539.21:534 О-110 О возможности управления фазово-структурным и напряженным состояниями вакуумно-дуговых наноструктурных покрытий системы Mo-N путем подачи потенциала смещения на подложку в процессе осаждения [Текст] / О. В. Соболь [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 26-33 : ил. - Библиогр.: с. 33 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноструктурные покрытия -- вакуумно-дуговые покрытия -- вакуумно-дуговые наноструктурные покрытия -- система Mo-N -- формирование покрытий -- фазово-структурная неустойчивость -- упругонапряженная неустойчивость -- потенциал смещения -- подложки (физика) -- процессы осаждения -- кристаллиты -- рост кристаллитов -- молибден -- нитрид молибдена -- ОЦК-решетки -- объемноцентрированные кубические решетки -- кристаллические решетки -- условия осаждения -- механические свойства -- упругодеформированное состояние -- напряженное состояние -- высоконапряженные покрытия Аннотация: Рассмотрен эффект фазово-структурной и упругонапряженной неустойчивости при формировании вакуумно-дуговых покрытий системы Mo-N в условиях подачи потенциала смещения на подложку. Повышение потенциала смещения приводит как к формированию преимущественной ориентации [111] роста кристаллитов нитрида молибдена с кубической типа NaCl решеткой (gamma-Mo[2]N фаза), так и к появлению второй фазы с характерной для чистого молибдена кристаллической ОЦК-решеткой. Упругодеформированное (напряженное) состояние покрытия определяется не только условиями осаждения, но и механическими свойствами подложки. Для достижения высоких значений упругодеформированного состояния необходимо осаждать на подложки с большим модулем упругости, что препятствует течению металла в межграничной области. Такие высоконапряженные покрытия с размером кристаллитов 9-14 nm обладают высокой твердостью, достигающей 45-50 GPa. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p26-33.pdf Доп.точки доступа: Соболь, О. В.; Андреев, А. А.; Столбовой, В. А.; Фильчиков, В. Е. |