Гребенщикова, Е. А.     InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии [Текст] / Е. А. Гребенщикова, Н. В. Зотова [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.60 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия -- светодиоды -- гетероструктура Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 мкм. Внешний квантовый выход диодов составил 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 мкм при Т=77К Доп.точки доступа: Зотова, Н.В.; Кижаев, С.С.; Молчанов, С.С.; Яковлев, Ю.П.