539.2 Б 570 Бешенков, В. Г. Расширение области температур эпитаксиального роста пленок YSZ на Si [100] при магнетронном напылении [Текст] / В. Г. Бешенков, А. Г. Знаменский [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 5. - С. 102-107. - Библиогр.: c. 107 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бездефектные пленки; дефекты; ионное облучение; магнетронное распыление; оксид циркония; эпитаксиальный рост пленок Аннотация: Экспериментально показано, что область температур эпитаксиального роста пленок YSZ на кремнии с естественным оксидом, узкая (~20{o}C) при обычных условиях магнетронного напыления, расширяется до 150{o}C при облучении поверхности пленок ионами прилегающей к подложке плазмы за счет снижения нижней границы. Необходимая для этого энергия ионов - E>=80 eV. Протекание тока в цепи плазма-пленка-подложка сопровождается транспортом ионов кислорода в YSZ и приводит к возникновению в пленке специфических дефектов. Ионное облучение с нулевым средним по времени током сквозь пленку, реализуемое при ВЧ-смещении изолированной подложки, позволяет выращивать бездефектные атомарно-гладкие эпитаксиальные пленки в широком интервале температур и энергий ионов. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/05/p102-107.pdf Доп.точки доступа: Знаменский, А. Г.; Марченко, В. А.; Пустовит, А. Н.; Черных, А. В. |