621.315.592 И 889 Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si (001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии [Текст] / П. А. Бородин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 414-418 : ил. - Библиогр.: с. 418 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- СТС -- локальная плотность состояний -- ЛПС -- наноостровки -- туннельные спектры -- GeSi/Si (001) -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- КЯ -- токовые изображения -- пространственное распределение -- энергетическое распределение -- поверхностные островки -- гетероструктуры Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si (001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si (001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge[0. 3]Si[0. 7]/Si (001) проявляют свойства гетероструктур I типа. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p414-418.pdf Доп.точки доступа: Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |