621.37/.39 В 17 Ванюшин, И. В. Влияние многослойного диэлектрического покрытия Si[3}N[4]-PSG-SiO[2] на спектральную чувствительность элементов матричных КМОП-фотоприемников [Текст] / И. В. Ванюшин, В. А. Гергель [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 12. - С. 1520-1525. - Библиогр.: с. 1525 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): диэлектрические покрытия; фотоприемники; матричные комплементарные фотоприемники; фотодиоды; чувствительные фотоэлементы Аннотация: Применительно к вопросам разработки и конструирования цветных матричных комплементарных фотоприемников на основе металл-окисел- полупроводник, теоретически и экспериментально исследованы спектральные зависимости пропускания защитного многослойного диэлектрического покрытия соответствующих интегральных схем. Приведенные измерения демонстрируют модуляцию спектральной чувствительности фотодиодов, закрытых стандартным многослойным диэлектрическим покрытием, что существенно препятствует качественному цветоделению фотосигнала. Численное моделирование спектральной прозрачности используемого стандартного диэлектрического покрытия показывает, что основную роль при этом играет интерференция в верхнем диэлектрическом слое, показатель преломления в котором оказался значительно больше соответствующего справочного значения. Представлен краткий обзор возможных путей коррекции негативных особенностей спектральной прозрачности, обусловленных максимально большим показателем преломления защитной пленки Si[3]N[4]. Доп.точки доступа: Гергель, В. А.; Горшкова, Н. М.; Затолокин, К. М.; Князев, А. Н. |