530.1 Б 46 Бенеманская, Г. В. Аккумуляционные зарядовые слои и поверхностные состояния ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN (0001 [Текст] / Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт, М. С. Дунаевский // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 130, N 3. - С. 506-515. - Библиогр.: с. 514-515 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): зарядовые слои; аккумуляционные зарядовые слои; интерфейсы; ультратонкие интерфейсы; поверхностные состояния; фотоэмиссионные свойства; электронные свойства Аннотация: Для эпитаксильных слоев n-GaN (0001) с разным характером структурной организации проведены комплексные исследования фотоэмиссионных и электронных свойств ультратонких интерфейсов Cs/n-GaN и Ba/n-GaN. Доп.точки доступа: Франк-Каменецкая, Г. Э.; Шмидт, Н. М.; Дунаевский, М. С. |