Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Электронный каталог - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Статьи из журналов: 2001-2014 (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Троян, П. Е.$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

   З85
   П 781


    Проблемы диэлектрической электроники : [сборник] / Акад. наук Узб. ССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева ; под ред. акад. АН УзССР С. А. Азимова. - Ташкент : Фан, 1974. - 530 с. : рис. ; 23 см. - Библиогр. в конце ст. - 700 экз.. - (в пер.) : 2.78 р.
    Содержание:
Адирович, Э. И. Токи эмиссии при эксклюзии в H-L-H структурах из компенсированных полупроводников / Э. И. Адирович, Д. А. Аронов, П. И. Книгин. - С .5-22
Вищакас, Ю. К. Исследование микропараметров полупроводников с использованием ТОПЗ и кинетики ТДМЗ / Ю. К. Вищакас [и др.]. - С .23-40
Другие авторы: Мачкус П. В., Смилга А. А., Юшка Г. Б.
Иванец, В. А. Электромеханическое преобразование и пьезотрансформаторы с безгистерезисным управлением на основе непьезоэлектрических диэлектриков / В. А. Иванец [и др.]. - С .41-47
Другие авторы: Пекар С. И., Черная Н. С., Лавриненко В. В., Мирошниченко А. П.
Карагеоргий-Алкалаев, П. М. Неравновесная электронно-дырочная плазма и токи двойной инжекции в полупроводниках / П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман. - С .48-65
Явления, связанные с монополярными токами эмиссии в диэлектриках и полупроводниках . - С .66-309
Адирович, А. И. Токи, ограниченные пространственным зарядом в слоях высокоомного монокристаллического кремния / А. И. Адирович [и др.]. - С .66-71
Другие авторы: Атабаева А. Н., Рубинов В. М., Рахимова Ф. А.
Абдураимов, Х. М. Сверхлинейная вольтамперная характеристика при эксклюзии в компенсированных проводниках / Х. М. Абдураимов [и др.]. - С .72-75
Другие авторы: Иноятов М. Д., Каримова И. З., Книгин П. И., Королев Ю. С., Луговская З. П.
Адирович, Э. И. Эмиссионные токи в кремниевых эпитаксиальных слоях / Э. И. Адирович [и др.]. - С .76-84
Другие авторы: Арифов У. А., Атабаева А. Н., Клименко К. Ф., Лютович А. С., Рубинов В. М.
Адирович, Э. И. О природе резкого роста тока при монополярной эмиссии в высокоомный полупроводник / Э. И. Адирович, А. Г. Исаев. - С .85-88
Адирович, Э. И. ТОПЗ в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия / Э. И. Адирович [и др.]. - С .89-93
Другие авторы: Мирсагатов Ш. А., Морозкин В. В., Рубинов В. М.
Азимходжаев, Х. Э. Исследование крутого участка ВАХ в широкозонных полупроводниках фотоэлектрическими методами / Х. Э. Азимходжаев, М. К. Шейнкман. - С .94-101
Азимходжаев, Х. Э. Исследование генерации импульсов фототока при электрических полях в монокристаллах Cd S / Х. Э. Азимходжаев. - С .102-112
Акопян, А. А. Особенности электропроводности p-i-p-структуры в германии при больших высокочастотных напряжениях / А. А. Акопян [и др.]. - С .113-122
Другие авторы: Грибников З. С., Романов В. А., Сердега Б. К.
Альтман, Ц. М. ТОПЗ в эпитаксиальном кремнии, облученном нейтронами / Ц. М. Альтман, Т. А. Кирилева, Н. А. Урманов. - С .123-126
Ахундов, Г. А. Токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ), в высокоомных кристаллах / Г. А. Ахундов [и др.]. - С .127-133
Другие авторы: Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Кязим-Заде А. Г.
Винецкий, В. Л. К теории ТОПЗ в диэлектриках / В. Л. Винецкий, М. И. Файнгольд. - С .134-145
Воробьев, Г. А. Тонкопленочная система МДМ в режиме холодного катода / Г. А. Воробьев [и др.]. - С .146-152
Другие авторы: Галанский В. Л., Троян П. Е., Янкелевич Ю. Б.
Гулямов, К. Б. Диэлектрический триод на основе гетероперехода / К. Б. Гулямов [и др.]. - С .153-159
Другие авторы: Ходжаев К., Султанов М., Икрамова М.
Гулямов, Г. Влияние несовершенств контактов на динамические характеристики диэлектрического диода с ловушками, когда подвижность зависит от поля / Г. Гулямов, С. Х. Шамирзаев. - С .160-165
Гулямов, Г. Влияние зависимости подвижности носителей от напряжения электрического поля на вольтамперную характеристику диэлектрического диода без ловушек / Г. Гулямов, Р. А. Муминов, С. Х. Шамирзаев. - С .166-171
Джунаидов, С. С. О влиянии ловушек на характеристики ТОПЗ-варактора / С. С. Джунаидов [и др.]. - С .172-175
Другие авторы: Пересадова Н. Н., Рубинов В. М., Урманов Н. А.
Дуйсенбаев, М. Исследование ТОПЗ в высокоомных монокристаллах карбида кремния / М. Дуйсенбаев, С. А. Мирсагатов. - С .176-181
Дуйсенбаев, М. Оптическое зондирование уровней в карбиде кремния в режимах ТОПЗ / М. Дуйсенбаев, С. А. Мирсагатов, Ф. С. Яруллина. - С .182-192
Зюганов, А. Н. Определение структуры локальных состояний полупроводника по низкоинжекционной ВАХ / А. Н. Зюганов, А. В. Маловичко, С. В. Свечников. - С .193-203
Исаев, А. Г. Влияние поверхностных состояний на эмиссию носителей из полупроводникового контакта / А. Г. Исаев, В. М. Рубинов, Б. А. Салахутдинов. - С .204-210
Кирьяшкина, З. И. Влияние межкристаллитных барьеров на эмиссионные токи в слоях Zn S / З. И. Кирьяшкина, Н. В. Прохожева, А. М. Свердлова. - С .211-220
Кирьяшкина, З. И. Особенности тока, ограниченного пространственным зарядом в слоях Cd S, обладающих эффектом фотопамяти / З. И. Кирьяшкина, В. Ф. Названов, В. Я. Филипченко. - С .221-229
Колонтаев, В. П. Исследование характеристик системы полупроводник-термопластик / В. П. Колонтаев, Л. М. Панасюк, Е. П. Покатилов. - С .230-234
Лебедев, А. А. N-образованное отрицательное сопротивление n-Si с примесью цинка / А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, А. Т. Касымов. - С .235-240
Лукьянчикова, Н. Б. Исследование ТОПЗ в диэлектриках с малой внешней работой выхода и новые возможности его практического использования / Н. Б. Лукьянчикова [и др.]. - С .241-246
Другие авторы: Пекарь Г. С., Ми Шинь , Шейкман М. К.
Марахонов, В. М. Токи, ограниченные объемным зарядом (ТОЗ), в пленках сульфида кадмия / В. М. Марахонов [и др.]. - С .247-251
Другие авторы: Петропавловская Л. А., Ракша И. М., Сейсян Р. П., Шулинская М. М.
Мачкус, П. В. Фотопроводимость в режиме эмиссионных токов в многослойных фотодиэлектрических системах / П. В. Мачкус, А. А. Смилга. - С .252-258
Мирджалилова, М. А. Эмиссионные токи в монокристаллах диосфида цинка / М. А. Мирджалилова [и др.]. - С .259-262
Другие авторы: Мирсагатов Ш. А., Морозкин В. В., Яруллина Ф. С. Битюцкая Л. А., Сыронов В. Ф., Сысоев Б. М.
Розенталь, А. И. Теория тока, ограниченного объемным зарядом, с учетом эффектов Ричардсона - Штоки и Пула - Френкеля / А. И. Розенталь, А. А. Калда. - С .263-269
Розенталь, А. И. Нестационарный ток, ограниченный объемным зарядом, в диэлектрике с ловушками / А. И. Розенталь. - С .270-276
Савченко, Н. Д. Контактные явления в высокоомных полупроводниках типа Sb S J / Н. Д. Савченко, Н. И. Довгошей. - С .277-287
Смилга, А.-П. А. Токи, ограниченные эмиссией, в структурах металл-полупроводник на основе селенистого кадмия / А.-П. А. Смилга. - С .288-291
Сыронов, В. Ф. Вопросы использования широкозонных полупроводников с низкой концентрацией примесных центров в приборах диэлектрической электроники / В. Ф. Сыронов, Б. И. Сысоев. - С .292-302
Харченко, В. В. Исследование процесса получения высокомного пленчатого кремния / В. В. Харченко, И. В. Курбангалеев, В. П. Пашкуденко. - С .303-309
Явления, связанные с токами двойной инжекции в диэлектриках и полупроводниках . - С .310-491
Азимов, С. А. Исследование механизма насыщения тока в германии при двойной инжекции носителей / С. А. Азимов [и др.]. - С .310-316
Другие авторы: Катулевский Ю. А., Муминов Р. А., Шабабаев Б. С.
Азимов, С. А. О максимальной амплитуде одиночных импульсов анодного тока и температуре перегрева в маломощной диффузионной p-n-p-n-структуре / С. А. Азимов [и др.]. - С .317-322
Другие авторы: Абдуганиев А., Бурханов Ш. Д., Заверюхин Б. Н., Поляков К. А.
Азимов, С. А. Влияние объемного заряда, возникающего при двойной инжекции в базовой области p-n-n структур на ВАХ в режиме пинчевания тока / С. А. Азимов [и др.]. - С .323-328
Другие авторы: Алимджановна Д. И., Катулевский Ю. А., Муминов Р. А.
Азимов, С. А. Исследование вольтамперных характеристик кремниевых эпитаксиальных p-i-n структур в режиме двойной инжекции / С. А. Азимов, М. М. Мирзабаев, К. Расулов. - С .329-335
Акрамов, Х. Т. Электрические и фотоэлектрические свойства химически полученных гетеропереходов Cd S-Cu S / Х. Т. Акрамов, Б. Д. Юлдашев, А. Тешабаев. - С .341-345
Аронов, Д. А. Влияние центров прилипания на малосигнальные характеристики токов двойной инжекции в полупроводниках / Д. А. Аронов, Е. П. Котов, А. Тешабаев. - С .346-356
Аронов, Д. А. ТОПЗ в переходном процессе восстановления обратного сопротивления мощных p-i-n диодов / Д. А. Аронов, Р. Маматкулов. - С .357-368
Атакулов, Б. А. Исследование диодов с отрицательным сопротивлением из кремния с примесью NI / Б. А. Атакулов [и др.]. - С .369-373
Другие авторы: Исламов Л. И., Нигматов Р., Султанов Н. А., Усманов К. У.
Биленко, Д. И. оптические свойства структур на основе полуизолирующего кремния в условиях двойной инжекции / Д. И. Биленко, Э. А. Жаркова, Е. И. Хасина. - С .374-380
Бойко, И. И. ПИНЧ-эффект в электронно-дырочной плазме антимонида индия / И. И. Бойко [и др.]. - С .381-393
Другие авторы: Коллюх А. Г., Малютенко В. А., Черноусенко В. М.
Болтовец, Н. С. Свойства npnp- и Mpnp-структур, изготовленных на основе гетеропереходов Ge-Ga As / Н. С. Болтовец [и др.]. - С .394-397
Другие авторы: Конакова Р. В., Тхорик Ю. А., Шварц Ю. М.
Добровольский, В. Н. Домен сильного поля в электронно-дырочной плазме германия / В. Н. Добровольский, В. Н. Винославский, О. С. Зинец. - С .398-408
Евсеев, Б. С. p-n-p-n-структура при инжекции плазмы в базу / Б. С. Евсеев. - С .409-419
Исамухамедова, М. С. Неоднородность пространственного распределения напряженности поля в полупроводниках с дипольными глубокими примесями / М. С. Исамухамедова, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман. - С .420-425
Карагеоргий-Алкалаев, П. М. Влияние характера распределения неравновесной электронно-дырочной плазмы в полупроводнике на динамические и шумовые характеристики токов двойной инжекции / П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман, Г. И. Неймарк. - С .426-433
Кальвенас, С. П. Свойства поверхностно-объемных продольных структур (ПОПС) на основе p-Ge (Au) в сильных электрических полях / С. П. Кальвенас, А. А. Пучинскас. - С .434-441
Литвиненко, В. Ю. Двойная эмиссия в тонких монокристаллах антрацена / В. Ю. Литвиненко, О. И. Кожухова. - С .442-445
Мирзабаев, М. М. Исследование времени жизни неравновеных носителей тока в кремниевых p-i- n структурах в режиме двойной инжекции / М. М. Мирзабаев [и др.]. - С .446-450
Другие авторы: Расулов К., Каримов А. В., Бустанов Х. Х.
Мирзабаев, М. М. Получение p-i-m структур на базе высокоомного кремния и исследование их электрофизических свойств / М. М. Мирзабаев [и др.]. - С .451-454
Другие авторы: Расулов К., Каримов А. В., Бабаева А. В.
Рубин, В. С. О вольтамперной характеристике PNPN-структуры с широкой базой при больших плотностях тока / В. С. Рубин, В. А. Чернов. - С .455-461
Сабликов, В. А. Переход от тока, ограниченного пространственным зарядом, к двойной инжекции в диэлектрике с ловушками / В. А. Сабликов. - С .462-467
Сабликов, В. А. Частотная дисперсия амбиполярной подвижности в полупроводниках с глубокими ловушками / В. А. Сабликов. - С .468-478
Саидов, М. С. Вольтамперные характеристики кремниевых сплавных p-i-n структур / М. С. Саидов, И. С. Султанов. - С .479-482
Саидов, М. С. Вольтамперные характеристики a-SiC-b -SiC структур / М. С. Саидов, Х. А. Шамуратов, А. Умурзаков. - С .482-485
Тибилов, С. П. Поведение инжекционной плазмы в компенсированном антимониде индия / С. П. Тибилов, М. Н. Колбин, С. А. Смирнов. - С .489-491

ГРНТИ

47.09.31

ББК З857я43
Рубрики: Электроника диэлектрическая--Сборники

Держатели документа:
Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А

Доп.точки доступа:
Азимов, С. А. \ред.\; Юшка, Г. Б.; Академия наук Узбекской ССР (Ташкент). Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева
Экземпляры всего: 1
ЕА (1)
Свободны: ЕА (1)
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)