544.6 М 420 Медведев, И. Г. Электрохимический транзистор на основе мостикового туннельного контакта, содержащего две редокс-группы [Текст] / И. Г. Медведев // Электрохимия. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 133-158 . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): кулоновская блокада -- неадиабатический электронный перенос -- электрохимические транзисторы -- туннельный контакт Аннотация: С использованием метода кинетических уравнений показано, что мостиковый туннельный контакт, содержащий две редокс-группы в последовательной конфигурации, погруженные в раствор электролита при комнатной температуре, при некотором наборе физических параметров системы демонстрирует ярко выраженные свойства транзистора. Валентные электроны редокс-групп сильно взаимодействуют с классической фононной подсистемой жидкой среды. Учитывается дебаевское экранирование электрического поля в туннельном зазоре и кулоновское отталкивание между электронами, находящимися на разных редокс-группах. Рассматривается случай неадиабатического электронного переноса как между редокс-группами, так и между электродами и редокс-группами в пределе бесконечно большого кулоновского отталкивания между электронами, находящимися на редокс-группе. Для достаточно больших абсолютных значений разности между невозмущенными уровнями энергий редокс-групп система обладает характерными для транзистора вольт-амперными характеристиками. Эффект усиления возникает вследствие сильной зависимости туннельного тока от перенапряжения. Главное внимание уделяется особенностям вольт-амперных характеристик в случае сильно несимметричных туннельных контактов. |