коэффициента пропускания оптического волокна / В. Г. Казачков, Ф. А. Казачкова. - С .75-79
Исаев, Г. Н. Об одной "треугольной" системе высшего порядка / Г. Н. Исаев. - С .80-84
Кулиш, У. М. Свойства пленок GaAs, выращенных из раствора на подложках с различными ориентациями /интервал (100)-(111)А, В-(110)/ / У. М. Кулиш, В. П. Тен. - С .85-91
Кулиш, У. М. Влияние ориентации подложек на свойства пленок GaAs, ZnxGa1-xAs, и AlxGa1-xAs, полученных жидкостной эпитаксией / У. М. Кулиш. - С .92-102
Витязев, В. В. Программа расчета параметров решетки полевых шпатов методом наименьших квадратов / В. В. Витязев, С. С. Кумеев. - С .102-114

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2я43
Рубрики: Полупроводниковые пленки--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Кумеев, С. С. \ред.\; Кулиш, У. М. \ред.\; Кобильский, Г. И. \ред.\; Борликов, Г. М. \ред.\; Куринов, Б. С. \ред.\; Калмыцкий государственный университет (Элиста)
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

1-20 21-31

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)