548.522:539.216.22:621.315.592 И 257 Ивонин, И. В. Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазной эпитаксии [Текст] / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.93 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид индия -- газофазная эпитаксия -- ростовые поверхности -- эпитаксиальные пленки Аннотация: С применением электронной микроскопии исследовано влияние концентрации ростовых компонентов в газовой фазе на структуру сингулярных, вицинальных и несингулярных ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев InAs, выращенных в системе In-AsCl[3]-H[2]. Установлено, что среднее растояние lambda между ступенями в эшелоне увеличивается при возрастании входного давления P[AsCl[3]] в диапазоне 70-700 Па с последующим выходом на постоянное значение lambda при P[AsCl[3]]>700 Па. Наблюдаемые зависимости lambda (P[AsCl[3]]) объяснены в рамках модели, предполагающей диффузионное взаимодействие ступеней Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Девятьярова, Л.Л.; Лаврентьева, Л.Г.; Александрова, Г.А. |