53 С 544 Соболев, М. М. Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. Е. Жуков [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 68-75 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- спектроскопия -- вертикально коррелированные квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- квантовые точки -- эмиссия электронов -- эффект Штарка -- Штарка эффект -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- гетероструктуры InAs/GaAs Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ. Доп.точки доступа: Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Семенова, Е. С.; Михрин, В. С. |