Садовников, С. И. Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца [Текст] / С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, А. А. Ремпель // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1394-1400 : ил. - Библиогр.: с. 1400 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- кристаллические структуры -- структуры -- оптические свойства -- нанокристаллические пленки -- сульфид свинца -- PbS -- химическое осаждение -- стеклянные подложки -- пленки Аннотация: Методом рентгеновской дифракции изучена кристаллическая структура пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением на стеклянную подложку. Толщина синтезированных пленок ~120 нм, размер областей когерентного рассеяния ~ (70-80) нм, величина микронапряжения ~0. 20%. Установлено, что синтезированные пленки PbS и те же пленки, отожженные в интервале температур 293-423 K, имеют кубическую (пр. гр. Fm3m) кристаллическую структуру D0[3], отличающуюся от структуры B1, характерной для крупнозернистого PbS. В кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по октаэдрическим позициям 4 ( b) и тетраэдрическим позициям 8 ( c). В диапазоне длин волн 200-3270 нм измерено оптическое пропускание нанокристаллических пленок PbS. Наиболее заметное изменение пропускания наблюдается в области длин волн от 700-800 до 1600-2000 нм (энергии фотонов от ~1. 8 до ~0. 7 эВ). Установлено, что ширина запрещенной зоны составляет 0. 83-0. 85 эВ, т. е. больше ширины зоны монокристаллического PbS, равной 0. 41 эВ. Доп.точки доступа: Кожевникова, Н. С.; Ремпель, А. А. |