Уменьшение поглощения в структурах кварц/Si, кварц/Si/SiO[2] и SiC/Si/SiO[2] под влиянием лазерной обработки [Текст] / В. Н. Лисоченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 326-329 : ил. - Библиогр.: с. 329 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): отжиг -- лазерный отжиг -- лазерное излучение -- лазерная обработка -- поглощение -- спектры поглощения -- полупроводниковые структуры -- кварцы -- оптическое поглощение -- пленки -- границы раздела Аннотация: Исследовано влияние лазерного излучения на спектры оптического поглощения систем кварц/Si, кварц/Si/SiO[2] и SiC/Si/SiO[2]. Выявлены эффекты управления прозрачностью данной структуры. Доп.точки доступа: Лисоченко, В. Н.; Конакова, Р. В.; Коноплев, Б. Г.; Кушнир, В. В.; Охрименко, О. Б.; Светличный, А. М. |