539.2 Ф 19 Фальковский, Л. А. Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света [Текст] / Л. А. Фальковский // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 3. - С. 259-283. - Библиогр.: с. 282-283 (92 назв. ). - ил.: 23 рис., 3 табл. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): влияние дефектов -- рассеяние света -- рамановские рассеяния -- динамика решетки -- фононные частоты -- полупроводники -- кулоновские поля -- колебания решетки Аннотация: Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Перейти: http:www.ufn.ru |